Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10
Тема работы Автор Год
Высокотемпературные приборы на основе фосфида галлия: эпитаксиальная технология, концепция легирования, электрические свойства

Характерная особенность, которую можно отметить в физико-технологическом аспекте создания подобной инфраструктуры - необходимость комплексного подхода к разработкам; это, в свою очередь, сводится к требованию получения достаточно широкой гаммы разнообразных активных и пассивных элементов, совокупность которых способна обеспечить выполнение…

Панютин, Евгений Анатольевич 2009
Гальваномагнитные свойства слоев магнитных полупроводников InMnAs, GaMnAs и полуметаллических соединений MnAs, MnP

В данной; работе исследовались; свойства; полупроводниковых слоев- InAs и; GaAs, объе.мно легированных марганца и полученных методом лазерного нанесения в газовой атмосфере. Исследовались также структуры на основе GaAs, полученные комбинированным методом газофазной эпптаксии и лазерного нанесения и содержащие дельта<Мп>-легированный слой. Кроме…

Кудрин, Алексей Владимирович 2009
Генерационные процессы в тонкопленочных электролюминесцентных структурах на основе сульфида цинка, легированного марганцем

Наиболее изученной структурой, обладающей наилучшими показателями эффективности, является структура МДПДМ на основе сульфида цинка, легированного марганцем…

Афанасьев, Александр Михайлович 2009
Диффузионные структуры на основе арсенида галлия, легированного Fe и Cr

Из вышеизложенного следует, что , управление электрическими? характеристиками приборных диффузионных: структур требует тщательного исследования диффузионных процессов, лежащих в основе технологии их получения. Помимо получения фундаментальных данных по диффузии, такое исследование позволяет предложить новые пути управления характеристиками…

Прудаев, Илья Анатольевич 2009
Исследование квадрупольных эффектов в спектрах ЯМР 63Cu, 115In, 69Ga полупроводниковых соединений со структурой халькопирита

Шмидт, Екатерина Вадимовна 2009
Исследование оптических свойств тонких пленок фуллерен-порфириновых комплексов

Органические элементы с более высокой эффективностью преобразования (до 11%) можно получить используя метод самоорганизации молекул, но из-за сложности данного метода промышленное производство данных приборов исключено…

Доненко, Екатерина Геннадьевна 2009
Исследование самоорганизации структуры поверхности неупорядоченных полупроводниковых материалов

В настоящее время одним из перспективных материалов данного класса является аморфный гидрогенизированный кремний (a-Si:H). На основе a-Si:H создаются солнечные батареи с КПД до 16%, транзисторные матрицы управления плоскими жидкокристаллическими экранами (ЖКЭ), устройства копировальной техники, оперативной и долговременной памяти и др. Большие…

Авачева, Татьяна Геннадиевна 2009
Исследование состава самоорганизованных нанокластеров GexSi1-x/Si методом сканирующей оже-микроскопии

Комплексный подход к изучению реального распределения германия в островке может помочь в понимании природы фотолюминесценции (ФЛ) в наноструктурах [5] и найти пути к увеличению выхода ФЛ. Зная пространственное распределение Ge и Si, можно найти распределение упругих энергий в островке, после этого рассчитать зонную диаграмму кластера и решить…

Николичев, Дмитрий Евгеньевич 2009
Исследование термоэлектрических свойств материалов Р-типа на основе соединений магния с элементами четвертой группы

Современные теории [27] предсказывают значительное увеличение эффективности при использовании старых и новых материалов с нано-размерными структурами. И хотя некоторые лаборатории заявляют о рекордном увеличении эффективности термоэлектрического напострук-трированиого материала, выхода этих результатов в практическую область пока нет…

Исаченко, Григорий Николаевич 2009
Исследование физических процессов в гетероструктурах на основе нитрида галлия с квантовыми ямами

Также необходимо сказать, что существует две технологии получения белого света с помощью светодиодов. Первая - красный, зеленый и синий кристаллы в одном корпусе. Вторая - более дешевый подход - основан на включении в синий светодиод люминофора, который поглощает часть синего света и флуоресцирует в широком спектре, достигая белого цвета [2]. Это…

Солонин, Александр Павлович 2009
Исследование электронных и магнитных свойств многокомпонентного магнитного полупроводника CuFeS2

Однако, несмотря на использование различных физических методов в исследовании халькопиритов, основные структурные и морфологические свойства до настоящего времени полностью не раскрыты, а имеющиеся в литературе данные носят противоречивый характер. В ходе большого количества экспериментальных и теоретических исследований был обнаружен ряд…

Хабибуллин, Илдар Хайдарович 2009
Квантовые точки как активная среда оптоэлектронных приборов

В процессе самоорганизации рост точек большого размера может сопровождаться формированием дислокаций, которые будут служить центрами безызлучательной рекомбинации, что приводит к существенному ухудшению параметров лазеров1 на квантовых точках. Таким образом, разработка методов уменьшения плотности дислокаций в процессе роста и систематическое…

Максимов, Михаил Викторович 2009
Локализованные состояния в гетеросистемах на основе кремния, сформированные в деформационных полях

Известно, что величина механических напряжений вблизи крупных структурных нарушений и гетерограниц может достигать величин порядка 1-2 ГПа [13,14]. Очевидно, что деформационные поля во многом определяют структурные, оптические и электрические свойства любых гетероструктур. Однако даже для объемных материалов (и, в частности, для кремния…

Антонова, Ирина Вениаминовна 2009
Магнитные и деформационные процессы в полупроводниковых структурах с магнитными слоями для микромеханических устройств

Одной из важных проблем при разработке указанных устройств является поиск новых композитных материалов для управляющих покрытий кремниевых консольных зондирующих устройств, перспективных для управления микромеханическими устройствами с помощью внешних магнитных и электрических полей. Упругие свойства МЭМС определяют их силовые и скоростные…

Горячев, Андрей Викторович 2009
Математические модели процессов, протекающих на границе "полупроводник - газ" и межфазных границах структуры "металлическая плёнка - полупроводник", помещённой в активный газ

Протекание гетерогенной химической реакции на границе твёрдого тела и газовой смеси сопровождается энергообменом между молекулами газа, кристаллической решеткой и электронами твердого тела. Поэтому взаимодействие активных газов с поверхностью твёрдых тел обуславливает возникновение различных физических явлений. К ним относятся: эмиссия электронов…

Харламов, Фёдор Владимирович 2009
Миграция электронных возбуждений и формирование спектров люминесценции в пространственно-неоднородных полупроводниковых структурах A3B5

С точки зрения влияния миграции возбуждения на формирование спектра излучения представляется важной эволюция спектров в экситонной области (свободные и связанные экситоны) в зависимости от внутренних (характеристики кристалла) и внешних (условия эксперимента) параметров. Поэтому фундаментальной проблемой является исследование влияния на…

Криволапчук, Владимир Васильевич 2009
Нелинейные транспортные эффекты в селективно легированных гетероэпитаксиальных микроструктурах металл-полупроводник

В данной работе МОГФЭ является базовой технологией для изготовления необходимых микро- и наноструктур на основе арсенида галлия. Арсенид галлия выбран в качестве материала из-за высоких значений подвижности, дрейфовой скорости электронов, больших полей пробоя и других характеристик, способствующих реализации изучаемых физических эффектов в области…

Шашкин, Владимир Иванович 2009
Оболочки с двумерным электронным газом и их магнитотранспортные свойства

По сравнению с известными методами создания неоднородного магнитного поля в двумерном газе [21-28], помещение его на цилиндрическую поверхность дает следующие преимущества: а) возможность создания больших градиентов магнитного поля (>10бТ/м), б) возможность менять величину градиента in situ…

Юкечева, Юлия Сергеевна 2009
Оптические исследования тонких пленок молекулярных органических полупроводников фталоцианинового ряда

Электрические и оптические свойства пленок МРс могут варьироваться в широких пределах и зависят от ряда факторов. В первую очередь на свойства этих пленок влияет структура формирующих их молекул. Возможности изменения структуры молекул МРс практически безграничны, что позволяет синтезировать соединения с различными уникальными свойствами…

Колосько, Анатолий Григорьевич 2009
Оптические и электрические свойства полупроводниковых структур на основе молекулярных комплексов фталоцианинов, содержащих ионы лантанидов в качестве комплексообразователя

Последние исследования в области органических материалов показали, что на основе искусственных органических молекул можно создать биологическую среду, в которой нанокристаллы заполняют возникающие микротрещины, а полимерные гели действуют как искусственная кожа, адаптируя новую среду к внешнему воздействию [14]. На основе таких систем…

Белогорохов, Иван Александрович 2009