Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10

Тема работы	Автор	Год
Оптические свойства полупроводниковых структур с неоднородным распределением электронной плотности Первоначально наибольший интерес привлекали гомогенные структуры с неоднородным легированием, такие как р — п переход, транзистор, контакт металл-полупроводник. Для них характерно неоднородное распределение электронной плотности, причем размеры этих неоднородностей составляют сотни и тысячи ангстрем. Дальнейший прогресс в создании более…	Маслов, Александр Юрьевич	2002
Особенности формирования самоорганизующихся наноостровков при эпитаксии германия на профилированные кремниевые подложки в условиях электропереноса Механизмы самоорганизации кристаллических поверхностей определяются энергетикой процессов и кинетикой их протекания. Если энергетика процесса в основном задана несоответствием параметров кристаллических решеток пленки и подложки для данной толщины эпитаксиальной пленки, то роль кинетики в формировании островков становится определяющей. Поэтому…	Садофьев, Сергей Юрьевич	2002
Получение и исследование пленок твердых растворов халькогенидных стеклообразных полупроводников (As2 S3)x . (As2 Se3 )1-x на рулонной основе для оптоэлектронных устройств записи информации Типичными представителями ХСП являются сульфид АэгЗз и селенид А828е3 мышьяка, а также твердые растворы на их основе. Имеющиеся экспериментальные результаты [11-15], связанные с технологией получения тонких пленок ХСП (А828з)х-(А828е3)1.х для оптоэлектронных устройств, могут быть обобщены следующим образом…	Ишимов, Виктор Михайлович	2002
Получение и свойства ультратонких пленок аморфного кремния и многослойных периодических наноструктур на их основе Получение и исследование свойств аморфных кремниевых наноструктур на сегодняшний день является одним из перспективных направлений в области физики аморфных полупроводников. Во-первых, такие структуры представляют фундаментальный интерес с точки зрения изучения эффектов размерного квантования в неупорядоченных системах, природа которых еще далека…	Казанцева, Инга Александровна	2002
Процессы синтеза и дефектообразования в тройных полупроводниках для нелинейной оптики ИК-диапазона Существование новой группы тройных соединений со структурой халькопирита и общей формулой лллллс! предсказанное ранее [6], в 1957 году экспериментально подтвердил Ч. Гудмен [7]. Оптические исследования, выполненные на полученных им образцах, позволили отнести их к классу полупроводников и определить ширину запреш;ённой зоны некоторых соединений…	Воеводина, Ольга Викторовна	2002
Разработка неразрушающих методов исследования полупроводников и низкоразмерных полупроводниковых структур Комплексные исследования полупроводников позволяют получать более полную информацию о качестве исследуемого материала без разрушения поверхностей образцов, подложек и защитных покрытий. Бесконтактное исследование глубоко лежащих низкоразмерных слоев особенно актуально, поскольку позволяет использовать одну и ту же структуру, как для определения…	Корнилович, Александр Антонович	2002
Свойства гетероэпитаксиальных структур 3C-SiC/Si, полученных химическим газотранспортным методом, и тензопреобразователи на их основе Выращивание пленок кубического карбида кремния (3C-SiC) достаточно больших площадей пригодных для серийной технологии производства полупроводниковых приборов, было достигнуто с помощью гетероэпитаксиальной технологии. Из-за сходства типа кристаллической структуры, технологичности и доступности основным материалом подложки является кремний…	Фридман, Татьяна Петровна	2002
Статические, динамические и пороговые характеристики быстродействующих гетеролазеров РОС) [1] и распределенным брегговским зеркалом (РБЗ), широко используемые в высокоскоростных оптических системах связи, удовлетворяют только части из перечисленных требований. В связи с этим необходим дальнейший поиск путей улучшения стабильности и быстродействия источника излучения. Спектрально-селективная обратная связь обеспечивает одномо-довый…	Костко, Ирина Андреевна	2002
Стимулирование синтеза диэлектрических слоев в кремнии дальнодействующим ионным облучением К приоритетным задачам современной микроэлектроники относятся исследования, связанные с повышением быстродействия и надежности приборов. В связи с этим уделяется большое внимание разработкам технологий "кремний на изоляторе" (КНИ). Это вызвано высокой радиационной стойкостью интегральных схем на КНИ-основе, повышением быстродействия за счет…	Марков, Кирилл Александрович	2002
Стимулированное дальнее ИК-излучение в одноосно деформированном p-Ge и напряженных гетероструктурах SiGe/Si А18. AltukhovI.V; Chirkova E.G; Kagan M.S; Korolev K.A; Sinis V.P; Yassievich I.N. Intracenter population inversion of strain-split acceptor levels in Ge.// Proceeding of 23'A International Conference on the Physics of Semiconductors. (Germany), World Scientific, Singapore; 1996. V. 4. P.2677-2680…	Синис, Валерий Павлович	2002
Тензоэлектрические свойства и надежность приборов на основе аресенида галлия Обширный практический опыт Федерального государственного унитарного предприятия "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов" (ФГУП "НИИПП", г. Томск) - ведущей в России организации по разработке и промышленному освоению изделий электронной техники на основе арсенида галлия -показывает, что за ранние отказы, как правило…	Криворотов, Николай Павлович	2002
Теория пороговых характеристик полупроводниковых лазеров на квантовых точках Чрезвычайно большой интерес к КТ как с фундаментальной, так и прикладной точек зрения обусловлен прежде всего драматическим отличием спектра носителей в КТ от объемного кристалла или квантовой ямы (КЯ) [КЯ - сверхтонкий слой, в котором пространственное ограничение носителей имеет место только в одном (поперечном) направлении, а в двух других…	Асрян, Левон Володяевич	2002
Теплофизические свойства халькогенидов редкоземельных элементов переменного состава Одним из основных препятствий на пути повышения термоэлектрической эффективности (Z) является относительно высокая фононная теплопроводность полупроводниковых материалов. Поэтому особый интерес представляет изучение влияния парамагнитных РЗ ионов на теплопроводность халькогенидов РЗЭ. Парамагнитные РЗ ионы являются дефектами, которые приводят к…	Митаров, Ризван Гаджимирзаевич	2002
Термическое газофазное осаждение алмазных плёнок с использованием нанокластеров ультрадисперсного алмаза в качестве центров зародышеобразования Общей технологической идеей многих методов предварительной обработки подложки, является замена гетерогенного роста на гомогенный, осуществляемый за счет предварительного нанесения на поверхность подложки алмазных кристаллитов. Следствием перехода от гетерогенного роста на гомогенный является значительное увеличение скорости зародышеобразования…	Грудинкин, Сергей Александрович	2002
Термодинамика и кинетика образования комплексов с участием вакансий в кремнии и германии В данной работе с помощью предложенных кинетических и термодинамических моделей, описываются различные процессы взаимодействия дефектов с участием вакансий…	Агафонова, Ольга Владимировна	2002
Физические принципы увеличения мощности излучения инжекционных лазеров Во второй главе представлены результаты исследований различных конструкций резонатора лазерных диодов, позволяющих сохранить генерацию в нулевой поперечной моде в широком диапазоне токов накачки…	Котельников, Евгений Юрьевич	2002
Фононные спектры композиционных сверхрешеток на основе полупроводников A3 B5 , A2 B6 и их твёрдых растворов Для сверхрешёток характерна минизонная структура энергетического спектра, которая определяется дополнительной периодичностью потенциала. В колебательном спектре СР проявляются особенности, связанные с квантованием спектра оптических фононов (эффект конфайнмента), формированием интерфейсных фононов, появлением электрических полей, обусловленных…	Прыкина, Елена Николаевна	2002
Формирование и свойства полупроводниковых пленок и структур для приемников УФ излучения Основные результаты докладывались и обсуждались на следующих конференциях, симпозиумах и школах: Всероссийской научной конференции «Физика полупроводников и полуметаллов» ФПП-2002 (Санкт-Петербург, 4-6 февраля, 2002 г.); International conference on amorphous and microcrystalline semiconductors ICAMS19 (27-3 Г August 2001, Nice, France); ИХ…	Гудовских, Александр Сергеевич	2002
Фотоинжекция водорода в твердых телах Весьма привлекательной является возможность введения водорода в твёрдые тела при комнатной температуре в результате какого-либо внешнего управляющего воздействия, например, электрического поля, света, тепла, электронных или ионных пучков, рентгеновского и гамма излучений, и т.п. С конца 70-х годов развиваются научный и прикладной аспекты такого…	Гаврилюк, Александр Иванович	2002
Фотомодуляционная спектроскопия полупроводниковых структур на A iiiB v Сущность ЭО состоит в периодическом возмущении приповерхностной области полупроводника при помощи приложенного внешнего электрического поля. При ФО, являющимся модификацией ЭО, для модуляции используется периодическое лазерное возбуждением образца с энергией фотонов, превосходящей ширину его запрещенной зоны. При измерении спектров ЭО(ФО…	Кузьменко, Роман Валентинович	2002