Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10

Тема работы	Автор	Год
Кинетика атомных преобразований кристаллической поверхности при эпитаксиальном росте и сопутствующих процессах (моделирование) Широкое применение в области исследования процессов, происходящих на кристаллической поверхности при изготовлении низкоразмерных структур, получило компьютерное моделирование. С помощью метода Монте-Карло (МК) оказалось возможным создавать имитационные компьютерные модели, в достаточной степени адекватно отображающие атомные процессы на…	Яновицкая, Зоя Шмеровна	2003
Кинетика и термодинамика комплексообразования и кластеризации дефектов в кремнии и германии В связи с этим возникла необходимость анализа существующих моделей дефектообразования, растворимости примесей, образования комплексов, кластеров и преципитатов. В данной работе с помощью предложенных теоретических моделей описываются различные процессы взаимодействия дефектов, проводится изучение кинетики и термодинамики процессов…	Светухин, Вячеслав Викторович	2003
Механизмы стабилизации фотолюминесценции квантоворазмерных структур на основе кремния и карбида кремния Многочисленные исследования, посвященные влиянию условий электрохимического травления и различных внешних воздействий (термический отжиг, лазерное, ионное, а- или Р- облучение и т.п.) на светоизлучающие и электрофизические свойства рог-Si, зачастую приводили к противоречивым результатам или трактовались в рамках конкурирующих моделей. Все это…	Костишко, Борис Михайлович	2003
Моделирование физических процессов в мощных многослойных структурах на основе карбида кремния Известно, что для увеличения блокируемого напряжения необходимо использовать все более и более высокоомный кремний, иными словами уменьшать концентрацию легирующей примеси. Создание материалов, в частности кремния с малой концентрацией примеси - это сложная и дорогостоящая технологическая задача, которая может быть решена. Однако оказалось, что в…	Тандоев, Алексей Григорьевич	2003
Низкотемпературная жидкофазная эпитаксия AIIIBV - наногетероструктур и оптоэлектронных приборов на их основе С середины 70-х годов специально для выращивания структур с ультратонкими слоями интенсивно развиваются метод газофазной эпитаксии из металлорганических соединений и метод молекулярно-пучковой эпитаксии, которые к настоящему времени уже можно рассматривать как традиционные…	Хвостиков, Владимир Петрович	2003
Оптика центров, обязанных присутствию кислорода и меди в соединениях A2 B6 Данные о глубоких центрах так называемой "самоактивированной" люминесценции в чистых соединениях А2В6, в частности ZnSe, не систематизированы и противоречивы. Отсутствует модель, которая могла бы объяснить природу таких центров…	Блинов, Владимир Викторович	2003
Оптические исследования эффектов влияния спонтанного упорядочения атомов на свойства твердых растворов InGaP2 , In x Ga1-x As и GaAs1-x Sb x Колебания в кристалле напрямую зависят от его структуры и подвержены значительным изменениям при упорядочении атомов. Поэтому основным методом для исследования был выбран метод комбинационного рассеяния света. Интенсивности и положения фононных линий в спектрах анализировались с помощью правил отбора, полученных в модели поляризуемости связи, и…	Власов, Алексей Сергеевич	2003
Оптические и фотоэлектрические свойства микрокристаллического гидрированного кремния Для создания эффективных тонкопленочных электронных и оптоэлектронных приборов с оптимальными параметрами на основе (uc-Si:H необходимо знание оптических и фотоэлектрических свойств данного материала, а также влияния на них различных внешних воздействий. Однако, имеющиеся в настоящее время в литературе данные не позволяют однозначно судить о…	Форш, Павел Анатольевич	2003
Оптические свойства и структура аморфного углерода Однако, метод Тауца, будучи однопараметрическим, обладает избыточной универсальностью и не позволяет различать такие родственные материалы как полимеры и алмазоподобный углерод. Второй метод не позволял описывать диэлектрический отклик материала в широком спектральном диапазоне. Кроме того, оба этих подхода справедливы только для аморфных…	Ястребов, Сергей Гурьевич	2003
Особенности распределения азота в азотосодержащих GaAs1-yNy и InxGa1-xAs1-yNy твердых растворах Большой коэффициент прогиба ведет к аномально сильной зависимости энергии запрещенной зоны от содержания азота (dE/dy -1520 эВ), что в свою очередь создает достаточно большой энергетический разброс для флуктуации состава. Это будет выражаться в том, что небольшие значения флуктуации состава азота будут соответствовать большим величинам флуктуации…	Блажнов, Павел Альбертович	2003
Особенности структуры ионоимплантированных слоев кремния, выявленные с помощью рентгеновской дифрактометрии высокого разрешения Вторичные процессы определяют структуру нарушенного слоя. Они сложны и многообразны, поэтому задача развития методики диагностики и исследования структуры нарушенных слоев является также актуальной…	Курипятник, Андрей Валериевич	2003
Полупроводниковые приборы для быстрой коммутации больших мощностей и новые технологические методы их изготовления В среднем диапазоне мощностей и частот (сотни киловатт; десятки килогерц) основным пробором сейчас является биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ-ЮВТ) с диаметром элементарной ячейки ~ 20 мкм - силовой прибор состоит из нескольких сотен тысяч таких ячеек. Предельное напряжение современных ЮВТ ~ 3,5 кВ, предельный размер чипа 1x1…	Костина, Людмила Серафимовна	2003
Пористые карбид кремния и нитрид галлия: получение, свойства и применение В то же самое время, из кремниевой технологии известно, что область применения полупроводника может быть существенно расширена при создании в нем пористой структуры. Применение пористого кремния уже позволило реализовать новые промышленные технологии для этого полупроводника. Это указывает на перспективность применения технологии пористых…	Мынбаева, Марина Гелиевна	2003
Радиационно-физические процессы в облученных нейтронами полупроводниковых соединениях антимонида и фосфида индия ВВР-ц Филиала ФГУП РФ "НИФХИ им. Л.Я. Карпова" с последующим ее внедрением на ряде исследовательских и промышленных ядерных реакторов (Томск, Киев, Минск, ЛАЭС, ЧАЭС, САЭС и др.) [6, 10-18…	Меркурисов, Денис Игоревич	2003
Размерные эффекты в мезоскопических квантовых системах Когда электронная система заключена в конечный объем, появляется существенно новый энергетический масштаб, который приводит к возникновению размерных поправок, к транспортным и термодинамическим величинам. Эти поправки были объектами различных теоретических, а также экспериментальных исследований последних лет как в чистых, так и в неупорядоченных…	Махмудиан Махмуд Максуд	2003
Резонансные акцепторные состояния в напряженных полупроводниках и полупроводниковых структурах Было показано [6], что генерация терагерцевого излучения основана на переходах между основным резонансным и возбужденными локализованными акцепторными состояниями. Дело в том, что валентная зона одноосно деформированного германия расщеплена на подзоны легких и тяжелых дырок. Аналогично расщепляются и акцепторные состояния. При этом одна серия…	Прокофьев, Алексей Анатольевич	2003
Рост и спектрально-люминесцентные свойства монокристаллов Na0,4 (Y,R)0,6 F22 (R-редкоземельные ионы) в коротковолновом диапазоне длин волн …	Каримов, Денис Нуриманович	2003
Синтез и ионно-лучевая модификация алмазоподобных углеродных плёнок Вот почему сохраняется устойчивый и повышенный интерес к этим материалам, хотя со времени первых публикаций по алмазоподобным плёнкам прошло уже 30 лет. Естественно, что направленность работ существенно изменилась и они теперь в основном посвящены изучению возможности управления электронными свойствами алмазоподобных плёнок путем введения…	Базаров, Валерий Вячеславович	2003
Создание газовых сенсоров на основе тонких пленок диоксида олова Несмотря на многолетнюю историю исследований и попыток выпуска сенсоров на тонких пленках SnCb [6,7], проблема их надежного внедрения не может считаться решенной [8]. В основе проблемы лежат: чувствительность, стабильность и селективность, которые достаточно трудно реализуются одновременно и в большинстве случаев оптимизируются чисто эмпирически…	Сарач, Ольга Борисовна	2003
Создание и исследование источников спонтанного излучения на основе узкозонных гетероструктур InAsSb/InAsSbP, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений Для создания светодиодных структур, излучающих в диапазоне длин волн 3+5 мкм, главным образом, используются гетероструктуры 1пАб8Ь/1пА58ЬР [1-3]. Существование обширной области спинодального распада твердых растворов ¡пАвБЬР и ограничение по условию молекулярности для состава жидкой фазы в системе ЬьАз-БЬ-Р [4] затрудняет достижение эффективного…	Кижаев, Сергей Сергеевич	2003