Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

ДОСТОВЕРНОСТЬ ПОЛУЧЕННЫХ РЕЗУЛЬТАТОВ подтверждается непротиворечивостью полученных результатов публикациям других авторов, а также сопоставлением экспериментальных данных с теоретическими расчетами…

Приближение плоскости легирования к поверхности GaAs приводит к сильной асимметрии потенциального профиля квантовой ямы 5-слоя. В направлении от 5-слоя к границе кристалла потенциал растет почти линейно с координатой на величину ~1 эВ. В сторону объема GaAs (при типичном остаточном легировании объема акцепторами с концентрацией около 1015 см"3…

Бурное развитие производства полупроводников началось с пятидесятых годов XX века, и если вначале методы легирования (в процессе выращивания, диффузионные) удовлетворяли поставленным задачам, то с усложнением и созданием новых полупроводниковых приборов, особенно при появлении интегральных схем, а также больших и сверхбольших интегральных схем и…

АК+ \J кп/On)2 ' где индексы пир относятся к ветвям термоэлемента, соответственно, с п— и р—типами проводимости, а символы S, а и к - их дифференциальная термоэдс, электро- и теплопроводность, соответственно…

Обычно, для исследования в полупроводниковых наноструктурах зависимостей какой - либо физической величины от меняющихся параметров структуры используют ограниченную серию планарно-однородных образцов с вариацией какого - либо параметра. Такой подход традиционно имеет место при исследованиях с вариацией технологически формируемых параметров…

Действительно, важным свойством ПК является наличие чрезвычайно развитой (до 800 м2/г) и открытой для воздействия различных молекул окружающей среды внутренней поверхности, на которой неизбежно присутствуют образующиеся в процессе формирования, а также при адсорбции молекул точечные дефекты типа ненасыщенных химических связей, большая часть…

К началу выполнения настоящей работы (1996 г.) были наиболее изучены газочувствительные свойства резистивных элементов, полученных методами керамической технологии. Исследования носили ярко выраженный прикладной характер, причем выбор материалов для сенсоров различных газов осуществлялся чисто эмпирически. Лидером промышленного выпуска такого типа…

Из вышесказанного можно заключить, что пленки оксидов олова, а особенно нанослои 8пОх, представляют собой перспективный объект для исследований с точки зрения создания резистивных газовых сенсоров. Структура и свойства нанослоев оксидов олова находятся в сильной зависимости от способа их получения. Поэтому создание воспроизводимой технологии…

Кремний, наиболее изученный и применяемый в микроэлектронике полупроводник, в последнее время, благодаря интенсивным исследованиям совершенно новых свойств квантоворазмерных структур и дефектно-примесной люминесценции, сделал значительный шаг в сторону применения в оптоэлектронике, где он существенно проигрывал традиционным прямозонным…

Существенным отличием кольцевых интерферометров, изготовленных на основе полупроводниковых гетероструктур, от металлических является то, что в полупроводниковом интерферометре размеры проводящего кольца задаются не только литографией, но в значительной мере определяются ещё и размерами латеральных областей обеднения, имеющихся вдоль границ…

Объектом исследования являются объемные кристаллы InSb и GaSb п-ир-типа проводимости, полученные методом Чохральского, ядерно-легированные кристаллы «-InSb и нитевидные микрокристаллы w-InSb(Sn), полученные методом свободной кристаллизации из газовой фазы, облученные электронами интегральными потоками до 1х1019см"2, протонами до 2хЮ16см'2 и…

Явления адсорбции, десорбции, эмиссии электронов, распыления поверхности при протекании гетерогенной химической реакции сопровождаются активным энергообменом между кристаллической решеткой и электронами твердого тела с одной стороны и частицами газовой смеси с другой. Процессы энергообмена на границе твердых тел и газов играют важную роль в…

Простейший способ теоретического исследования транспортных свойств 20 систем основан на использовании кинетического подхода Друде-Больцмана. Этот подход, однако, позволяет лишь частично описать все богатство наблюдаемых в эксперименте явлений. Следует прежде всего отметить, что уравнение Больцмана не учитывает квантовые эффекты интерференции…

Естественно ожидать, что подобный аномальный вид распределения, как по интенсивности, так и по виду, в выходе вторичного рентгеновского излучения не усредняется используемым в рентгеновской голографии способом. А так как на кристаллических образцах можно найти много рефлексов, соответствующих предельно асимметричной схеме дифракции, то тем более…

…

Одной из основных характеристик любой неупорядоченной системы, к которым относятся а-БЖ и цс-БЖ, является плотность электронных состояний. Распределение плотности электронных состояний в щели подвижности а-БЖ и запрещенной зоне цс-БЖ во многом определяет как равновесные, так и неравновесные параметры указанных материалов. Однако к настоящему…

Процесс миниатюризации полевых МОП транзисторов (MOSFET) предполагает использование все более тонких слоев диоксида кремния в качестве подзатворного диэлектрика [2]. Сравнительно недавно была установлена возможность использования туннельно-тонкого слоя Si02 в затворной секции [3] (ранее она исключалась, поскольку наличие туннельного тока считалось…

Объектом исследования были КРС, выращенные методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений (ГФЭ МОС) при атмосферном давлении водорода - газа-носителя паров МОС (метод ГФЭ МОС АДВ). Этот относительно простой, экономичный метод сравнительно редко применяется для выращивания КРС с КТ InAs/GaAs, однако возможности его совершенствования…

Анализ научной литературы показывает, что важную роль в формировании обратных вольтамперных характеристик (ВАХ) играют термополевые и туннельные процессы. На величину вероятности таких переходов оказывает сильное влияние электрон-фононное взаимодействие. В связи с этим актуальным является развитие физических моделей, описывающих подобные переход…

В связи с тем, что ранее методы фотоэлектрической спектроскопии на этих барьерах не применялись для исследования КЭШ и структуры, выращенные методом ГФЭ МОС АДВ, не исследовались в этом отношении, определились следующие основные задачи исследования…