Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10

Тема работы	Автор	Год
Влияние молекулярного окружения кремниевых нанокристаллов на их фотолюминесцентные свойства Таким образом, кремниевые нанокристаллы представляют несомненный научный и практический интерес для выяснения механизмов обмена энергией между полупроводниковыми нанокристаллами и их молекулярным окружением…	Рябчиков, Юрий Витальевич	2007
Влияние спонтанной поляризации на энергетические характеристики гетероструктур на основе политипов карбида кремния Среди широкого ряда исследуемых в настоящее время ГП и ГС, структуры, основанные на контактах различных политипов карбида кремния, занимают особое место. Если в контакт приводятся химически различные полупроводники, то возникают две проблемы. Первая из них связана с различием постоянных решетки. Такое рассогласование решеток приводит к появлению…	Трошин, Алексей Валерьевич	2007
Влияние электрического поля на процессы формирования низкочастотного шума в барьерах Шоттки В большинстве случаев глубокие центры (ГЦ), создаваемые несовершенством структуры полупроводника, прямо или косвенно приводят к деградации параметров полупроводниковых приборов. Наблюдаются "мягкие" обратные вольт-амперные характеристики, как следствие понижение пробивных напряжений, генерация шума - всё это приводит к снижению процента выхода…	Кострюков, Сергей Анатольевич	2007
Влияние эффекта Яна-Теллера на упругие, магнитные и электронные свойства слаболегированных лантан-стронциевых манганитов К настоящему времени считается установленным, что физические свойства манганитов, и в частности природа KMC, тесно связаны с определенным типом магнитного, орбитального и зарядового упорядочений, а транспортные свойства не могут определяться только механизмом двойного обмена Зинера-Андерсона-Хасегавы между ионами Мп3+ и Мп4+. В последние годы все…	Потапов, Андрей Александрович	2007
Высокоэффективные излучающие приборы на основе гетероструктур AlGaInN Актуальной задачей является также минимизация последовательного электрического сопротивления светодиода и создания условий для эффективного отвода тепла от его активной области, т.к. требуемый диапазон токов составляет несколько ампер…	Смирнова, Ирина Павловна	2007
Динамика решетки, оптические и электрофизические свойства четверных полупроводниковых твердых растворов CdxHg1-x-yZnyTe Следует иметь в виду, что многокомпонентные изовалентные полупроводниковые твердые растворы в целом ряде случаев не являются случайными сплавами. В них может наблюдаться коррелированное заполнение узлов подрешеток. Для того чтобы иметь возможность адекватно оценивать степень влияния эффектов упорядочения на процесс формирования твердых растворов…	Флоренцев, Антон Андреевич	2007
Емкостная спектроскопия электронных состояний в гетероструктурах с квантовыми ямами и квантовыми точками Метод вольт-емкостного профилирования широко используется для определения распределения концентрации свободных носителей заряда в полупроводниковых материалах 4'5,10. Было обнаружено, что присутствие в однородно легированной полупроводниковой структуре гетерограницы12'13,14,15'16 или квантовой ямы 1718 приводит к искажению профиля распределения…	Брунков, Павел Николаевич	2007
Интегральное поглощение как функция отклика экситонных поляритонов в полупроводниковых кристаллах, твердых растворах и множественных квантовых ямах Несомненно, существование в полупроводниковых кристаллах добавочных световых волн, возникающих из-за наличия неоднозначности в дисперсионных соотношениях, связанной с пространственной дисперсией, подтверждено многочисленными разнообразными экспериментальными методами [10…	Ваганов, Сергей Анатольевич	2007
Исследование свойств светоизлучающих эпитаксиальных GaAs структур, содержащих ферромагнитные слои В данной работе исследовались гетероструктуры с квантовыми ямами ХпОаАзЛлаАБ и с квантовыми точками ТпАзАЗаАз, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии (МОСГЭ) при атмосферном давлении, содержащие ферромагнитные металлические (N1, Со) или полупроводниковые (ваМпАз) слои…	Дорохин, Михаил Владимирович	2007
Исследование физических свойств ВТСП купратов в рамках модели сверхпроводящего спаривания с отталкивательным взаимодействием Основным структурным элементом слоистых купратных соединений являются медно-кислородные плоскости, атомные слои между которыми играют роль резервуаров, поставляющих при дырочном или электронном допировании избыточные носители в эти плоскости. Пренебрегая взаимодействием между медно-кислородными плоскостями, купраты рассматривают как квазидвумерные…	Софронов, Владимир Михайлович	2007
Исследование фосфида индия, арсенида галлия и их твердых растворов методами фото- и электроотражения …	Ахмед Абдел Моез Абдел Рахман Езз	2007
Исследование фотоэлектрических процессов в спектрально-селективных фотоячейках на основе вертикально-интегрированных диодных структур Разработка интегральных спектрально-селективных фотоэлектрических преобразователей изображений и их промышленное производство позволит устранить указанные проблемы. Поэтому актуальной задачей для разработки многоспекгральных ФЭПИ является исследование фотоэлектрических процессов в фоточувствительных элементах, выполненных на основе…	Игнатьева, Елена Александровна	2007
Квантовые процессы и соотношения в полупроводниковых кристаллах при поглощении фотонов большой энергии Взаимодействие фотонов большой энергии ки 2> Ее с полупроводниковыми кристаллами — одна из центральных проблем физики твердого тела в последние десятилетия приобрела особое значение ввиду радикального прогресса физики полупроводников и твердотельной электроники, стимулированных главным образом задачами прикладного характера, а также созданием…	Ивахно, Владимир Никитич	2007
Комплексное исследование полупроводниковых соединений Cu2-xS с использованием метода ЯКР 63,65Cu По особенностям кристаллической структуры соединения системы Cu2.yS подразделяются на три группы: анилит, дигенит, джирит, кристаллическая структура которых основана на кубической упаковке атомов серы; джарлеит и халькозин, со структурой, основанной на гексагональной плотнейшей упаковке атомов серы; ковеллин, яроуит, спионкопит с комбинацией…	Сафонов, Александр Николаевич	2007
Люминесцентные свойства слоев кремния, наноструктурированных путем облучения ионами электрически неактивных элементов Главная проблема, возникающая на пути оптоэлектронных применений кремния, состоит в низкой эффективности собственной люминесценции, обусловленной, в первую очередь, непрямозонностью энергетической структуры этого полупроводника. Среди различных подходов к решению проблемы важное место занимает наноструктурирование путем создания нанокристаллов Si…	Менделева, Юлия Алексеевна	2007
Магнитные осцилляции оптических и транспортных характеристик квантовых точек и колец Апробация работы. Основные результаты работы докладывались на научных семинарах лаборатории теоретической физики ИФП СО РАН; на IV и V Всероссийской конференции по физике полупроводников (Новосибирск, 1999, Н.Новгород, 2001); на совещании "Нанофотоника" (Н. Новгород, 2002); на III и VI Всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников…	Ковалёв, Вадим Михайлович	2007
Малая треугольная квантовая точка: формирование, эффекты кулоновской блокады и одночастичной интерференции Вот уже 20 лет развилка реальных многомодовых квантовых проволок является элементом полупроводниковых субмикронных устройств, создаваемых электронной литографией и плазмохимическим травлением на основе Б^БЮг [5] и эпитаксиальных гетероструктур ОаАз/АЦ-гОадАз с двумерным электронным газом (ДЭГ) [6-8]. Появившиеся численные модели таких развилок…	Ткаченко, Виталий Анатольевич	2007
Механизмы переноса заряда в приёмниках рентгеновского излучения на основе кремния Анализируются процессы термогенерации носителей заряда с рекомбинационных центров с учетом температурных зависимостей коэффициентов захвата, моделируется возможное влияние этих процессов на результаты измерения термостимулированной емкости и определяются энергии активации основных рекомбинационных центров в кремниевых приемниках излучения…	Басаев, Александр Сергеевич	2007
Многоволновая рентгеновская рефлектометрия для анализа многокомпонентных пространственно упорядоченных структур Существует целый спектр методов для контроля параметров МС: просвечивающая электронная микроскопия (ПЭМ), эллипсометрия, рентгеновская рефлектометрия, рамановская спектроскопия и др. Метод ПЭМ позволяет извлекать информацию о структуре отдельных межслойных границ, включая проявления межслойной диффузии и химических реакций. Эллипсометрия…	Апрелов, Сергей Аркадьевич	2007
Моделирование дисперсионного переноса в полупроводниках на основе уравнений с производными дробного порядка Математическая основа модели Шера и Монтролла - интегральные уравнения случайных блужданий. Степенное распределение времён ожидания, как отмечается в [57], может быть следствием как прыжкового переноса по распределённым в пространстве ловушкам, так и переноса, управляемого многократным захватом на распределённые по энергии локализованные…	Сибатов, Ренат Тимергалиевич	2007