Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Высокая чувствительность электрофизических параметров таких структур к внешним воздействиям и свободный доступ к гетерогранице молекул адсорбатов со стороны неупорядоченного полупроводника позволяют использовать эти структуры в качестве химических и газовых сенсоров (основное направление функциональных приложений), а также для изучения…

К моменту постановки задач исследования (2005 г.) в литературе отсутствовала достоверная информация о влиянии типа проводимости и уровня легирования ne-Si на концентрацию в них снз и спиновых центров, однако такая информация может играть ключевую роль для разработки сенсоров на основе ПК. Не было единой точки зрения в отношении микроскопической…

С другой стороны, кремний и марганец, вместе и по отдельности, а также с другими элементами, могут формировать структуры с ферромагнитными и антиферромагнитными свойствами. Например, антиферромагнетиками являются: чистый массивный марганец (температура Нееля равна ~100К), M115SÍ3 (Tn=62-^68K), МпБЮз, Mn2Si04 (Tn=50K), ThMn2Si2 (TN=483K) [6…

При изучении процессов рекомбинации и диффузии неосновных носителей заряда наиболее информативными являются такие эффекты, как фотопроводимость (ФП) в магнитном поле в геометрии Фойгта {кLB и kLE, к - волновой вектор излучения) и в геометрии Фарадея (£ || В и JcLE), а также фотомагнитный эффект (ФМЭ…

Практическая значимость работы заключается в том, что в ней впервые комплексно исследовано влияние вида хаотического потенциала примесей и дефектов на компонент тензора проводимости двумерного элекiронного газа в случае сильного магнитного поля (разъединенных уровней Ландау); впервые аналитически описано влияние самосогласованного…

Полупроводниковые приборы и устройства характеризуются величиной энергии, требующейся для их активации (начала генерации света, переключения транзистора). Снижение величины энергии активации зачастую обозначает прогресс в той или иной области - ускорение работы переключателей, транзисторов, повышение КПД полупроводниковых лазеров, устранение…

В результате, за прошедшие более чем три десятка лет были уточнены многие параметры как АЗ-нитридов, так и А2-оксидов. Однако до сих пор ряд свойств кристаллов, слоев и наноструктур остаются неопределенным. Кратко, не исследованы фундаментальные процессы переноса излучения в вюрцитных полупроводниках с резонансными линиями, в том числе…

Изменение этих параметров под действием различных внешних факторов, например, адсорбционно-десорбционных процессов в газовых и жидких средах, лежит в основе использования микроэлектронных МДП структур в качестве чувствительных элементов для "электронного носа" и "электронного языка". Хемосорбционный эффект поля используется как для управления…

В магнетосопротивлении (МС) магнетофононный резонанс (МФР) проявляется в виде серии экспоненциально спадающих по амплитуде осцилляций [4]: AR^/Rxx ~ cos(27r<wLO/<»c)exp(-/ft>Lo/где у - коэффициент затухания. Эти осцилляции, как и осцилляции ШдГ периодичны в обратном магнитном поле, но их период в отличие от последних не зависит от концентрации…

Одним из интересных явлений, характерных для НС, является баллистический режим электронного транспорта, который наблюдается в том случае, когда длина свободного пробега электрона превышает размер структуры. В условиях баллистического режима характеризовать систему с помощью таких локальных характеристик, как удельная проводимость или…

Электрические свойства полупроводниковых нанообъеьсгов в диэлектриках представляют научный интерес с точки зрения модификации свойств среды, по сути создания новых материалов на основе хорошо известных. Также, весьма актуальным представляется изучение свойств отдельных нанокластеров и нанокристаллов в диэлектриках, поскольку наночастицы…

Полупроводниковые квантовые точки являются сравнительно новым объектом исследования в физике твердого тела. Вследствие трехмерного ограничения движения носителей заряда многие физические свойства квантовых точек значительно отличаются от свойств объемных кристаллов, а также объектов с ограничением движения носителей в одном или двух направлениях…

При переходе от экспериментальных разработок какого-либо материала к разработке конкретного электронного устройства особое внимание уделяется проблемам интегрирования отдельных элементов, получаемых на базе этого материала, в структуры, сформированные из других материалов, с отличными физическими свойствами. Это объясняется процессами межслоевой…

Для получения гетероструктур Ge/Si с квантовыми точками широко используется метод молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) [12]. Формирование Ge нанокристаллов (квантовых точек) происходит по механизму Странского-Крастанова. Дисперсия по размерам нанокристаллов в таких структурах достигает 20%. В массиве квантовых точек, как искусственных атомов одного…

Важнейшую роль при исследовании наноструктур играют методы диагностики. Одним из наиболее удобных методов диагностики наноструктур на сегодняшний день является атомно-силовая микроскопия (АСМ). АСМ - это семейство экспериментальных методов локального изучения свойств поверхности, основанных на взаимодействии твердотельного острого зонда с…

Одним из наиболее часто используемых материалов для создания трехмерных ФК являются синтетические опалы, представляющие собой трехмерную решетку плотноупаковаппых шаров аморфного кремнезема. Пространство между шарами образует подрешетку взаимопроникающих пор. Возможность внедрения в эти поры различных материалов создает предпосылки для создания…

Современные достижения в информационных технологиях поражают скоростью развития и размахом, с которым они захватывают все новые и новые сферы человеческой деятельности. За последние 10 - 15 лет технологии связи и обработки информации превратились в одну из основных движущих сил научно-технического прогресса и развития человеческого общества. При…

Таким образом, результаты исследований, представленных в данной главе, показывают, что неидеальность границ раздела в квантовых ямах -наличие на них вытянутых террас, формируемых ступеньками роста существенным образом воздействует на экситонную подсистему и приводит к анизотропии наблюдаемых оптических спектров, в том числе и в структурах…

Естественно, что столь сильное воздействие гидрогенизации на свойства полупроводников представляет большой практический интерес. Выполненные работы показали, что обработка атомарным водородом может быть использована при выращивании кристаллических [25, 27, 34, 60] и аморфных [14, 29, 44, 52, 61, 62, 63] полупроводников, для пассивации поверхности…

В то же время до сих пор остаются нерешенными проблемы надежности, стабильности и долговечности приборов на их основе. Кроме того, существуют проблемы проектирования приборных структур на основе a-Si:H с заданными характеристиками [3,4…