Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10

Тема работы	Автор	Год
Структура и оптические свойства тонкопленочных полупроводниковых соединений на основе кремния, синтезированных импульсными энергетическими воздействиями Анодное травление в спиртовом растворе плавиковой кислоты кристаллов кремния и карбида кремния (SiC), а также имплантация термически выращенных пленок SiC>2 нонами кремния (Si+) и углерода (С+) с последующим термическим отжигом (ТО) позволяют получать напокристаллическис слои Si и SiC, которые вследствие малости размеров напокристаллов (обычно…	Баталов, Рафаэль Ильясович	2004
Структурные изменения в поликристаллических термоэлектрических твердых растворах халькогенидов Bi и Sb в зависимости от условиях их получения и обработки Получение при кристаллизации из расплава слитков ТЭМ с благоприятной аксиальной текстурой, как правило, приводит к повышению термоэлектрической эффективности материала, однако это ухудшает их механические свойства, облегчая возникновение трещин по плоскостям спайности в процессе резки слитков на пластины…	Табачкова, Наталия Юрьевна	2004
Термодинамика легирования и образования точечных дефектов в кремнии Для совершенствования современных технологий необходимо дальнейшее развитие теоретических моделей образования дефектов в полупроводниках, а также определение их параметров. Это важно как для замены длительных дорогостоящих экспериментов компьютерным моделированием,, так и для оптимизации технологических процессов, в основе которых лежат процессы…	Санчищин, Дмитрий Владимирович	2004
Транспортные процессы в полупроводниках с участием линейных и объемных дефектов Столь высокие плотности тока и возникающие температурные градиенты способствуют образованию и последующему транспорту линейных и объемных дефектов в полупроводниковых структурах. Наиболее ярко это проявляется в «мелких» р-n- переходах, системах металлизации, невыпрямляющих контактах и т.д…	Скворцов, Аркадий Алексеевич	2004
Трехчастичные электрон-дырочные комплексы в квантоворазмерных гетероструктурах А6] R.A. Sergeev, R.A. Suris, G.V. Astakhov, W. Ossau, D.R. Yakovlev, Universal estimation of X- trion binding energy in semiconductor quantum wells, отправлена в Phys. Rev. B, 8 страниц (2004…	Сергеев, Ринат Александрович	2004
Фотоэлектронные свойства гетеронаноструктур GaAs/In(Ga)As с комбинированными слоями квантовых ЯМ и самоорганизованных квантовых точек, выращенных газофазной МОС-гидридной эпитаксией Изучение ГНС с комбинированными слоями типа КЯ/КТ представляет значительный теоретический и практический интерес. На морфологию и энергетический спектр комбинированных слоев КЯ/КТ может влиять диффузионное перемешивание состава слоев, перераспределение и релаксация в них упругих напряжений, гибридизация их энергетического спектра и др. Эти эффекты…	Левичев, Сергей Борисович	2004
Электрические свойства ионно-легированных и эпитаксиальных p-n переходов на основе фосфида галлия Ионное легирование приводит к интенсивному дефектообразованию, как первичному, в процессе которого образуется ансамбль простых собственных точечных дефектов, так и вторичному, при котором из первичных дефектов и примесей образуются комплексы. Высокая плотность дефектов при ионном ф легировании приводит к образованию сложных, ассоциированных…	Светухина, Ольга Сергеевна	2004
Электрофизические свойства реальных контактов металл - полупроводник К простым полупроводниковым приборам, изготовленным на :нове выпрямляющих КМП, т.е. диодов Шоттки (ДШ), относятся: ■шрямительный, детекторный и смесительный диоды; стабилитрон; лпульсный, переключающий, умножительный и параметрический диоды; ¡ементы памяти; генераторный, лавинно-пролетные диоды; этосопротивление; фотодиод; фотоемкость; фотокатод…	Мамедов, Расим Кара оглы	2004
Эффекты зарядовой компенсации в модифицированных слоях SiO2 на кремнии Оказалось, что такие структуры обладали целым набором специфических свойств, среди которых для нас представляет особый интерес их реакция на различные внешние воздействия, связанные с возбуждением ^ атомной и электронной подсистем ДП-структур и их последующей релаксацией, приводящей к различным видам атомных перестроек, включая процессы…	Аскинази, Анатолий Юрьевич	2004
Влияние водорода на фотоэлектронные свойства гетероструктур с квантовыми ямами и точками GaAs/In x Ga1-x As При достаточно высокой энергии атомов водорода и/или высокой температуре обработки наблюдаются необратимые эффекты влияния гидрогенизации. Значительную практическую ценность представляет эффект водородной пассивации различных дефектов и примесей на поверхности и в объеме полупроводника с образованием электрически не активных водородно-дефектных…	Шоболов, Евгений Львович	2003
Влияние гофрировки гетерограниц на оптические свойства GaAs/AlAs сверхрешёток, выращенных на поверхностях с ориентацией (311)А и (311)В Наиболее полную информацию непосредственно об оптических и электронных свойствах системы обычно получают анализируя спектры фотолюминесценции (ФЛ) [8-10] и спектры возбуждения фотолюминесценции [11]. Эти методики обладают рядом преимуществ перед другими. Прежде всего они не требуют специальных трудоемких процедур приготовления (препарирования…	Любас, Глеб Александрович	2003
Влияние отжига, электронного облучения и упругой деформации на проводимость слоев пористого кремния с различной морфологией После сообщения Кэнхэма (L. Canham) в 1990 году об открытии видимой люминесценции пористого кремния при комнатной температуре [6] интерес исследователей сместился в сторону изучения излучающих и оптических свойств пористых слоев. Очевидный экономический эффект от интеграции светоизлучающих элементов в кремниевую технологию стимулировал активность…	Брагин, Алексей Николаевич	2003
Возбуждение радикалорекомбинационной люминесценции кристаллофосфоров "пакетами" активных частиц газа большой плотности Свойства поверхности, природа физико-химических процессов, протекающих на ней, роль внешних факторов в полной мере еще не раскрыты. Научиться управлять свойствами поверхности - одна из задач микроэлектронной промышленности…	Макушев, Игорь Алексеевич	2003
Выращивание, структурные особенности и свойства монокристаллов кремния с заданной двойниковой структурой На основании проведенных исследований структурных особенностей, физических свойств, легированных бором (Ыв~1015-И016 см"3), и бором и германием совместно (nge=1020 см"3, Nb=1015 см"3), монокристаллов кремния, содержащих две плоскости двойникования первого порядка и одну границу двойникования второго порядка, выращенных в направлении <110>, могут…	Афанасова, Ирина Владимировна	2003
Диагностика квантовых ям в системе (In, Ga)As/GaAs методом стационарной емкостной спектроскопии На данном этапе развития микро- и наноэлектроники существенно возрастают требования к полупроводниковым структурам, как следствие значительное внимание уделяется их диагностике. Основной интерес сконцентрирован на структурах полученных на основе соединений АШВУ, что во многом обусловлено их широким использованием при создании приборов…	Цвелев, Егор Олегович	2003
Диффузия, сегрегация и электрическая активация легирующих примесей в диффузионных и имплантационных слоях кремния Особенности и закономерности поведения легирующих примесей необходимо учитывать при изготовлении ППП и ИМС, в которых они определяют ряд электрических параметров и могут являться причиной их невоспроизводимости и деградации. Для этого наряду с совершенствованием технологии легирования необходимо изучение общих закономерностей поведения легирующих…	Александров, Олег Викторович	2003
Исследование влияния динамики и кинетики процессов самоорганизации структуры ступеней и островков псевдоморфных пленок на вицинальных поверхностях полупроводников Электроника по праву считается основой современного этапа научно-технического прогресса. Используемые во всех сферах деятельности общества приборы, датчики, накопители и преобразователи информации, вычислительные системы, создаваемые в микроэлектронике на основе полупроводниковых материалов, обеспечивают выполнение требований, предъявляемых…	Ланцова, Ольга Юрьевна	2003
Исследование радиационных дефектов в карбиде кремния емкостными методами В то же время для карбида кремния сохраняются некоторые сложности в реализации приборов на его основе. Применение традиционных операций планарной технологии - диффузии и ионной имплантации - затруднено из-за низкого коэффициента диффузии примесей в SiC и чрезвычайно высокими температурами отжига дефектов, возникающих в процессе имплантации…	Давыдов, Денис Викторович	2003
Исследование термоакустических эффектов в кремниевых пластинах Из вышесказанного вытекает необходимость детального исследования акустических явлений в слоях металлизации, что позволит подобрать оптимальные для работы приборов режимы токовой нагрузки…	Литвиненко, Ольга Викторовна	2003
Исследование электрических и температурных характеристик планарно-диффузионных симисторных структур В зависимости от вида положительной обратной связи (по напряжению или току) полупроводниковые приборы с ОДС делятся на два класса. К первому относятся приборы с .S-образной ВАХ, однозначные по току. Ко второму классу относятся приборы с /V-образной ВАХ, однозначные по напряжению. Такие приборы принято считать дуальными. Дуальность S- и А^-приборов…	Лычагин, Евгений Викторович	2003