Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10

Тема работы	Автор	Год
Оптические свойства фотонных кристаллов и волноведущих структур на их основе Особый практический интерес представляют собой волноведущие структуры на основе фотонных кристаллов, в которых возможно прохождение электромагнитной волны практически без рассеяния в любом, заранее выбранном, направлении. Именно такие структуры предполагается использовать для передачи информации от процессоров к модулям памяти в…	Спицын, Алексей Сергеевич	2009
Оптические явления, связанные с резонансными и возбужденными состояниями в полупроводниковых структурах В то же время существующие на настоящий момент полупроводниковые источники дальнего инфракрасного излучения сдерживают его потенциальные применения, поскольку они требуют криогенных (4 К) температур и сильных электрических и магнитных полей (лазер на /;-Се в скрещенных электрических и магнитных полях), либо сильного механического давления (лазер…	Софронов, Антон Николаевич	2009
Особенности локальной проводимости и спектральной плотности туннельного тока в полупроводниковых наноструктурах при наличии примесных состояний Наличие локализованных состояний в области контакта и их взаимодействие с состояниями непрерывного спектра в берегах туннельного контакта может приводить к сильному искажению невозмущенной плотности состояний исследуемой системы, так как радиус локализации примесных состояний становится сопоставимым как с межатомными расстояниями, так и с…	Манцевич, Владимир Николаевич	2009
Особенности электронно-энергетического строения и оптических свойств нанокомпозитов с железом и кобальтом в пористом кремнии Модифицированный осаждением металла пористый кремний можно использовать для создания эффективных электролюминесцентных и г эмитирующих электроны приборов, так как введение нанокристаллов металла улучшает токопрохождение через слой рог-Зц кроме того, излучать свет могут не только нанокристаллы кремния, но и нанокристаллы металла. Композиты…	Леньшин, Александр Сергеевич	2009
Перенос носителей заряда в слоях пористого кремния с различной формой и поверхностным покрытием нанокристаллов Недавно было обнаружено, что ПК с анизотропией формы-нанокристаллов обладает заметным двулучепреломлением [6]. Большинство работ посвящено исследованию линейных [6,7] и нелинейных [8] оптических свойств анизотропного ПК. Однако особенности переноса носителей заряда в анизотропном ПК не изучены. Также в литературе не обсуждаются механизмы…	Мартышов, Михаил Николаевич	2009
Полупроводниковые самоорганизованные наноматериалы - нелинейные системы с фрактальной размерностью Положение 1. Многообразие форм организации наноматериала количественно характеризуется мультифрактальными параметрами, такими как степень упорядоченности Др (нарушение локальной симметрии), нарушение общей симметрии Дс, размерность Реньи О ( уровень самоорганизации), что позволяет идентифицировать, не диагностируемые традиционными методами…	Шмидт, Наталия Михайловна	2009
Полупроводниковые сетчатые наноструктурированные композиты на основе диоксида олова, полученные золь-гель методом, для газовых сенсоров Научной новизной обладают следующие результаты: 1. Развита модель формирования- наноструктурированных полупроводниковых слоев в золь-гель процессах, включая этапы непрерывного перехода механизмов роста фрактальных агрегатов от диффузионно-лимитируемой к кластер-кластерной агрегации с 6 последующей эволюцией, как правило, завершающейся спинодальным…	Грачева, Ирина Евгеньевна	2009
Применение модели U-минус-центров к объяснению транспортных свойств нормальной фазы халькогенидных стеклообразных полупроводников и высокотемпературных сверхпроводников Одной из таких моделей сверхпроводимости является модель /"/-минус-центров, первоначально сформулированная для халькогенидных стеклообразных проводников (ХСП). В структуре ХСП существуют особые элементы ((/-минус-центры), обеспечивающие такие их свойства, как невозможность легирования. Существованием (7-минус-центров была объяснена и…	Барыгин, Илья Алексеевич	2009
Процессы намагничивания, спинового транспорта и спиновой динамики в наноразмерных планарных структурах с ферромагнитными слоями Как правило, возникает задача решения систем дифференциальных уравнений в частных производных с последующей обработкой полученных данных. Поэтому 6 основным инструментом исследования в работе является компьютерное моделирование, основанное на разработке и применении пакетов прикладных программ и вычислительных алгоритмов…	Чиненков, Максим Юрьевич	2009
Радиационно-стимулированные и короноэлектретные изменения структуры и свойств феррогранатовых гетерокомпозиций Активизации дальнейшей исследовательской деятельности в области физики ферроганато-вых гетерокомпозиций способствует, прежде всего, тот факт, что стремление к снижению геометрических размеров магнитных носителей информации вступило в противоречие с теорией магнитной стабильности частиц (тонких пленок). На сегодняшний день .установлены…	Костишин, Владимир Григорьевич	2009
Резонансы и локализованные состояния в сложных наноструктурах Создание наноструктур базируется на новейших технологических достижениях [11] в области конструирования на атомном уровне твердотельных поверхностных и многослойных структур с заданным электронным спектром и необходимыми электрическими, оптическими, магнитными и другими свойствами. Требуемая зонная структура таких искусственных материалов…	Журавлёв, Максим Николаевич	2009
Реконструкции поверхности GaAs(001) и их влияние на морфологию слоёв при МЛЭ и вакуумном отжиге Качество гетерограниц напрямую зависит от морфологии ростовой поверхности. Более того, в сложных многослойных гетеросистемах морфология способна наследоваться и аккумулироваться от слоя к слою. Эти процессы могут наблюдаться, уже начиная с исходной предэпитаксиальной поверхности. Как следствие, возникает целый ряд задач, связанный с…	Васев, Андрей Васильевич	2009
Свойства гетероструктур карбида кремния на кремнии и изоляторе в области сверхвысоких частот Наиболее востребованным прибором СВЧ является измеритель мощности, так как мощность - это единственный параметр, характеризующий источник СВЧ излучения. Среди полупроводниковых приборов, пригодных для измерения СВЧ мощности можно выделить термисторы и гальваномагнитные преобразователи., Первые используются давно и служат основным элементом для…	Курганская, Любовь Викторовна	2009
Свойства гетероструктур карбида кремния на кремнии, полученных методом эндотаксии, для создания чувствительных элементов бифункциональных датчиков температура-деформация Одним из наиболее перспективных методов получения карбида кремния считается его эпитаксия на подложках кремния [9]. Для CVD (chemical vapor deposition) процессов эпитаксии существуют развитые производственные технологии. Однако в данном методе слои карбида кремния, растущие непосредственно на кремнии, содержат большое количество дефектов…	Сивакова, Ксения Петровна	2009
Собственное оптическое поглощение и люминесценция твердых растворов полупроводников A3B5 …	Хосам Елдин Хелми Фатхалла Хегази	2009
Транспорт носителей заряда в проводящих полимерах вблизи перехода металл-диэлектрик Объекты и методы исследований. Объектами исследований являлись пленки легированных различными способами сопряженных и несопряженных полимеров, таких как полиацетилен (ПА), полианилин (ПАН), полипиррол (111J), полиимид…	Алешин, Андрей Николаевич	2009
Транспортные свойства углеродных наноструктур на основе графита и многостенных нанотрубок Экспериментальное обнаружение в графене дираковских фермионов -безмассовых носителей с коническим спектром, открыло уникальную возможность исследовать некоторые аспекты релятивской квантовой электродинамики в твердом теле…	Латышев, Александр Юрьевич	2009
Туннельные и магнитные спин-зависимые эффекты в кубических полупроводниках без центра инверсии Переля происходит во время свободного движения электрона между столкновениями, за счёт прецесии в эффективном магнитном поле от спин-зависимых членов в гамильтониане метода эффективной массы…	Алексеев, Павел Сергеевич	2009
Туннельные явления в напряженных вюртцитных гетероструктурах с сильными встроенными полями Общие соотношения кристаллофизики — для оценки величин возникающих деформаций и встроенных полей спонтанной и пьезоэлектрической поляризации. Метод модельного псевдопотенциала - для нахождения общих решений уравнения Шредингера свободных и напряженных компонент гетерострукту-ры. Метод матрицы рассеяния, метод эффективной массы, метод…	Разжувалов, Александр Николаевич	2009
Управление электрофизическими параметрами слоев карбида кремния и создание приборов для эксплуатации в экстремальных условиях Уже первые работы в 50-60х годах прошлого столетия по изучению влияния облучения нейтронами и а -частицами на свойства SiC и приборов на его основе показали перспективность использования этого материала для высокотемпературных радиационно-стойких приборов и детекторов ядерных излучений. Однако ввиду низкого качества исходного материала, данные по…	Калинина, Евгения Викторовна	2009