Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10

Тема работы	Автор	Год
Исследование структурных и электрофизических характеристик пленок на основе α-Si:H, полученных в плазме НЧ разряда Эти проблемы связаны между собой и обусловлены тем, что до сих пор, в; большинстве случаев, остаются не объяснимыми закономерности формирования и последующей эволюции структуры a-Si:H. Это выражается в отсутствии способов описания взаимосвязи между структурой, электрофизическими, физико-химическими свойствами материалов и условиями их роста…	Уточкин, Иван Геннадьевич	2005
Исследование физических процессов в P-I-N-гетероструктурах на основе органического полупроводника CuPc и неорганического полупроводника GaAs В качестве неорганического полупроводника был выбран ваАБ, а в качестве органического полупроводника - фталоцианин меди (СиРс). Выбор компонентов для рч-п-гетероструктуры органический - неорганический полупроводник обусловлен, прежде всего, для органического полупроводника — присущей фталоцианину меди уникальной сочетаемости в себе широкого…	Штрекерт, Ольга Юрьевна	2005
Исследование фотоэлектрических процессов в фотоприемниках на основе диодов Шоттки и приборов с зарядовой связью В последнее время активно исследуют барьеры Шоттки, в которых в качестве металлического электрода используется золото в сочетании с различными типами полупроводниковых материалов [16-23]. Интерес исследований связан с потребностью создания фотоприёмников с широкой спектральной характеристикой фоточувствительности, охватывающий как…	Уздовский, Владимир Валерьевич	2005
Исследование электрических и электролюминесцентных характеристик гетероструктур на основе нитрида галлия Разработка модели туннельной рекомбинации для гетероструктур с КЯ и определение основных механизмов токопереноса в гетроструктурах на основе GaN. Исследование особенностей электрических и электролюминесцентных характеристик изучаемых структур…	Логинова, Екатерина Александровна	2005
Исследование электронных свойств бесщелевых CdxHg1-xTe, HgTe, HgSe и узкощелевых (TlBiS2)x - (TlBiSe2)1-x полупроводников методом эффекта поля в системе полупроводник - электролит Для соединения HgSe вопросы о характере закона дисперсии валентной зоны тяжелых дырок и о величине эффективной массы тяжелых дырок также остаются открытыми. Более того, в сравнительно недавней экспериментальной работе [12] был подвергнут сомнению бесщелевой характер зонной структуры этого соединения, однако последующие работы [13, 14], посвященные…	Шевченко, Ольга Юрьевна	2005
Исследование эффективности InxGa1-xN/GaN светодиодов В ходе исследований на основе отдельных кристаллов GaN были получены: антистоксовые свето диоды [7], поверхностный волновой акустический генератор [8] и солнечно-слепой ультрафиолетовый фотодетектор. Несмотря на эти достижения, проводящий р-GaN был все еще недоступен, и это в значительной степени ограничивало приборное применение нитрида галлия…	Ефремов, Артем Александрович	2005
Магнетотранспортные свойства непланарного двумерного электронного газа в модулированных полупроводниковых структурах Хорошо известно, что теоретический анализ магнетосопротивления (МС) вырожденного ДЭГ в рамках кинетического уравнения Больцмана в приближении времени релаксации приводит к независимому от магнитного поля В выражению Друде: рхх(В) = р0 = rnle2nvtr, где п - концентрация носителей заряда, т -эффективная масса, т,г - транспортное время релаксации…	Горан, Андрей Васильевич	2005
Магнитооптика квантовых проволок и сужений с D-- и D-2-центрами Рис.2 Зависимость энергии связи -центра от величины магнитного поля [12]. магнитофотопроводимости (в относительных единицах) одного из исследованных в работе [12] образцов. Наблюдаются серии осцилляций, квазипериодических по величине обратного магнитного поля. Положение пиков отражает рост энергии связи -состояний при увеличении магнитного поля…	Марко, Антон Александрович	2005
Магнитооптические свойства квазиодномерных структур с водородоподобными примесными центрами Многочисленные способы создания КП [1,2] могут быть условно разделены на две основные группы: 1) создание КП путем травления исходных двумерных структур; 2) формирование КП непосредственно в процессе выращивания полупроводниковой структуры. Методы, относящиеся к первой группе, обладают несомненными преимуществами, которые особенно важны на этапе…	Калинин, Евгений Николаевич	2005
Массоперенос в полупроводниковых материалах с участием жидкой фазы Расплавленные области сворачиваются в капли и вытесняются током вдоль или против силовых линий электрического тока. Причем воздействие постоянного электрического тока имеет некоторые отличия от влияния импульсного [9-11], что практически не рассмотрено в специальной литературе…	Саланов, Андрей Александрович	2005
Механизмы модификации электронной структуры, светоизлучающих свойств и состава поверхности пористого кремния в процессе водного дотравливания Одной из самых существенных причин, сдерживающей применение пористого кремния, является существенная нестабильность светоизлучательных характеристик при различных внешних воздействиях. Именно с этим связано наблюдаемое в последние пять лет повышение интереса к разработке различных способов стабилизации светоизлучения пористых полупроводников…	Апполонов, Сергей Владимирович	2005
Моделирование гетероперехода и сверхрешетки на основе ферромагнитного полупроводника EuS и парамагнитного полупроводника SmS Далее, в 2000-м году журнал «Physics World» опубликовал наиболее перспективные и актуальные проблемы исследования в физике. К их числу отнесены исследования в физике полупроводников, связанные с возможностью переноса пространственно ориентированного спина электрона из ферромагнитного материала в парамагнетик. Это обстоятельство определяет…	Парамонов, Андрей Викторович	2005
Молекулярно-пучковая эпитаксия и оптимизация метаморфных гетероструктур InxAlyGa1-x-yAs/GaAs для применений в приборах микро- и оптоэлектроники Однако, подложки InP по сравнению с GaAs обладают существенными недостатками, такими как меньший размер коммерчески доступных пластин, г высокая хрупкость и высокая цена, что затрудняет производство приборов на их основе. В связи с этим возрос интерес к так называемым метаморфным структурам на подложках GaAs. Использование специфических…	Семенова, Елизавета Сергеевна	2005
Нанооболочки и прецизионные наносистемы на основе напряженных гетероструктур Теоретически и экспериментально исследовать упругие, электрические и квантовые свойства созданных полупроводниковых и металлических наноструктур и систем…	Принц, Виктор Яковлевич	2005
Нелинейные процессы и самоорганизация диссипативных структур в системах полупроводник - газоразрядный промежуток Я - длина волны (излучения; пространственной структуры) Л - длина волны диссипативной структуры е -энергия; относительная диэлектрическая проницаемость 3)-диэлектрическая проницаемость вакуума а - первый коэффициент ионизации Таунсенда; коэффицент поглощения света; показатель степени р - показатель степени у - второй коэффициент ионизации…	Астров, Юрий Александрович	2005
Неравновесная проводимость полупроводников и структур металл - полупроводник - металл Малоизучены аккомодация энергии электронами проводимости при столкновении атомных частиц с поверхностью твердых тел и ее роль в каталитическом ускорении гетерогенных химических превращений на границе твердых тел и газов. Соответствующие методы исследований вследствие технических сложностей (доля возбужденных электронов от общего числа электронов…	Ромашин, Сергей Николаевич	2005
Оптические свойства гетероструктур InGaAsN на основе GaAs Несмотря на явный прогресс в создании приборных структур с соединениями InGaAsN в качестве активной области, до настоящего времени существуют открытые вопросы в области фундаментальных свойств используемого материала и свойства соединения (In,Ga)AsN являются предметом интенсивных теоретических и экспериментальных исследований. На настоящий момент…	Крыжановская, Наталья Владимировна	2005
Оптоэлектронные полупроводниковые структуры с микрорезонаторами и насыщающимися поглотителями Технология уже достигла достаточного прогресса в изготовлении структур (в том числе лазерных), которые основаны на взаимодействии носителей и фотонов пониженной размерности. Таким образом, актуальными становятся вопросы разработки адекватного теоретического аппарата и моделирования подобных структур…	Николаев, Валентин Вячеславович	2005
Особенности спин-орбитального взаимодействия в сложных гетероструктурах Дельта легирование гетероструктур, в свою очередь, позволяет изучать влияние потенциала структуры на локализованную на примеси частицу. Системы, сочетающие в себе примеси и гетероструктуры, весьма интересны как для экспериментального, так и для теоретического исследования. В них, помимо собственно потенциала точечного дефекта, который очень сложно…	Романов, Константин Сергеевич	2005
Особенности электронного строения аморфных пленок кремния и карбидов кремния Пленки a-Si:H и a-SixCi.x:H обычно получают катодным распылением (при постоянном токе и при токах высокой частоты- ВЧ), химическим осаждением из газовой фазы (ХОГ- CVD), плазмохимическим осаждением из газовой фазы (ПХО- PECVD) и др. Разрабатываются и другие методы получения аморфных пленок. Например, в последние годы широкое распространение…	Курило, Оксана Васильевна	2005