Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10

Тема работы	Автор	Год
Развитие рентгеновской дифрактометрии и рефлектометрии высокого разрешения для исследования многослойных гетероструктур Как известно [3], для прямоугольной потенциальной ямы с бесконечно высокими стенками собственные значения энергии электрона Ех зависят от толщины потенциальной ямы / и эффективной массы электронов т как…	Ломов, Андрей Александрович	2006
Рекомбинационные процессы в однослойных массивах InAs/GaAs квантовых точек Основные задачи: Для достижения поставленной цели в данной работе решались следующие задачи: изготовление методом молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур InAs/AlGaAs, содержащих высококачественные массивы квантовых точек InAs с различным характерным размером; исследование характера зависимости эффективности люминесценции и времени жизни…	Школьник, Алексей Сергеевич	2006
Рекомбинационные процессы в структурах на основе твердого раствора InGaN Преимуществом осветительных СД-приборов на основе GaN и его твердых растворов является малое потребление энергии, малое тепловыделение, вибростойкость, отсутствие специальных патронов, достаточная гамма излучения, высокая долговечность, широкий диапазон рабочих температур (от -40° до +85 °С…	Потанахина, Любовь Николаевна	2006
Светоизлучающие приборы на основе квантовых точек InGaN: технология эпитаксиального выращивания и исследование свойств Огромные потребности рынка светоизлучающих приборов видимого диапазона стимулируют работы по созданию и усовершенствованию высокоэффективных полупроводниковых источников света. К ним относятся, прежде всего, лазеры и светоизлучающие диоды. Для создания лазеров и светодиодов видимого диапазона весьма перспективной является полупроводниковая система…	Сизов, Дмитрий Сергеевич	2006
Свойства высокотемпературных омических контактов к гетероструктурам 3C-SiC/Si Технологические подходы к получению полупроводниковых структур на основе монокристаллических подложек SiC и на основе гетероструктур на кремниевых подложках разнообразны. Кроме того, технологический фактор определяющим образом влияет на возможности разработки определенного класса приборов, а также на электрофизические характеристики омических…	Колесникова, Анна Алексеевна	2006
Свойства пленочных микро- и наноструктур с диэлектрическими слоями на основе оксидов редкоземельных элементов Для уровня технологии 90 нм в полевых транзисторах логических ИМС толщина подзатворного диэлектрика уменьшается до значений 1,2-1,8 нм [3]. При таких малых толщинах SiC>2 из-за прямого туннелирования резко возрастает ток утечки затвора, который становится больше предельно допустимого значения [4…	Гурьянов, Александр Михайлович	2006
Спектроскопия самоорганизующихся INAS/GAAS квантовых точек в полупроводниковых лазерных структурах Оптическая спектроскопия полупроводников и низкоразмерных полупроводниковых гетероструктур, основанная на исследовании взаимодействия света с кристаллами, сыграла основную роль в развитии представлений о строении и уровнях энергии собственных состояний вещества. Р…	Савельев, Артем Владимирович	2006
Структура и электрофизические свойства полупроводниковых металлооксидных нанокомпозитов при взаимодействии с газами Об интересе мировой научной общественности к проблемам газовой сенсорики говорят ежегодные конференции Eurosensors, проходящие каждые два года конференции Transducers, а также East Asia Conferences on Chemical Sensors, проводимые каждые два года в Азии, и многочисленные региональные, в том числе и российские, конференции по сенсорам газов…	Рембеза, Екатерина Станиславовна	2006
Структура, параметры и физико-химическая природа центров с глубокими уровнями в соединениях A2B6 Таким образом, проблема глубоких центров и связанная с ней необходимость определения физико-химической природы, структуры, характеристических параметров и построение моделей генерационно-рекомбинационных процессов в полупроводниках со сложным энергетическим спектром локализованных состояний и нарушенной трансляционной симметрией кристаллической…	Хамидов, Марасилав Магомедович	2006
Термоактивационные процессы с участием медленных электронных ловушек в халькогенидах цинка Как отмечалось выше, исследование медленных ловушек осуществляется методами термоактивационной спектроскопии. Теория этих методов создавалась в 50-ые годы прошлого века и не полностью учитывает возможные генерационно-рекомбинационные процессы с участием электронных ловушек в реальных полупроводниках. Последнее обстоятельство создает трудности как…	Камалудинова, Халимат Эхоевна	2006
Транспортные свойства гетероструктур на основе магнитных полупроводников В сверхрешетках, наряду с размерными эффектами, проявляются и туннельные, что связанно с межъямным просачиванием электронов сквозь разделяющие их барьеры. Такие системы часто называют новым типом полупроводника, из-за особенностей их «зонной структуры», которая разбивается под влиянием сверхрешеточного потенциала на минизоны [7-10]. Сверхрешетки…	Ермолов, Алексей Викторович	2006
Фотолюминесцентные свойства ионов эрбия в слоях твердых растворов кремний-германия и в структурах с кремниевыми нанокристаллами Полученные в работе новые результаты являются важными как для понимания фундаментальных электронных и оптических свойств легированных эрбием кремниевых структур, так и в прикладном плане - как следующий шаг на пути создания компактных диодов, оптических усилителей и лазеров, совместимых с кремниевой технологией и системами телекоммуникации…	Жигунов, Денис Михайлович	2006
Фотолюминесценция в поликристаллических слоях на основе твердых растворов селенида свинца-селенида кадмия Область применения таких приборов охватывает множество технологических задач, где необходим постоянный контроль газового состава атмосферы, а в последнее время все большее значение приобретает экологический мониторинг. Необходимость обеспечения экологической безопасности подтверждается Киотским соглашением, подписанным большинством стран, в том…	Гамарц, Андрей Емельянович	2006
Функциональные характеристики элементов энергонезависимой памяти на основе халькогенидных полупроводников Основными объектами исследований являются тонкие пленки халькогенидных стеклообразных полупроводников, предназначенные для изготовления элементов энергонезависимой памяти на основе ХСП, а также сами элементы памяти, разрабатываемые для их применения в PRAM…	Савинов, Иван Сергеевич	2006
Экситонная фотолюминесценция арсенида галлия высокой степени чистоты Одним из методов позволяющих получить разнообразную информацию о процессах и явлениях, происходящих в полупроводниковых кристаллах, является изучение спектров фотолюминесценции материалов и временных характеристик затухания люминесценции. Действительно, фотолюминесцентные свойства полупроводников определяются, как энергетической структурой…	Полетаев, Николай Константинович	2006
Электрические, фотоэлектрические и оптические свойства модифицированных пленок a-Si:H При температурах отжига Та >Г (Г - температура, соответствующая максимальной скорости выхода водорода из пленок), происходят существенные изменения электрических, фотоэлектрических и оптических свойств пленок. Эти изменения обусловлены структурной перестройкой водородных связей и интенсивным образованием оборванных связей кремния (ОС). Имеются…	Нальгиева, Мадина Алихановна	2006
Электронные процессы в гетероструктурах на основе монокристаллического кремния и неупорядоченных материалов По современной терминологии, к наноструктурным (нанокристаллическим, нанофазным, наноразмерным) материалам относят объекты с характерным размером менее 100 пгп [4]. Малый размер зерна приводит к появлению уникальных физико-химических свойств, что привлекает интерес широкого круга специалистов в областях физики и химии твердого тела…	Павленко, Максим Николаевич	2006
Электронные процессы в системе Me-Ga2Se3-(SiOx)Si с различными металлическими контактами Для изучения структуры получаемых слоев использовался метод электроннографии «на отражение»; элементный состав получаемых пленок при толщинах больше 100,0 нм контролировался методом рентгеноспектрального микроанализа (РСМА), а при меньших толщинах изучался методом послойного Оже-электронного анализа; для исследования спектра поверхностных…	Сизов, Сергей Викторович	2006
Электрофизические методы исследования дефектов с глубокими уровнями в многослойных структурах на основе полупроводников …	Каданцев, Алексей Васильевич	2006
Электрофизические характеристики и структурно-фазовый состав наноразмерных структур в системе Ga2Se3/GaAs Наиболее эффективными из известных способов модификации поверхности GaAs, приводящей к уменьшению плотности ПЭС, является обработка подложек GaAs в халькогенсодержащих средах [4], в частности, в парах селена. Использование халысогенидной пассивации, с одной стороны позволяет уменьшить плотность ПЭС в запрещенной зоне, снизить скорость…	Стародубцев, Александр Александрович	2006