Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10

Тема работы	Автор	Год
Эффект замороженной туннельной фотопроводимости в двумерной электронной системе приповерхностного δ-легированного слоя в GaAs Эффект замороженной, или удержанной (persistent), фотопроводимости (ЗФП) наблюдался, как правило, в n-легированных GaAs и AlGaAs структурах. ЗФП проявляется в виде изменения проводимости после облучения образца излучением видимого, инфракрасного или рентгеновского диапазонов [2]. В литературе этот эффект объяснялся за счёт влияния примесных…	Дижур, Сергей Евгеньевич	2006
Эффекты памяти в спиновой динамике двумерных электронов Рис. 1: Механизм релаксации Дьяконова-Переля. При рассеянии на примесях импульс электрона и, соответственно, направление оси прецессии спина меняются случайным образом, что приводит к угловой диффузии вектора спина. ление спектра по спину описывается следующим слагаемым в гамильтониане…	Любинский, Илья Семенович	2006
Эффекты спин-орбитального взаимодействия в двумерных полупроводниковых системах Именно в полупроводниках были теоретически открыты и экспериментально исследованы ориентация спинов светом (оптическая ориентация) [3] и электрическим током [4, 5]. Базой полупроводниковой спинтроники являются, прежде всего, низкоразмерные системы — гетероструктуры, квантовые ямы, точки и т.д. Эти объекты можно получать с заранее заданными…	Голуб, Леонид Евгеньевич	2006
Анизотропия магнитооптического поглощения в полупроводниковых многоямных квантовых структурах с примесными молекулами В работе [15] в рамках простейшей модели показано, что асимметричная квантовая структура в магнитном поле представляет собой объект с нетривиальной макроскопической симметрией и необычными микроскопическими характеристиками: асимметричная система КЯ в магнитном поле, параллельном слоям, может обладать аномально большими фотогальваническим и…	Евстифеев, Василий Викторович	2005
Атомная и электронная структура наноформ на основе кремния В настоящее время экспериментальное исследование атомной структуры кластеров вообще, и кремниевых (кремний-металлических) в частности, является крайне сложной задачей. Экспериментальные исследования электронной структуры кремниевых и кремнийметаллических кластеров, инкапсулированных атомами переходных металлов, проводились методом фотоэлектронной…	Борщ, Надежда Алексеевна	2005
Вейвлет-анализ шумовых процессов в полупроводниковых структурах Наиболее распространенным методом анализа шумовых процессов до настоящего времени было представление их в виде спектральной плотности мощности шума (СПМШ) [1], которую можно измерить с помощью панорамных приборов или найти с помощью фурье-преобразования временного ряда шумового сигнала. Особенно информативны данные по низкочастотным шумам, которые…	Кукоев, Игорь Юрьевич	2005
Взаимная диффузия в GexSi1-x/Si гетероструктурах, выращенных методом МЛЭ Кроме того, осуществление возможности изготовления подложек GexSij-x /Si с малым количеством дефектов для последующего синтеза эпитаксиальных слоёв прямозонного полупроводникового материала GaAs позволит совместить достижения приборной технологии А3В5 с кремниевой технологией…	Кеслер, Валерий Геннадьевич	2005
Влияние состояния ионов и дефектов нестехиометрии на электромагнитные явления в ферримагнитных полупроводниках Валентное и спиновое состояние ионов переходных металлов, и прежде всего железа, тесно связанное с отклонениями от стехиометрии по катионному составу и кислороду, определяет электрические параметры, магнитооптическую добротность и другие свойства рассматриваемых материалов, а также, в значительной степени, существование и характеристики…	Булатов, Марат Фатыхович	2005
Влияние субмонослойных металлических пленок на работу выхода полупроводниковых материалов В главе 2 формулируется модель расчета заряда адатомов и изменения работы выхода системы в функции от степени покрытия поверхности а адатомами. Приводятся результаты расчетов адсорбции 1л, Ыа, К, ЛЬ и сб на…	Павлык, Александр Владимирович	2005
Газовые сенсоры на основе пленок SnO2-x для "Электронного носа" Несмотря на большое число статей, посвященных физико-химическим проблемам работы оксидных сенсоров, и моделям гетерогенных реакций на их поверхности до настоящего времени не существует однозначного понимания особенностей этих реакций, что не в последнюю очередь связано с большим набором методов получения оксидных пленок для газовых сенсоров и…	Слепнева, Марина Анатольевна	2005
Газочувствительные полупроводниковые нанокомпозиты на основе диоксида олова, сформированные методами золь-гель технологии Промышленностью освоено изготовление приборов газового контроля методами керамической и толстопленочной технологии. Некоторыми фирмами производится выпуск резистивных микроэлектронных датчиков в интегральном исполнении. Резистивные сенсоры обладают неоспоримыми достоинствами, основными из которых являются простота изготовления и низкая…	Максимов, Александр Иванович	2005
Гетеропереходы II типа на основе узкозонных полупроводников A3B5 Известно, что гетероструктуры II типа в системе твердых растворов Ga-In-As-Sb могут образовывать гетеропереходы со ступенчатым и разъединенным расположением зон на границе раздела [8-10]. Если в гетеропереходе I типа узкозонный полупроводник как бы «вставлен» в широкозонный, и при этом скачки потенциала на гетерогранице направлены в разные…	Моисеев, Константин Дмитриевич	2005
Глубокоохлаждаемые фотоприемники на основе антимонида индия Отзывы (в двух экземплярах, заверенные печатью организации) просим направлять по адресу: 111250, г. Москва, ул. Красноказарменная, д. 14, Ученый совет МЭИ…	Мирошникова, Ирина Николаевна	2005
Двухволновая модуляционная спектроскопия неравновесных электронов в полупроводниковых структурах С начала 60-х годов прошлого столетия эти методы применялись для исследования «однородных» материалов (полупроводников, диэлектриков и металлов). В ходе исследований выяснилось, что даже однородные по составу материалы по физическим свойствам неоднородны. Так, однородные по составу полупроводниковые пленки могут содержать слои с различающимися…	Черников, Максим Александрович	2005
Дефектообразование в кремнии при облучении альфа-частицами с энергией 5,4 МэВ Так как радиационное дефектообразование сопровождается появлением в запрещенной зоне полупроводника локальных энергетических уровней, то облучение кремния альфа-частицами изменяет в широких пределах электрофизические характеристики полупроводника, такие как электропроводность, тип проводимости, концентрация, подвижность и время жизни носителей…	Скаляух, Ольга Вячеславовна	2005
Динамика электронных состояний в слоистых системах на основе эпитаксиальных феррит-гранатовых пленок Было установлено, что многие динамические характеристики доменных структур и ячеистых структур с характерными размерами 3-30 мкм существенно улучшаются в многослойных пленках, полученных методом ионной имплантации первоначально однородных приповерхностных эпитаксиальных слоев ЭПФГ. Имеются в виду эффекты подавления «жестких» ЦМД за счет…	Кожухарь, Анатолий Юрьевич	2005
Дифосфид цинка-германия: синтез, кристаллизация и исследование дефектов структуры Все эти свойства делают материал очень перспективным для параметрического преобразования частоты лазерного излучения в области 0,8 -11 мкм. Высокая теплопроводность материала и слабая температурная зависимость показателей преломления позволяют использовать оптические пучки высокой мощности. Наиболее сильно преимущества кристаллов Zr\GQ?2…	Верозубова, Галина Александровна	2005
Излучательная и безызлучательная рекомбинация в длинноволновых лазерных гетероструктурах пониженной размерности, выращенных на подложках GaAs Использование InAs/GaAs квантовых точек (КТ) в качестве активной области притягивает большое внимание, обусловленное тем, что использование эффекта спонтанной трансформации слоя InAs в массив трехмерных островков позволяет в лазерных структурах на подложках GaAs достичь длины волны 1.3 мкм [6]. Теоретические расчеты предсказывают для лазеров на…	Новиков, Иннокентий Игоревич	2005
Исследование нанокомпозитных металлополимерных слоев, синтезированных высокодозной имплантацией ионов 3d-элементов Чрезвычайно высокая химическая активность металлических наноразмерных частиц, наряду со способностью самопроизвольно объединяться с потерей нанокристаллических свойств, делают актуальной задачу стабилизации таких наночастиц; наиболее удобными для этих целей считаются полимерные матрицы различного типа. Материалы, содержащие нанометровые частицы…	Хабибуллина, Наиля Рашидовна	2005
Исследование неравновесных электронных процессов в германии с примесями халькогенов Если в исходный низкоомный материал n-или р-типа ввести глубокую примесь в концентрации, сравнимой с концентрацией исходной мелкой примеси, то вследствие перераспределения носителей тока между мелкими и глубокими примесными состояниями можно получить компенсированный материал с высоким удельным сопротивлением…	Радчук, Наталия Борисовна	2005