Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10

Тема работы	Автор	Год
Динамика и устойчивость сильноточных инжекционных систем Впервые дано 1x2- мерное описание инжекционых процессов в опытных образцах р+р~пр+п++ - структур и указана возможность реализации двух принципиально различных инжекционных мод. Одной из них отвечает расслоение на виртуальный тиристорный слой с плазменным анодом и высокоомный слой с равновесной концентрацией носителей, а другой -образование особой…	Горбатюк, Андрей Васильевич	2002
Дырочные состояния в кубических полупроводниках и в низкоразмерных полупроводниковых гетероструктурах Известно, что вариационный метод позволяет получать довольно точные значения энергий уровней, но при этом с меньшей (и, фактически, неопределенной) точностью - соответствующие волновые функции, кроме того, вариационный метод не позволяет определять волновые функции непрерывного спектра. Таким образом, появляется самостоятельная задача построения…	Полупанов, Александр Федорович	2002
Идентификация механизмов токопереноса структур Me-a-Si: H при автоматизированной обработке экспериментальных данных Положения, выносимые на защиту; •результаты анализа отличительных характеристик и значений коэффициентов математических моделей физических механизмов переноса заряженных частиц в контакте металл - аморфный гидрогенизированный кремний…	Вихров, Дмитрий Сергеевич	2002
Инжекционные лазеры на основе самоорганизующихся квантовых точек Когда степень свободы движения носителей заряда уменьшается с помощью уменьшения размерности активной области, эффекты размерного квантования начинают сказываться на энергетическом спектре носителей и плотности состояний. В предельном случае ансамбля квантовых точек все носители заряда могут быть сосредоточены в очень узких энергетических…	Жуков, Алексей Евгеньевич	2002
Инжекционные лазеры с квантовыми точками, работающие в непрерывном режиме Создание структур с ограничением в двух или трех направлениях с технологической точки зрения представляет более сложную задачу. Как оказалось, современные методы литографии и травления не позволяют получать структуры с квантовыми проволоками и квантовыми точками, обладающими высоким совершенством гетерограниц [']. Ситуация коренным образом…	Михрин, Сергей Сергеевич	2002
Исследование влияния объемного заряда на характеристики тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе сульфида цинка, легированного марганцем …	Шляпин, Александр Владимирович	2002
Исследование влияния рентгеновского облучения на релаксационные и переключательные процессы в перовскитоподобных сегнетоэлектриках Таким образом, экспериментальное исследование спектров диэлектрической проницаемости в диапазоне частот 10"3 - 2-104 Гц для определения функции распределения релаксаторов по временам релаксации, изучение влияния рентгеновского облучения на ее вид, разработка моделей радиационного дефектообразования в диапазоне энергий 8-102 - 1.5-106 эВ является…	Тиллес, Ванда Феликсовна	2002
Исследование особенностей акустических, магнитных и электрических свойств магнитного полупроводника La0,825 Sr0,175 MnO3 вблизи структурных и магнитного фазовых переходов Несмотря на многочисленность исследований до настоящего времени нет полной картины физической природы KMC и механизма температурного изменения сопротивления. В настоящее время существуют две, во многом альтернативные модели, эффекта KMC. В первой из них KMC объясняется с помощью усовершенствования модели двойного обмена, дополненной эффектом…	Булатов, Альберт Рунарович	2002
Исследование процессов возбуждения предпробойной электролюминесценции в тонкопленочных электролюминесцентных структурах Проведенные теоретические и экспериментальные исследования тонкопленочных электролюминесцентных структур позволяют вынести на защиту следующие основные научные положения…	Давыдов, Рашит Ренатович	2002
Исследование процессов эпитаксиального роста четверных твердых растворов InGaAsP в области несмешиваемости Экспериментально определены границы области несмешиваемости твердых растворов Ini.xGaxAsyPi.y при выбранных условиях роста. Для слоев, полученных на подложках GaAs(OOl) при 750°С, это отрезок на изопериодической с GaAs прямой, соответствующий составам 0.05<у<0.60. Для слоев, осажденных на подложках InP(OOl) при 594°С, это отрезок на…	Мурашова, Алена Владимировна	2002
Исследование свойств тонких пленок фталоцианинов и методов их модифицирования для газовых сенсоров Поэтому, естественно, что комплексные, систематические исследования свойств пленок фталоцианинов в реальных условиях применения, а также возможностей методов их модифицирования являются важной и актуальной задачей…	Закамов, Вячеслав Робинович	2002
Исследование электрических и емкостных свойств слоев пористого кремния различной морфологии и пористости В четвертой главе описаны экспериментальные данные по изучению емкостных свойств ПК с применением тестовых структур с толстыми пористыми слоями. Показано, что емкость структур А1/ПК/МК/А1 с толстыми слоями ПК от 36 до 190 мкм не зависит от приложенного смещения. Частотная зависимость емкости s имеет два участка. В интервале 50 - 700 кГц емкость…	Комаров, Евгений Павлович	2002
Карбид кремниевый лавинно-пролетный диод Объектами исследования были карбид кремниевые диоды с р+-п-п+ эпитаксиальной структурой политипа 4H-SiC, выращенной на плоскости подложки, разориентированной относительно Si грани на 8° в направлении <1120…	Василевский, Константин Валентинович	2002
Локализация и баллистический транспорт носителей тока в кремниевых наноструктурах Методы молекулярно-лучевой эпитаксии легли в основу получения различных самоупорядоченных наноструктур, таких как кристаллографически ориентированные квантовые проволоки и системы квантовых точек, самоупорядочивающиеся непосредственно в процессе эпитаксиального роста двумерных слоев полупроводников AinBv и AnBVI [Ipatova et al, 1991, Shchukin…	Буравлев, Алексей Дмитриевич	2002
Люминесцентное детектирование неравновесных фононов в полумагнитных квантовых ямах В заключение автор считает своим приятным долгом выразить глубокую признательность своему научному руководителю - Андрею Владимировичу Акимову - за выбор направления исследований и руководство работой. Я также искренне благодарен Дмитрию Робертовичу Яковлеву за руководство моей работой в университете г. Вюрцбурга. Я искренне признателен Кучинскому…	Щербаков, Алексей Валерьевич	2002
Магнитооптика квазиодномерных и квазинульмерных полупроводниковых структур с примесными центрами Управляемые туннельные двухбарьерные структуры в полях импульсного лазерного излучения теоретически рассматривались в [10, 11]. Интерес к двухбарьерным структурам в импульсном поле обусловлен возможностью использования входящей последовательности оптических импульсов для кодирования информации, а также для передачи этой информации в виде…	Грунин, Александр Борисович	2002
Моделирование и исследование полупроводниковых приборов с N-образными вольт-амперными характеристиками Вследствие этого представляется важным проведение дальнейших разработок и исследования биполярных и биполярно-полевых N-приборов повышенной мощности в схемотехническом и интегральном исполнении, расширения их функциональных возможностей путем реализации на их основе приборов с симметричными N-образными ВАХ и приборов с несколькими участками ОДС…	Воробьева, Татьяна Альбертовна	2002
Моделирование и экспериментальные исследования долговременных изменений параметров кремниевых структур при ионизирующем воздействии Значительная часть инициированных ионизирующими излучениями долговременных процессов связана с захватом неравновесных носителей заряда на ловушки в объеме полупроводника или в изолирующем окисном слое полупроводникового прибора. Длительность долговременных процессов радиационного отклика в полупроводниковых приборах на примесном кремнии может…	Зыков, Владимир Михайлович	2002
Оптические исследования точечных дефектов в ионно-имплантированном GaAs и GaAs, полученном низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксией Другой проблемой материаловедения, требующей своего решения, является создание интегральных микросхем большой степени интеграции на основе арсенида галлия. Здесь, в связи с уменьшением размера каждого дискретного элемента, как и расстояния между ними, все большую роль начинает играть нежелательное взаимодействие этих элементов друг с другом. В…	Куницын, Александр Евгеньевич	2002
Оптические свойства квантовых нитей CdSe/Al2 O3 и квантовых точек CdSe/ZnSe Энергию связи экситона можно значительно увеличить, если заменить барьерный полупроводниковый материал квантовой нити на изолятор с малой диэлектрической проницаемостью. В такой системе "диэлектрическое усиление" экситонов связано с концентрацией кулоновской энергии взаимодействия электрона и дырки в диэлектрике (силовые линии электрического поля…	Шалыгина, Ольга Александровна	2002