Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10

Тема работы	Автор	Год
Механизмы релаксации электронов и фононов при переносе заряда и тепла в твёрдых растворах на основе висмута Легирование Bi изовалентной примесью Sb является удобным средством для рассмотрения влияния на фононную теплопроводность рассеяния фононов на атомах Sb, которое можно сравнить с влиянием изотопического рассеяния, поскольку висмут в природе встречается в виде моноизотопа и атомная масса Bi в 1.7 раза больше атомной массы Sb…	Родионов, Николай Антонович	2004
Моделирование электронной структуры квантовых точек Ge B Si Судя по количеству публикаций, среди гетеросистем с самоформирующимися массивами островков наиболее изучены системы ГпАб на подложке ваАв и Ое на подложке…	Ненашев, Алексей Владимирович	2004
Молекулярно-пучковая эпитаксия гибридных гетероструктур A2B6/InAs для лазеров среднего ИК-диапазона А1,Оа,1п)(Аз,8Ь) и соединений А В , с параметром кристаллической решетки близким к ГпАб (М§Сс18е, ХпХо), а также в разработке и оптимизации технологических режимов молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) этих соединений А2В6 с основным акцентом на проблеме формирования когерентного гетеровалентного интерфейса А3В5/А2В6…	Кайгородов, Валентин Анатольевич	2004
Морфология гетерограниц и транспорт двумерных электронов в GaAs квантовых ямах с AlAs/GaAs сверхрешёточными барьерами Недавно была предложена новая концепция подавления рассеяния на случайном потенциале легирующей примеси [2-4]. В рамках этой концепции подавление рассеяния ДЭГ в GaAs квантовых ямах достигается не только пространственным разделением областей легирования и переноса носителей заряда, но и экранировкой флуктуационного потенциала положительно…	Бакаров, Асхат Климович	2004
Накопление дефектов в облучаемом ионами кремнии при пониженной плотности каскадов смещений Подобный интерес связан с тем обстоятельством, что имплантация ионами столь низких энергий позволяет получать устройства, в которых толщина легированного слоя не превышает двух-трех десятков нанометров [5,6]. Потребность в таких устройствах назревает в связи с уменьшением геометрических размеров элементов современной микроэлектроники и переходу к…	Азаров, Александр Юрьевич	2004
Некоторые особенности взаимодействия электронов и фононов в сплавах на основе висмута при низких температурах Одним из наиболее широко применяющихся методов воздействия на свойства висмута и его сплавов висмут-сурьма является легирование активной примесью, которое позволяет изучать зонную структуру в широком энергетическом интервале и оптимизировать параметры чувствительных элементов приборов. Висмут и его сплавы с сурьмой находят практическое применение…	Зотова, Оксана Васильевна	2004
Оптическая спектроскопия водородных и углеродных центров в полупроводниках В то же время, в связи с разработкой новых устройств и технологически х процессов, повысились требования к точности управления свойствами материала посредством введения желательных дефектов. В научном отношении появление таких методов и приборов для экспериментальных исследований как емкостная спектроскопия в различных вариантах; приборов с…	Лавров, Эдуард Владимирович	2004
Особенности вертикального переноса электронов в сверхрешетках с контролируемым беспорядком Дополнительные возможности управления свойствами композиционных сверхрешеток возникают при их легировании. Например, в работе [3] изучался случай сверхрешетки СаАз-АЦСа^Аз, в которой широкозонные слои СаА1Аз легировались донорной примесью (модулированное легирование). Поскольку край зоны проводимости в ваАБ лежит ниже по энергии, чем донорные…	Борисов, Кирилл Евгеньевич	2004
Особенности электронно-энергетического строения наноразмерных структур на основе кремния и фосфидов типа А3В5 С другой стороны, пористые структуры на и А3В5, сформированные при помощи достаточно простого электрохимического метода, могут быть использованы как наноразмерные структуры типа квантовых нитей с высокой эффективностью фотолюминесценции, а также для согласования слоев с различными параметрами решётки…	Турищев, Сергей Юрьевич	2004
Перестраиваемые лазеры на основе гетероструктур InAsSb/InAsSbP, работающие в спектральном диапазоне 3-4 мкм Кроме того, излучение в этой области спектра имеет низкие оптические потери во флюоритных стеклах. Такой эффект связан с тем, что с ростом длины волны уменьшаются потери на релеевское рассеяние (~1А,4). Применение этих лазеров в средствах волоконно-оптической связи нового поколения на основе флюоритных стекол позволяет уменьшить величину…	Астахова, Анастасия Павловна	2004
Получение твердых растворов (SiC)1-x(AlN)x методом магнетронного распыления и исследование их свойств Псевдобинарные твердые растворы (81С)1.Х(А1Ы)Х позволяют существенно расширять диапазон важнейших электрофизических свойств 81С, открывают большие возможности при создании новых оптоэлектронных и высокотемпературных приборов[1,2]. В них путем изменения состава возможно в широких пределах управлять оптическими и электрическими свойствами…	Гусейнов, Марат Керимханович	2004
Преципитация кислорода в кремнии, легированном цирконием …	Гришин, Александр Геннадьевич	2004
Процессы на поверхности кремния при низкоэнергетическом ионном воздействии в условиях молекулярно-лучевой эпитаксии В настоящее время считается установленным, что рост плёнок в присутствии, низкоэнергетического ионного облучения (НИО) характеризуется снижением температуры эпитаксии, уменьшением высоты рельефа поверхности, увеличением коэффициента встраивания примеси в растущую плёнку, сменой механизма роста плёнки. НИО успешно применяется для контролируемого…	Зиновьев, Владимир Анатольевич	2004
Разработка и экспериментальная проверка статической модели расчёта максимального управляемого тока МОП тиристора В данной работе на основе спроектированного и испытанного МОП управляемого тиристора предлагаются топологические, модельные и физические решения, имеющее общее значения для силовой электроники…	Чернявский, Евгений Вадимович	2004
Разработка физических основ применения ионно-стимулированных процессов для синтеза и модификации оптических материалов Как показали исследования, наиболее серьезным отрицательным эффектом, возникающим при ионной имплантации в отражающие покрытия, является повышение их светорассеяния. Светорассеяние является одним из основных эксплуатационных характеристик отражающих покрытий и это накладывает, как нигде больше, принципиальное ограничение на методы обработки…	Файзрахманов, Ильдар Абдулкабирович	2004
Распространение и локализация света в фотонных микроструктурах Простейшим, одномерным образцом ФК является брэгговский отражатель -периодическая последовательность пар слоев четвертьволновой толщины. Изменение плотности фотонных мод вследствие периодической модуляции показателя преломления -появление «брэгговской щели» в плотности фотонных состояний - было впервые использовано для создания лазера с…	Калитеевский, Михаил Алексеевич	2004
Резонансное туннелирование в гетероструктурах с латеральными неоднородностями Кроме того, в последнее время появилось большое число теоретических и экспериментальных работ, в которых предлагается использовать резонансно-туннельные структуры (РТС) в качестве логических элементов [9]. Монолитный синтез РТС с транзисторными структурами открывает большие возможности в создании приборов со сложными логическими функциями…	Цибизов, Александр Геннадьевич	2004
Самоупорядоченные наноразмерные структуры на основе твердого раствора кремний-германий, полученные методом ионной имплантации Метод ионной имплантации (ИИ) с последующим высокотемпературным отжигом является одним из перспективных методов получения гете-роструктур вообще и наноструктур с SiGe квантовыми точками (КТ) в частности. Многочисленные преимущества метода ИИ по сравнению с традиционными методами осаждения (возможность проведения имплантации сквозь покрытия, меньше…	Иржак, Артемий Вадимович	2004
Свойства 3d-примесей в широкозонных алмазоподобных полупроводниках на примере железа в фосфиде галлия Алмазоиодобиые соединения имеют наибольшее значение, конечно, не в тех областях, в которых успешно используются Si и Ge, а в тех применениях, которые зависят от их уникальных свойств. Например, компенсированные широкозопные полупроводники GaAs<Cr>, InI'<Fc>, GaP<Cu>, AIAs<Fe> используются в качестве иолуизолирующих подложек в интегральных…	Чигинева, Анна Борисовна	2004
Спин-зависимые и нелинейно-оптические явления при внутризонном поглощении в полупроводниковых структурах Воздействие субмиллиметрового излучения приводит и к росту температуры электронного газа в полупроводнике. Однако, более эффективный разогрев свободных носителей заряда достигается при поглощении излучения миллиметрового диапазона, то есть при воздействии электрического СВЧ поля. Рост энергии носителей заряда изменяет как параметры электронного…	Бельков, Василий Валентинович	2004