Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10

Тема работы	Автор	Год
Создание и исследование твердых растворов GaInAsSb и оптоэлектронных приборов на их основе В заключение я хочу выразить глубокую благодарность за помощь и поддержку при проведении работы моему научному руководителю Куницыной Екатерине Вадимовне и заведующему лабораторией профессору Яковлеву Юрию Павловичу…	Пархоменко, Яна Александровна	2003
Структура и электрофизические свойства гетеропереходов n-SiC/p-(SiC)1-x (AlN) x Однако широкое применение гетероэпитаксиальных слоев (ГЭС) п-81С/р-(8Ю)1-х(АШ)х сдерживается недостаточной изученностью процессов, протекающих в приграничной области перехода и их влияния на свойства гетероструктур. Энергетическая структура гетероперехода (ГП) п-8Ю/р…	Исмаилова, Нупайсат Пахрудиновна	2003
Структуры металл - диэлектрик-полупроводник на основе арсенида индия Все материальные тела с температурой выше -273 С излучают электромагнитные волны в соответствии с известной формулой Планка (рис.1). При повышении температуры объектов увеличивается число излученных квантов при фиксированной длине волны. Испускаемые кванты света можно зарегистрировать датчиками инфракрасных излучений. Видно, что относительный…	Ковчавцев, Анатолий Петрович	2003
Термоэлектрические свойства гетерофазных структур Во-первых, появляется возможность подбирать материалы слоев, варьировать соотношения их толщин, а также угол наклона слоев по отношению к градиенту температуры и направлению протекания тока. Это позволяет создавать материалы с искусственной анизотропией термоэлектрических свойств, термоэлектрическая эффективность которых может быть значительно…	Пшенай-Северин, Дмитрий Александрович	2003
Фазовые переходы, оптическая бистабильность и образование сверхструктур в полупроводниках Пайерлсовского типа К настоящему времени накоплен большой экспериментальный материал по влиянию различных внешних воздействий на соединения с пайерлсовской неустойчивостью. В частности, известно, что в двуокиси ванадия легирование примесями, замещающими атомы. ванадия в кристаллической решетке, сдвигает критическую температуру фазового перехода металл—полупроводник…	Семенов, Александр Леонидович	2003
Экспериментальные методы исследования характеристик гетероструктурных солнечных элементов и фотоэлектрических модулей с концентраторами излучения Обоснована необходимость измерения ВАХ СЭ, преобразующих концентрированное солнечное излучение, с учетом реального неравномерного распределения облученности на их поверхности и предложена новая экспериментальная методика корректного моделирования влияния неравномерной облученности СЭ на форму ВАХ с помощью равномерного облучения части элемента…	Шварц, Максим Зиновьевич	2003
Электронные и оптические явления в системах кремниевых нанокристаллов Для преобразования сигнала из световой формы в электрическую и обратно необходимы всевозможные оптические и оптоэлектрические устройства, разработка которых является весьма актуальной задачей. Необходимо отметить, что все имеющиеся на сегодня полупроводниковые светоизлучающие приборы основаны на бинарных и тринарных прямозонных полупроводниках. В…	Лисаченко, Максим Геннадьевич	2003
Электропроводность сенсорных слоев диоксида олова модифицированной толщины Позднее было показано, что газовая чувствительность таких приборов значительно улучшается при добавлении Pt, Pd, Ir и Rh. С тех пор положительное влияние благородных металлов подтвердилось многими комбинациями металлов и полупроводников и широко используется в реальном производстве газочувствительных приборов…	Джадуа Мунир Хльайль	2003
Электрофизика пористого кремния и структур на его основе В настоящей работе проведено комплексное изучение электрических свойств и явлений переноса носителей заряда в слоях пористого кремния с различной морфологией и в структурах на его основе. Для объяснения полученных результатов и привлечения моделей, описывающих поведение неупорядоченных полупроводников, дополнительно выполнены детальные…	Зимин, Сергей Павлович	2003
Элементарные процессы при электронном возбуждении кристаллофосфоров диссоциированными газами Особое значение физика поверхностных явлений приобретает в связи с бурным развитием электроники. Микро- и оптоэлектроника неудержимо стремится к увеличению степени интеграции твердотельных систем переработки информации и к резкому уменьшению размеров отдельных компонентов этих систем. Зарождается нано- и молекулярная электроника; размеры элементов…	Рогожина, Татьяна Сергеевна	2003
Энергетическая структура макромолекул и наноструктур Основную проблему теории расчета энергетической структуры атомных объектов составляет количество параметров энергетической связи. Недостаточность информации относительно всех взаимодействий между электронами и неточность их учета не позволяет рассчитывать эти параметры исходя из принципов теории атомов. Кроме того зачастую отсутствуют…	Петрушко, Максим Игоревич	2003
Эффекты спин-орбитального взаимодействия в двумерном электронном газе Изучение спин-зависимых явлений в гетероструктурах позволяет получать информацию как о кинетических параметрах носителей заряда, таких как времена спиновой и импульсной релаксации, так и о тонкой структуре энергетического спектра носителей, играющей важную роль в управлении спиновыми процессами, а также дает новый инструмент для изучения симметрии…	Тарасенко, Сергей Анатольевич	2003
Автокаталитический механизм спонтанной композиционной модуляции при эпитаксиальном росте трехкомпонентных соединений A III B V Распространённое в настоящий момент объяснение композиционной автомодуляции [17, 72, 73, 81, 85, 91, 94, 97, 120, 121, 143, 147, 151, 161, 162], связанное с теорией спинодального распада [59], адекватно описывает только модуляцию в четверных растворах A^Bj^C^D^ и не объясняет многие закономерности автомодуляции в тройных соединениях AnlBv…	Максимов, Кирилл Сергеевич	2002
Анализ самоорганизованных наноразмерных структур в имплантированном кремнии Большинство представленных в работе результатов являются совершенно новыми и аналогов в мировой литературе не имеют. Во-первых, это связано с тем, что постановка задачи отвечает наиболее современным требованиям развития микроэлектроники и серьезно заявившей о себе наноэлектроники, а во-вторых - за счет использования, как наиболее свежих физических…	Павлюченко, Максим Николаевич	2002
Влияние анизотропии упругих свойств на спинодальный распад в твердых растворах полупроводников типа A3 B5 и A2 B6 Модуляция состава твердого раствора существенна и для другого класса гетероструктур, когда массивы ям, проволок или точек создаются узкозонными включениями в широкозонной полупроводниковой матрице. Твердые растворы часто используются в качестве материала включений, материала матрицы или обоих материалов. При этом распределение состава твердого…	Лифшиц, Мария Борисовна	2002
Влияние германия на кинетику образования низкотемпературных термодоноров и на начальные стадии процесса распада пересыщенного твердого раствора кислорода в кремнии На основании проведенных исследований по изучению влияния германия на процессы образования низкотемпературных термодоноров и распада пересыщенного твердого раствора кислорода в монокристаллах кремния, выращенных по методу Чохральского и по модифицированному методу Чохральского ( методу жестко закрепленных сообщающихся сосудов), можно сделать…	Светлова, Наталья Юрьевна	2002
Влияние процессов фазообразования на фотоэлектрические свойства поликристаллических пленок селенида свинца К настоящему времени накоплен обширный экспериментальный материал, посвященный исследованию фоточувствительных свойств халькогенидов свинца. Однако данные носят достаточно противоречивый характер, что, как следствие, приводит к многообразию моделей фотопроводимости поликристаллических слоев на основе полупроводниковых соединений AIV - BVI…	Писаревский, Мстислав Сергеевич	2002
Генерационно-рекомбинационные процессы в кремниевых лавинных диодах Основные положения докладывались и обсуждались на: конференции молодых ученых и аспирантов Мордовского государственного университета - Саранск, 1999 и 2000 гг.; региональной научно-практической конференции «Критические технологии в регионах с 8 недостатком природных ресурсов» - Саранск, 2000 г.; Международной конференции «Оптика, оптоэлекгроника и…	Кузьмин, Виталий Вячеславович	2002
Гетероструктуры в системе твердых растворов InGaAsP и лазеры на их основе В 1974 году появились первые сообщения о создании лазерных гетероструктур на основе твердых растворов ЫваАэР [7*]. Однако для получения высокоэффективных приборов необходимо было исследовать процессы кристаллизации и легирования, свойства изопериодичных и напряженных твердых растворов, построить физические основы одномодовых и многомодовых лазеров…	Тарасов, Илья Сергеевич	2002
Динамика дефектной структуры и акустическая эмиссия в кремнии при электрических и механических возмущениях Результаты последних исследований показали, что одним из возможных факторов управления дислокационным транспортом могут служить магнитные поля. Значительные исследования магнитопластического эффекта проведены на ионных кристаллах [6-8].В качестве доминирующего механизма, объясняющего экспериментально обнаруженные изменения подвижности дислокаций в…	Соловьев, Александр Александрович	2002