Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10

Тема работы	Автор	Год
Моделирование воздействия ионизирующих излучений на зарядовые свойства структур poly-Si-SiO2(P)-Si …	Макаренко, Владимир Александрович	2006
Моделирование диффузии примесей в полупроводниках при неравновесных условиях При небольших временах и температурах может иметь место нарушение равновесия в реакции образования комплексов между примесями, что оказывает значительное влияние на диффузию. В частности, в сегрегационных методах геттерирования, когда происходит увеличение растворимости загрязняющей примеси за счет образования комплексов с легирующей примесью…	Криворучко, Артем Александрович	2006
Моделирование и исследование фоточувствительных полупроводниковых приборов с N-образными вольт-амперными характеристиками Отличительной особенностью приборов с ОДС является наличие внутренней положительной обратной связи. В зависимости от ее вида полупроводниковые приборы делятся на два класса. К первому относятся приборы с…	Каштанкин, Илья Александрович	2006
Моделирование роста атомно-тонких пленок на подложках со сложной морфологией В методе ALD толщину осажденного слоя в процессе роста измеряют, в основном, с помощью КИТ [6,7]. Для того чтобы в методе ALD была возможность оценить толщину растущей пленки для заданного числа ALD циклов, ее однородность и структуру - также необходима модель физико-химической системы. На сегодня такие модели носят, как правило, оценочный…	Зверев, Алексей Викторович	2006
Молекулярно-пучковая эпитаксия и свойства низкоразмерных гетероструктур на основе узкозонных соединений A3B5 Однако наиболее перспективными материалами для перекрытия диапазона длин волн X = 3-5 мкм, обеспечивающими достаточную мощность излучения, на настоящий момент представляются диодные лазерные структуры с гетеропереходами II типа па основе соединений А3В5. Развитию этого направления в немалой степени способствовал значительный прогресс в области…	Семенов, Алексей Николаевич	2006
Морфология эпитаксиальных слоёв при неизотропной атомной диффузии Аналитическое описание процесса МЛЭ-роста также сопряжено с рядом трудностей, связанных с невозможностью не только решить, но и зачастую записать систему кинетических уравнений, учитывающую все ключевые процессы, происходящие при росте тонких пленок. В частности, не поддается описанию атомная диффузия в ^ условиях сложного рельефа, изменяющегося…	Брунёв, Дмитрий Владиславович	2006
Мощный полевой транзистор на основе гетероструктуры (Al,Ga)N/GaN Технология широкозонных нитридов галлия и алюминия (GaN и A1N) в настоящее время является одной из самых интенсивно разрабатываемых в области электронной техники экстремального и военного применения. Прогнозы развития нитридных технологий показывают, что наиболее перспективными для изготовления мощных приборов микро- и наноэлектроники являются…	Александров, Сергей Борисович	2006
Образование донорных центров в слоях кремния, имплантированных ионами редкоземельных элементов Результаты экспериментальных и теоретических исследований образования донорных центров в слоях кремния, имплантированных ионами РЗЭ, могут быть использованы для определения оптимальных режимов легирования при разработке технологии изготовления оптоэлектронных приборов на основе кремния, легированного РЗЭ…	Захарьин, Алексей Олегович	2006
Оптическая неоднородность кристаллов лангасита Таким образом, промышленное выращивание LGS сдерживается изменением физических свойств кристаллов по объему, связанное с их дефектностью, определяемой сложностью состава и несовершенством технологии выращивания…	Клюхина, Юлия Вячеславовна	2006
Оптические и структурные свойства квантовых точек (In,Ga,Al)As на подложках арсенида галлия для светоизлучающих приборов диапазона 1.3-1.55 мкм Кварцевое оптическое волокно имеет четыре спектральных окна прозрачности вблизи длин волн 0.85 мкм, 1.3 мкм, 1.55 мкм и 1.6 мкм, соответствующих минимумам световых потерь. В современных BOJIC широко используются первые три окна прозрачности. Уровень световых потерь в оптоволокне определяет дальность передачи информации без дополнительного усиления…	Гладышев, Андрей Геннадьевич	2006
Оптические свойства гетероинтерфейсов типа II в теории сильной связи Постоянное развитие технологии стимулирует разработку теоретических подходов к описанию электрических и оптических свойств наногетероструктур. Резкий скачок в вычислительной технике, произошедший в последнее десятилетие прошлого века, не только позволил выполнять за небольшое время вычисления, доступные прежде только суперкомпьютерам, но и выявил…	Нестоклон, Михаил Олегович	2006
Особенности концентрационных профилей при неизотермической диффузии в полупроводниках Влияние градиента температуры необходимо учитывать и в диффузионных процессах полупроводниковой технологии. В последнее время, в связи с тенденцией уменьшения глубины залегания р-п перехода, широкое распространение получили технологии с применением «ударных» температурных методов воздействия на кристалл с использованием лазеров и мощных источников…	Овчаров, Владимир Викторович	2006
Особенности электрофизических свойств твердотельных структур при воздействии наносекундных импульсов электромагнитного излучения Развитие техники генерации электромагнитного излучения привело к созданию источников излучения, позволяющих формировать на выходе очень короткие (< 10"9 с) биполярные и однополярные (видео) импульсы достаточно большой амплитуды ~ 103 В, период следования которых велик…	Требунских, Сергей Юрьевич	2006
Отражение света в полупроводниковых гетероструктурах при воздействии модулированным электрическим током Сегодня полупроводниковые селективно-легированные гетероструктуры широко используются для электронных и оптоэлектронных приборов, таких как транзисторы и диоды, фотодиоды и фотоэлементы, светодиоды и полупроводниковые лазеры. Быстродействие и размеры транзисторов, высокая плотность элементов в микросхемах имеют ключевое значение для современной…	Лонская, Екатерина Ивановна	2006
Планарная неоднородность и радиационные эффекты в МДП структурах Объекты и методы исследования. Исследовались структуры ДП и МДП на основе кремниевых пластин п- и р- типа проводимости (марки КЭФ-4.5 и КДБ-12 соответственно) диаметром 100 мм, с ориентацией (100). Диэлектрический слой создавался двумя способами: термическим окислением кремния в атмосфере сухого кислорода и пирогенным окислением. Толщина окисла…	Меньшикова, Татьяна Геннадьевна	2006
Поведение сегнетоэлектриков в наноразмерных силикатных матрицах Сегнетоэлектричество относится к классу кооперативных эффектов, для которых возможно существенное различие величины параметра порядка вблизи поверхности образца и в его объеме. По этой причине прогнозируется фундаментальный размерный эффект при уменьшении объема образца. Исследования в этом направлении активно стимулируются широким спектром…	Стукова, Елена Владимировна	2006
Полупроводниковые наноструктуры CdSe/ZnSe, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии: самоформирование, свойства и применение в оптоэлектронике Основными конкурентами соединениям А В для оптоэлектронных лазерных применений являются полупроводники A3N, успешно развивающиеся в последнее время, и гетероструктуры на базе фосфидов III группы, исследование которых в качестве материала для приборов, излучающих в сине-зеленой области спектра, начались в начале 90-х годов. Однако ни одна из этих…	Седова, Ирина Владимировна	2006
Пороговые, спектральные и пространственные характеристики GaAs/AlGaAs лазеров с искривленными штрихами брегговской решетки обратной связи, обеспечивающей фокусировку выходного излучения Фокусировка выходного излучения торцевых лазеров осложняется несколькими факторами. Во-первых, расходимость излучения в плоскости р-п перехода и в перпендикулярной ему плоскости различается вследствие разницы размеров волновода в этих направлениях. Особенно ярко этот эффект выражен у мощных торцевых лазеров с широким полоском. Эффективный ввод…	Дюделев, Владислав Викторович	2006
Проявление электрон-фононного взаимодействия в квантово-размерных структурах Объекты исследования. В работе теоретически исследованы кинетические свойства одиночных квантовых ям на основе СаАз/А^Са^АБ, вольтамперная характеристика контакта металл-диэлектрик и экситонные состояния в квантовых нитях…	Старчук, Александр Сергеевич	2006
Радиационно-стимулированное формирование нитрида кремния в кремнии при последовательном облучении встречными пучками ионов азота и аргона Ранее было обнаружено [3] существенное изменение свойств азотированного слоя при облучении при 500°С обратной стороны пластин кремния толщиной 600 мкм ионами аргона с энергией 40кэВ и дозах 1016-10Псм1. Была предложена модель этого ЭД, согласно которой на азотированный слой воздействуют акустические гиперзвуковые импульсы давления, излучаемые в…	Сдобняков, Виктор Владимирович	2006