Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10

Тема работы	Автор	Год
Моделирование и расчет тепловых, электрических свойств сегнетоэлектрических и полупроводниковых материалов твердотельной электроники Сказанное определяет необходимость развития теории и моделей описания особенностей поведения тепловых и электрических свойств сегнето-электрических кристаллов (с фазовыми переходами, дефектами, наночасти-цами) и твердых растворов на основе карбида кремния, позволяющих прогнозировать возможный ход температурной зависимости теплового сопротивления…	Казаров, Бениамин Агопович	2007
Моделирование процессов термического отжига и высокотемпературной карбонизации пористого кремния Достоверность результатов Достоверность результатов, полученных в работе, достигнута сравнением с экспериментальными данными, согласием основных используемых моделей и результатов с данными других исследователей…	Золотов, Андрей Викторович	2007
Моделирование устойчивого роста поверхности в процессе молекулярно-пучковой эпитаксии соединений AIIIBV Для такой поверхности кристалла формулируется и изучается диффузионное уравнение для распределения концентрации адатомов на его поверхности. Это уравнение описывает процессы адсорбции, десорбции, диффузии адатомов, их захват ступенями и изломами, зарождение и рост островков…	Бойко, Андрей Михайлович	2007
Модифицирование дефектной структуры полупроводников низкоэнергетическими воздействиями Оба класса полупроводниковых материалов в настоящее время находят широкое применение в технике. Первый из них, и, прежде всего, твердые растворы теллуридов кадмия-ртути, сохраняет свое положение одного из основных материалов инфракрасной (ИК) оптоэлектроники [1-3]. Соединения Ь^Те-СёТе образуют непрерывный ряд твердых растворов с шириной…	Мынбаев, Карим Джафарович	2007
Определение энергетических и динамических характеристик гетероструктур с квантовыми точками методами емкостной спектроскопии Не так давно квантовые точки стали рассматриваться в качестве перспективного материала для создания ячеек памяти нового поколения. Ключевыми параметрами таких приборов являются скорость захвата, определяющая быстродействие приборов памяти, вероятность эмиссии или захвата, величина заряда, накопленного в квантовой точке…	Шулгунова, Ирина Сергеевна	2007
Оптические свойства анизотропных кремниевых структур В последние годы было установлено, что можно формировать кремниевые слои с большой оптической анизотропией, используя преимущественное травление с-81 вдоль кристаллографических направлений <100> в электрохимическом или химическом процессах. Важными примерами таких анизотропно-структурированных кремниевых объектов являются так называемые пористый…	Круткова, Елена Юрьевна	2007
Особенности взаимодействия мощных ультракоротких лазерных импульсов с экситонами в квантовых нитях и точках В полупроводниковых КН, структурах, в которых экситоны и электроны могут двигаться только в одном направлении, экситоны начинают доминировать в спектрах поглощения и люминесценции. В квантовых нитях, вследствие ограничения движения, уменьшается среднее растояние между электроном и дыркой, что приводит к увеличению энергии их кулоновского…	Лясковский, Владимир Леонидович	2007
Особенности излучательной рекомбинации в p-n-гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами и светодиодах на их основе Автор благодарит весь коллектив кафедры физики полупроводников физического факультета МГУ за помощь в работе и учебе, за обсуждение результатов работы, ее конструктивную критику и поддержку…	Бадгутдинов, Мансур Лябибович	2007
Особенности расчета распределения концентрации собственных точечных дефектов в монокристаллах кремния В процессе термообработок пластин часть ростовых микродефектов растворяется, другие видоизменяются, оказывая влияние на процессы преципитации кислорода и итоговое распределение микродефектов, а, следовательно, и на свойства и характеристики электронных приборов, зачастую являясь причиной их неработоспособности /6,5/. В настоящее время не…	Пузанов, Дмитрий Николаевич	2007
Особенности электрических и термоэлектрических свойств моносульфида самария, связанные с переменной валентностью ионов самария Материал Чувствительность к давлению, Tig, 10"3 МПа"1 Чувствительность к температуре, а, 10"4 град"1 Температурная погрешность, a/ng, МПа/град n-GaAs 3,9 220 5,6 n-InSb 3,1 150 4,8…	Соловьев, Сергей Михайлович	2007
Перестраиваемые одномерные фотонные кристаллы на основе щелевого кремния и жидкокристаллического наполнителя Для понимания процессов в фотонном кристалле его можно сравнить с кристаллом полупроводника, а распространение фотонов с движением носителей заряда - электронов и дырок. На рис. 1 изображена ФЗЗ для полупроводника с энергетической зоной с прямыми переходоми. Справа схема фотонной дисперсионной зависимости. Слева, схема электронной дисперсионной…	Жарова, Юлия Александровна	2007
Периодические неоднородности, сформированные на поверхности полупроводниковых приборов с гетеропереходом Для того чтобы подобрать параметры экспозиции для изготовления периодической структуры с наименьшим размером элемента, необходимо исследовать влияние следующих параметров на форму профиля периодической структуры: дозы экспозиции, контраста интенсивностей экспонирующих пучков, зависимости скорости растворения фоточувствительного материала от дозы…	Мягков, Дмитрий Вадимович	2007
Поляризационные оптические явления в полупроводниках и полупроводниковых структурах Уменьшение размеров элементов в твердотельной электронике привело к созданию низкоразмерных структур - двумерных, одномерных, нульмерных. Понижение симметрии низкоразмерных структур по сравнению с объемными кристаллами приводит к новым оптическим свойствам, не имеющим место в объемных полупроводниках, среди них поляризация рекомбинационного…	Андрианов, Александр Васильевич	2007
Принципы построения и свойства гетероструктур на основе соединений III-N, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии При выращивании материалов III-N существует ряд проблем, основной из которых является отсутствие дешевых подложек из нитридов металлов третьей группы. Это приводит к необходимости выращивать данные материалы на подложках, в той или иной мере рассогласованных по параметрам кристаллической решетки и коэффициентам термического расширения…	Петров, Станислав Игоревич	2007
Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах Выбор "родственных" полупроводников и их облучение высокоэнергетическими частицами в идентичных условиях позволяют проанализировать общие закономерности радиационного модифицирования группы "родственных" материалов и прогнозировать характер изменения параметров тройных соединений на основе исследований их более простых бинарных аналогов…	Новиков, Владимир Александрович	2007
Сенсибилизация кристаллов силленитов для создания устройств преобразования сигналов …	Чаплыгин, Алексей Николаевич	2007
Создание и исследование источников спонтанного и когерентного излучения на основе AIIIBV для средней ИК-области спектра (λ=2-5 мкм) …	Гребенщикова, Елена Александровна	2007
Спектроскопия адмиттанса полупроводниковых наногетероструктур …	Зубков, Василий Иванович	2007
Спектроскопия колебательных состояний низкоразмерных полупроводниковых систем Теоретические исследования показали, что пространственное ограничение на движение носителей заряда и кристаллической решетки при понижении размерности в таких системах кардинально меняет их электронный и фононный спектр. Возникает целый ряд новых, квантоворазмерных эффектов, включая квантование электронного спектра, локализацию оптических и…	Милёхин, Александр Германович	2007
Стимулированная рекомбинация в полупроводниковых лазерах ближнего ИК-диапазона при высоких уровнях токовой накачки …	Борщёв, Кирилл Станиславович	2007