Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10

Тема работы	Автор	Год
Пикосекундная суперлюминесценция и ее влияние на изменение прозрачности GaAs Поскольку GaAs является прямозонным полупроводником, то можно предполагать, что все обнаруженные нами эффекты характерны для данного класса соединений. Это подтверждают опыты [44] со сплавом GaxIni.xAsyPiy, выполненные после наших экспериментов…	Агеева, Надежда Николаевна	2005
Пикосекундные инжекционные лазеры с пассивной модуляцией добротности и синхронизацией мод В работе изучаются полупроводниковые лазеры с насыщающимся поглотителем, нелинейные свойства которого используются для генерации мощных шкосекундных импульсов света за счет пассивной модуляции потерь в лазерном резонаторе, периодических пикосекундных или субпикундных…	Губенко, Алексей Евгеньевич	2005
Полупроводниковые гетероструктуры с Ge/Si квантовыми точками для излучающих приборов на основе кремния Несмотря на то, что германий, как и кремний, обладает непрямой структурой энергетических зон, и гетеропереход Ge/Si - второго типа (Ge для дырок представляет потенциальную яму, а для электронов - барьер), нановключения Ge могут формировать гетеропереход I-типа. Такая ситуация характерна для Ge смачивающего слоя [5], остающегося на поверхности…	Тонких, Александр Александрович	2005
Получение и свойства гетероструктур на основе многокомпонентных антимонидов А3В5 с низкой термодинамической устойчивостью В заключении мне бы хотелось выразить благодарность за руководство и помощь на всех этапах работы моему научному руководителю, профессору Кузнецову В.В…	Когновицкая, Елена Андреевна	2005
Поляризационная спектроскопия полупроводниковых микрорезонаторов Фабри-Перо на основе гидрогенизированного аморфного кремния Перспективными материалами для высококонтрастных MP являются соединения на основе кремния. Большая разница показателей преломления кремния («=3.5) и его оксида («=1.5), позволяет создавать высококонтрастные MP. Для изготовления светоизлучающих кремниевых структур на область 1.5 мкм (стандартная длина волны в системах оптических телекоммуникаций…	Дукин, Александр Анатольевич	2005
Примесная люминесценция в арсениде галлия и низкоразмерных структурах на его основе В силу высокой чувствительности электронных свойств полупроводников к электрически активным примесям актуальной является задача идентификации примесей в нелегированных полупроводниках, определении источников и механизмов вхождения и поиск путей уменьшения концентрации «фоновых» примесей. В связи с этим необходимо развивать методики, обеспечивающие…	Журавлев, Константин Сергеевич	2005
Процессы излучательной рекомбинации в пленках оксида цинка и гетероструктурах на их основе Особый практический интерес представляет собой исследование р-п гетеропереходов на основе ZnO. Такие гетероструктуры обычно получаются путем эпитаксиального выращивания ZnO n-типа проводимости на других полупроводниках р-типа проводимости с близкими параметрами кристаллической решетки. Однако, такие структуры изучены очень мало…	Аливов, Яхия Ибрагимович	2005
Процессы испарения и кристаллизации окисных слоёв на германии Процесс ускоряется в 10 -10 раз по сравнению с испарением сплошных аморфных слоев в случаях, когда граница раздела Се/Се02 открыта на атмосферу. Это испарение вблизи края несплошной плёнки, а также случай плёнки веОг, содержащей ве в избытке в виде микрочастиц. При любом испарении все латеральные перемещения агентов реакций вдоль образца…	Горохов, Евгений Борисович	2005
Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHg1-xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии Необходимо также отметить, что основные тенденции развития современной микроэлектронной промышленности в области оптоэлектроники направлены на разработку высокоэффективных многоэлементных полупроводниковых детекторов излучения, обеспечивающих обработку сигнала непосредственно в фокальной области фотоприемного устройства [3,4, 5]. При этом для…	Григорьев, Денис Валерьевич	2005
Радиоэлектрический эффект в гетероструктурах карбид кремния на кремнии Карбид кремния (SiC) - полупроводниковый материал по совокупности электрофизических, физико-химических, технических и технологических свойств являющийся одним из наиболее интересных материалов для электронной техники. По основным параметрам: ширине запрещенной зоны, теплопроводности, допустимой температуре, скорости дрейфа электронов SiC…	Щербак, Андрей Владимирович	2005
Размерное квантование и туннелирование электронов в фотоэмиссии из p+-GaAs(Cs,O) Экспериментальные подтверждения предположений, высказывавшихся в [4,5], были получены сравнительно недавно [8,10] в результате измерений фотоэмиссии при криогенных температурах с использованием энергоанализатора с высоким разрешением по продольной энергии электронов. Важная роль верхнего уровня размерного квантования в ОПЗ и испускания оптических…	Андреев, Вячеслав Эдуардович	2005
Расчет энергетических характеристик гетероструктур и барьеров Шоттки, сформированных на политипах карбида кремния В результате проведенных исследований оказалось, во-первых, что зависимость <ЫД) определяется вакансиями в подрешетке кремния, уровень которых Ed изначально (до контакта с металлом) не заполнен. Во-вторых, было установлено, что с ростом степени гексагональности D от 3C-SiC (Z) = 0) до 2Н- SiC (D = 1) уровень Ed смещается к потолку валентной зоны…	Посредник, Олеся Валерьевна	2005
Светодиоды и фотоприемники для средней ИК-области спектра на основе изопериодных гетероструктур II типа в системе GaSb-InAs Создание достаточно эффективных светодиодов, перекрывающих диапазон 1.6-5.0 мкм дает ряд бесспорных преимуществ создателям оптических газоанализаторов. Светодиоды обладают на три порядка более высоким быстродействием, миниатюрными размерами, низкой потребляемой электрической мощностью, простотой конструкции (не нужны фильтры и вакуум вокруг…	Стоянов Николай Деев	2005
Свойства пленок оксидов редкоземельных элементов и кремниевых МДП-структур на их основе В настоящее время в качестве диэлектрика в МДП-структурах широко используется двуокись кремния. Этот диэлектрик, получаемый высокотемпературным окислением кремния, имеет хорошие пассивирующие, защитные и маскирующие свойства. К достоинствам двуокиси кремния, связанным с использованием в качестве подзатворного диэлектрика, относятся высокое…	Родионов, Максим Александрович	2005
Структура и электрофизические свойства кристаллов теллура и сплава Te80Si20, полученных при разных уровнях гравитации Теллур - анизотропный материал, пространственная группа Dj(6) перспективный для оптоэлектронных устройств ИК-диапазона, в частности, как элемент акустооптических преобразователей [4]. Однако, практическое применение теллура сдерживает то обстоятельство, что этот полупроводник известей исключительно как полупроводник р-типа. Минимальная достигнутая…	Якимов, Сергей Владимирович	2005
Теория фотоэлектрических явлений, обусловленных отсутствием центральной симметрии среды Таким образом, требовалась новая идея для объяснения эффекта. Все известные механизмы влияния света сводились к изменению проводимости или концентрации носителей. Движущей силой для тока являлось либо внешнее электрическое поле, либо градиент концентрации. Одновременно в двух группах теоретиков [13] и [А1,14] возникла идея о том, что в присутствии…	Энтин, Матвей Вульфович	2005
Формирование многослойных гетерофазных структур в имплантированном ионами кремнии Это обусловлено тем, что замена пластин кремния, основного полупроводникового материала микроэлектроники, на КНИ структуры обеспечивает как существенное улучшение технико-экономических характеристик микроэлектронных приборов (повышение быстродействия, уменьшение энергопотребления, повышение надежности, уменьшение геометрических размеров…	Попов, Владимир Павлович	2005
Фотоплеохроизм алмазоподобных полупроводников и поляриметрические структуры на их основе НК ( ВК ) - низкотемпературная ( высокотемпературная ) кристаллизация, ТО - термообработка, КТП - конверсия типа проводимости, а , с - параметры элементарной кристаллической ячейки , т - тетрагональная деформация решетки, Pcd, Pas - парциальное давление паров Cd ( As ), c-Si ( Р Si, a-Si) - кристаллический ( пористый, аморфный ) кремний, Тп ( Тт…	Рудь, Василий Юрьевич	2005
Электронные и оптические свойства нерегулярных сверхрешеток на основе полупроводниковых соединений групп A3B5 и A2B6 Основные электронные и оптические свойства регулярных полупроводниковых сверхрешеток к настоящему времени хорошо изучены, как экспериментально, так и теоретически (см., например, [6*]). Однако часто интерес представляет исследование свойств квази-сверхрешеточных структур, в которых строгая периодичность потенциала нарушена. Эти нарушения могут…	Торопов, Алексей Акимович	2005
Электрофизические свойства нетрадиционных диэлектрических слоев (ионно синтезированный SiO2 и HfO2, ZrO2, Al2O3) на поверхности кремния У этих задач имеется одна общая особенность, а именно, и в том и в другом случае предполагается использование одних и тех же диэлектрических слоев и/или многослойных диэлектриков. К числу таких слоев относятся НЮ2, Zr02, А1203, а также их комбинации с полученным различными способами на поверхности кремния слоем S1O2. Кроме того, решение обеих…	Дмитриев, Валентин Александрович	2005