Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников
Код ВАК 01.04.10Тема работы | Автор | Год |
---|---|---|
Высокотемпературные приборы на основе фосфида галлия: эпитаксиальная технология, концепция легирования, электрические свойства
Характерная особенность, которую можно отметить в физико-технологическом аспекте создания подобной инфраструктуры - необходимость комплексного подхода к разработкам; это, в свою очередь, сводится к требованию получения достаточно широкой гаммы разнообразных активных и пассивных элементов, совокупность которых способна обеспечить выполнение… |
Панютин, Евгений Анатольевич | 2009 |
Гальваномагнитные свойства слоев магнитных полупроводников InMnAs, GaMnAs и полуметаллических соединений MnAs, MnP
В данной; работе исследовались; свойства; полупроводниковых слоев- InAs и; GaAs, объе.мно легированных марганца и полученных методом лазерного нанесения в газовой атмосфере. Исследовались также структуры на основе GaAs, полученные комбинированным методом газофазной эпптаксии и лазерного нанесения и содержащие дельта<Мп>-легированный слой. Кроме… |
Кудрин, Алексей Владимирович | 2009 |
Генерационные процессы в тонкопленочных электролюминесцентных структурах на основе сульфида цинка, легированного марганцем
Наиболее изученной структурой, обладающей наилучшими показателями эффективности, является структура МДПДМ на основе сульфида цинка, легированного марганцем… |
Афанасьев, Александр Михайлович | 2009 |
Диффузионные структуры на основе арсенида галлия, легированного Fe и Cr
Из вышеизложенного следует, что , управление электрическими? характеристиками приборных диффузионных: структур требует тщательного исследования диффузионных процессов, лежащих в основе технологии их получения. Помимо получения фундаментальных данных по диффузии, такое исследование позволяет предложить новые пути управления характеристиками… |
Прудаев, Илья Анатольевич | 2009 |
Исследование квадрупольных эффектов в спектрах ЯМР 63Cu, 115In, 69Ga полупроводниковых соединений со структурой халькопирита
… |
Шмидт, Екатерина Вадимовна | 2009 |
Исследование оптических свойств тонких пленок фуллерен-порфириновых комплексов
Органические элементы с более высокой эффективностью преобразования (до 11%) можно получить используя метод самоорганизации молекул, но из-за сложности данного метода промышленное производство данных приборов исключено… |
Доненко, Екатерина Геннадьевна | 2009 |
Исследование самоорганизации структуры поверхности неупорядоченных полупроводниковых материалов
В настоящее время одним из перспективных материалов данного класса является аморфный гидрогенизированный кремний (a-Si:H). На основе a-Si:H создаются солнечные батареи с КПД до 16%, транзисторные матрицы управления плоскими жидкокристаллическими экранами (ЖКЭ), устройства копировальной техники, оперативной и долговременной памяти и др. Большие… |
Авачева, Татьяна Геннадиевна | 2009 |
Исследование состава самоорганизованных нанокластеров GexSi1-x/Si методом сканирующей оже-микроскопии
Комплексный подход к изучению реального распределения германия в островке может помочь в понимании природы фотолюминесценции (ФЛ) в наноструктурах [5] и найти пути к увеличению выхода ФЛ. Зная пространственное распределение Ge и Si, можно найти распределение упругих энергий в островке, после этого рассчитать зонную диаграмму кластера и решить… |
Николичев, Дмитрий Евгеньевич | 2009 |
Исследование термоэлектрических свойств материалов Р-типа на основе соединений магния с элементами четвертой группы
Современные теории [27] предсказывают значительное увеличение эффективности при использовании старых и новых материалов с нано-размерными структурами. И хотя некоторые лаборатории заявляют о рекордном увеличении эффективности термоэлектрического напострук-трированиого материала, выхода этих результатов в практическую область пока нет… |
Исаченко, Григорий Николаевич | 2009 |
Исследование физических процессов в гетероструктурах на основе нитрида галлия с квантовыми ямами
Также необходимо сказать, что существует две технологии получения белого света с помощью светодиодов. Первая - красный, зеленый и синий кристаллы в одном корпусе. Вторая - более дешевый подход - основан на включении в синий светодиод люминофора, который поглощает часть синего света и флуоресцирует в широком спектре, достигая белого цвета [2]. Это… |
Солонин, Александр Павлович | 2009 |
Исследование электронных и магнитных свойств многокомпонентного магнитного полупроводника CuFeS2
Однако, несмотря на использование различных физических методов в исследовании халькопиритов, основные структурные и морфологические свойства до настоящего времени полностью не раскрыты, а имеющиеся в литературе данные носят противоречивый характер. В ходе большого количества экспериментальных и теоретических исследований был обнаружен ряд… |
Хабибуллин, Илдар Хайдарович | 2009 |
Квантовые точки как активная среда оптоэлектронных приборов
В процессе самоорганизации рост точек большого размера может сопровождаться формированием дислокаций, которые будут служить центрами безызлучательной рекомбинации, что приводит к существенному ухудшению параметров лазеров1 на квантовых точках. Таким образом, разработка методов уменьшения плотности дислокаций в процессе роста и систематическое… |
Максимов, Михаил Викторович | 2009 |
Локализованные состояния в гетеросистемах на основе кремния, сформированные в деформационных полях
Известно, что величина механических напряжений вблизи крупных структурных нарушений и гетерограниц может достигать величин порядка 1-2 ГПа [13,14]. Очевидно, что деформационные поля во многом определяют структурные, оптические и электрические свойства любых гетероструктур. Однако даже для объемных материалов (и, в частности, для кремния… |
Антонова, Ирина Вениаминовна | 2009 |
Магнитные и деформационные процессы в полупроводниковых структурах с магнитными слоями для микромеханических устройств
Одной из важных проблем при разработке указанных устройств является поиск новых композитных материалов для управляющих покрытий кремниевых консольных зондирующих устройств, перспективных для управления микромеханическими устройствами с помощью внешних магнитных и электрических полей. Упругие свойства МЭМС определяют их силовые и скоростные… |
Горячев, Андрей Викторович | 2009 |
Математические модели процессов, протекающих на границе "полупроводник - газ" и межфазных границах структуры "металлическая плёнка - полупроводник", помещённой в активный газ
Протекание гетерогенной химической реакции на границе твёрдого тела и газовой смеси сопровождается энергообменом между молекулами газа, кристаллической решеткой и электронами твердого тела. Поэтому взаимодействие активных газов с поверхностью твёрдых тел обуславливает возникновение различных физических явлений. К ним относятся: эмиссия электронов… |
Харламов, Фёдор Владимирович | 2009 |
Миграция электронных возбуждений и формирование спектров люминесценции в пространственно-неоднородных полупроводниковых структурах A3B5
С точки зрения влияния миграции возбуждения на формирование спектра излучения представляется важной эволюция спектров в экситонной области (свободные и связанные экситоны) в зависимости от внутренних (характеристики кристалла) и внешних (условия эксперимента) параметров. Поэтому фундаментальной проблемой является исследование влияния на… |
Криволапчук, Владимир Васильевич | 2009 |
Нелинейные транспортные эффекты в селективно легированных гетероэпитаксиальных микроструктурах металл-полупроводник
В данной работе МОГФЭ является базовой технологией для изготовления необходимых микро- и наноструктур на основе арсенида галлия. Арсенид галлия выбран в качестве материала из-за высоких значений подвижности, дрейфовой скорости электронов, больших полей пробоя и других характеристик, способствующих реализации изучаемых физических эффектов в области… |
Шашкин, Владимир Иванович | 2009 |
Оболочки с двумерным электронным газом и их магнитотранспортные свойства
По сравнению с известными методами создания неоднородного магнитного поля в двумерном газе [21-28], помещение его на цилиндрическую поверхность дает следующие преимущества: а) возможность создания больших градиентов магнитного поля (>10бТ/м), б) возможность менять величину градиента in situ… |
Юкечева, Юлия Сергеевна | 2009 |
Оптические исследования тонких пленок молекулярных органических полупроводников фталоцианинового ряда
Электрические и оптические свойства пленок МРс могут варьироваться в широких пределах и зависят от ряда факторов. В первую очередь на свойства этих пленок влияет структура формирующих их молекул. Возможности изменения структуры молекул МРс практически безграничны, что позволяет синтезировать соединения с различными уникальными свойствами… |
Колосько, Анатолий Григорьевич | 2009 |
Оптические и электрические свойства полупроводниковых структур на основе молекулярных комплексов фталоцианинов, содержащих ионы лантанидов в качестве комплексообразователя
Последние исследования в области органических материалов показали, что на основе искусственных органических молекул можно создать биологическую среду, в которой нанокристаллы заполняют возникающие микротрещины, а полимерные гели действуют как искусственная кожа, адаптируя новую среду к внешнему воздействию [14]. На основе таких систем… |
Белогорохов, Иван Александрович | 2009 |