Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10

Тема работы	Автор	Год
Исследование электрической проводимости наноструктур, образованных адсорбатами I,III групп на поверхности кремния К настоящему времени уже относительно много работ посвящено исследованию корреляции электрической проводимости поверхностных наноструктур с их атомарной и кристаллической структурой, например [3, 4]. Результаты, полученные экспериментальным путем, свидетельствуют о том, что поверхностные наноструктуры оказывают заметное влияние на электрические…	Рыжкова, Мария Валерьевна	2008
Люминесценция кристаллов вольфраматов двухвалентных элементов и свинца Сцинтилляционные свойства вольфраматов двухвалентных ионов известны достаточно давно [1]. Им посвящено большое количество исследований. Важной особенностью вольфраматов кадмия, кальция, цинка является высокий атомный номер и большая плотность. Они обеспечивают хорошую эффективность регистрации при относительно малых объемах и обладают достаточно…	Якимова, Ирина Олеговна	2008
Моделирование электрических и оптических характеристик светоизлучающих диодов на основе многокомпонентных гетероструктур AlGaInN В 1963 г. Ж. И. Алфёров (прил. А рис. 1) выдвинул идею использования в излучателях гетеропереходов, а в 1970 г. он с соавторами предложил использовать четырёхкомпонентные соединения для получения гетеропереходов [8]. Преимуществом этого является возможность изменять параметр решётки, оставляя постоянной ширину запрещённой зоны; изменять ширину…	Рабинович, Олег Игоревич	2008
Морфологические свойства нано- и микроструктур, сформированных на подложках кристаллического и пористого кремния Актуальной задачей является исследование свойств гетероэпитаксиаль-ных структур, содержащих пленки полупроводниковых материалов А4Вб, активно применяемых при производстве оптоэлектронных устройств ИК-диапазона [3]. Полупроводники А4В6 представляют особый интерес при получении структур пониженной размерности. Использование материалов А4В6, в…	Горлачев, Егор Сергеевич	2008
Нелинейная динамика шнуров тока и фронтов ионизации в полупроводниковых приборах ключевого типа С общефизической точки зрения полупроводниковый прибор большой площади представляет собой сильнонеравновесную распределенную систему, в которой возможно формирование локализованных нелинейных структур - диссипативных токовых солито-нов и нелинейных волн переключения. Примерами таких структур являются шнуры тока и домены электрического поля в…	Родин, Павел Борисович	2008
Определение энергетического спектра гетероструктур с квантовыми ямами в системе InGaAs/GaAs по данным спектроскопии адмиттанса В частности, система твердых растворов InxGaixAs/GaAs активно используется для создания лазеров на основе квантовых ям (КЯ) и квантовых точек (КТ). Такие приборы служат для генерации излучения в области ближнего инфракрасного диапазона и широко применяются в волоконно-оптических линиях связи [2]. Вместе с тем, несмотря на широкое использование…	Петровская, Анастасия Николаевна	2008
Оптические свойства соединений А2В6 с изоэлектронной примесью кислорода с позиций теории непересекающихся зон Содержание кислорода как фоновой изоэлектронной примеси в ZnS и в ZnSe достаточно высоко по сравнению с концентрациями других фоновых примесей и может достигать Ю20 - 1021 см"3 при температурах роста 1000 - 1300°С, поэтому исключить влияние кислорода на свойства соединений А2В6 не представляется возможным. Этот факт известен уже более полстолетия…	Мидерос Мора Даниэль Алехандро	2008
Особенности микродефектов в нестехиометрических монокристаллах GaAs и GaP, выявляемые рентгеноструктурными методами Несмотря на многочисленные исследования процессов распада, некоторые аспекты механизма ранних стадий распада до настоящего времени не выяснены. Использование различных электрофизических и структурных методов исследования позволяют выявлять различные стороны процесса…	Филатов, Павел Александрович	2008
Особенности резистивных и гальваномагнитных явлений в анизотропных полупроводниках Как известно, достоверность и воспроизводимость измерений электрофизических характеристик полупроводниковых материалов зависит от качества изготавливаемых к ним контактов. Поэтому контактные явления по-прежнему, несмотря на большое количество работ в этой области, вызывают интерес у исследователей. Проблема качества металлических контактов к…	Мицук, Сергей Васильевич	2008
Полупроводниковые вертикально-излучающие лазеры на основе самоорганизующихся квантоворазмерных гетероструктур в системе материалов InGaAs-AlGaAs Попытки преодолеть указанные недостатки стимулировали поиск альтернативных вариантов конструкций ЛД, к числу которых относятся полупроводниковые инжекционные лазеры с вертикальным оптическим микрорезонатором (далее — полупроводниковые вертикально-излучающие лазеры (ВИЛ), vertical cavity surface emitting lasers (VCSELs). Современные варианты…	Кузьменков, Александр Георгиевич	2008
Полупроводниковые лазеры среднего инфракрасного диапазона, работающие на модах шепчущей галереи Я хочу поблагодарить заведующего лабораторией Физической и функциональной микроэлектроники Рубена Павловича Сейсяна за постоянный интерес и помощь в создании этой работы…	Кислякова, Анна Юрьевна	2008
Полупроводниковые микроструктуры на основе соединений AIIIBV, полученные методом реактивного ионного травления Следует также отметить, что современные наноматериалы - это сложные самоорганизованные системы, получаемые неравновесными процессами, и это порождает многообразие форм их существования, и, следовательно, для структур, полученных разными производителями, необходим тщательный подбор процесса реактивного ионного травления…	Аракчеева, Екатерина Михайловна	2008
Разработка базовых функциональных структур для детекторного модуля ионизирующих излучений Ускоренное развитие различных технологий, замечаемое нами по их внедрению в производство и быт, основано, прежде всего, на достижениях в области фундаментальных исследований, углубляющих наши представления о свойствах материи. Ведущая роль здесь принадлежит исследованиям в области физики элементарных частиц и ядерной физики. Впечатляющими…	Кацоев, Леонид Витальевич	2008
Разработка и исследование арсенидгаллиевых детекторов ионизирующих излучений с разделенными областями накопления и считывания заряда Информативность любого субатомного опыта напрямую определяется возможностями тех детекторов, которые в нём используются. История ядерной физики и физики частиц это, по существу, история создания всё новых методов регистрации частиц и совершенствования старых. Создание новых методов детектирования частиц неоднократно отмечалось Нобелевскими…	Кацоев, Валерий Витальевич	2008
Резонансное одно- и двухфотонное взаимодействие света с экситонами в квантовых точках CdSe/ZnS Дополнительные квантовые ограничения приводят к сужению спектра усиления, большим значениям дифференциального усиления [7], увеличению энергии связи экситонов [2] и большим оптическим нелинейностям [8]. Таким образом, применение наноструктур с пониженной размерностью может улучшить характеристики лазеров (снизить порог генерации, уменьшить влияние…	Туэрди Умайэр	2008
Светоэкситоны и неклассические интегральные эффекты в спектрах оптических функций отклика полупроводниковых кристаллов Исследование проводится для спектральных областей головных экситонных линий, соответствующих переходам в состояния с главным квантовым числом п — 1. Данные линии наиболее удалены от края поглощения и остальных линий экситопного спектра. По этой причине к ним может быть применена модель изолированного резонанса, существенно упрощающая теоретическое…	Московский, Сергей Борисович	2008
Спиновая релаксация в массивах туннельно-связанных Ge/Si квантовых точек Низкоразмерные системы на основе Ge/Si являются перспективными для реализации идей спинтроники и квантовых вычислений. Величина спин-орбитального взаимодействия в Si мала, и время спиновой релаксации соответственно велико по сравнению с другими материалами. Время спиновой релаксации Ti в Si составляет 1-10 часов при гелиевых температурах [2,3], а…	Зиновьева, Айгуль Фанизовна	2008
Спиновые и фотогальванические эффекты в полупроводниковых гетероструктурах В последнее время в физике полупроводниковых гетероструктур большой интерес вызывают спиновые явления. Значительные усилия сосредоточены на изучении характера спин-орбитального взаимодействия и спиновой динамики носителей заряда, разработке эффективных методов создания и детектирования спиновой ориентации электронов и дырок, а также на…	Тарасенко, Сергей Анатольевич	2008
Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического поля Работы по совершенствованию технологии получения достаточно однородных монокристаллов теллура, а также бинарных и тройных его соединений на его основе направлены на решение проблемы создания высокоэффективных фотодиодов, инфракрасных фильтров, лазеров и /ьветвей высокочувствительных пленочных термобатарей. Высокая фоточувствительность теллура к…	Келбиханов, Руслан Келбиханович	2008
Суперпарамагнетизм и сверхпроводимость в системе 3d-центров Зс1-элемептами, находят широкое применение в электронике твердого тела и элементной базе радиоэлектронных компонент. Например, компенсированные полупроводники GaAs<Cr,Fe>, InP<Fe>, AlAs<Fe> используются в качестве полуизолирующих подложек в интегральных микрочипах, схемах оптоэлектроники. Они перспективны для изготовления высокочувствительных…	Попов, Борис Петрович	2008