Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10

Тема работы	Автор	Год
Влияние состава и толщин слоев на электрофизические свойства квантово-размерных структур на основе ZnCdS/ZnSSe, ZnSSe/ZnMgSSe Для создания ярю« и высококонтрастных дисплеев перспективными являются полупроводниковые лазеры с накачкой электронным пучком. Преимущество накачки электронным пучком над инжекционной накачкой связано с отсутствием необходимости создания высокой проводимости р- и п-типа в широкозонных материалах, необходимых для реализации излучения в видимой…	Милованова, Оксана Александровна	2010
Диагностика фазовых превращений в приповерхностных слоях арсенида галия с помощью поверхностных акустических волн Поверхностные акустические волны (ПАВ) являются эффективным средством контроля состояния поверхности твердых тел и можно ожидать, что даже слабые механические напряжения или пластические деформации в приповерхностном слое будут влиять на параметры распространения ПАВ, а именно на величину затухания и фазовой скорости. Известно, в частности, что…	Марков, Игорь Александрович	2010
Динамическая модель процессов формирования трехмерных кластеров в кремнии Формирование пористого пространства сложной топологии по сути создает новый интересный объект, в котором теснейшим образом переплетаются различные классы явлений как физической, так и химической природы. Поверхностные и объёмные свойства такого вещества становятся трудно разделимыми. Исследование закономерностей отклика системы…	Можаев, Алексей Владиславович	2010
Долгоживущая спиновая поляризация в наноструктурах с квантовыми ямами и квантовыми точками До недавнего времени основное внимание исследователей спиновой динамики полупроводников уделялось процессу релаксации населенностей спиновых подуровней. Этот процесс, происходящий за счет обмена энергией с фононами или другими динамическими системами, принято характеризовать временем Т\. В полупроводниках это время может быть достаточно большим…	Чербунин, Роман Викторович	2010
Инфракрасная полупроводниковая оптоэлектроника с использованием гетероструктур из арсенида индия и твердых растворов на его основе Программа Министерства Приборостроения, средств автоматизации и систем-управления «Исследование возможности создания газоанализатора на основе твердотельного источника-излучения» (1977-1980…	Матвеев, Борис Анатольевич	2010
Исследование морфологии и электронных свойств поверхности пленок AIIIBV и контактов металла/AIIIBV методом атомно-силовой микроскопии Наиболее перспективным методом, как для исследований, так и экспресс анализов, является атомно-силовая микроскопия. Данная методика сочетает в себе высокое разрешение, присущее электронным и сканирующим туннельным микроскопам, и при этом не требует сложной подготовки образцов для исследования и обязательной электропроводности. При этом по…	Новиков, Вадим Александрович	2010
Исследование электрофизических свойств двухкомпонентной слоистой структуры, состоящей из жидких органических веществ Созданию новых классов органических материалов и структур способствует биосовместимость, самоорганизация, синергетические эффекты,, образование упорядоченных временных и пространственных структур в сложных неравновесных системах различной природы, обладание многих свойств,, недоступных неорганическим веществам. Органическая технология на базе…	Сидоров, Игорь Викторович	2010
Исследования волн пространственного заряда в магнитном поле в высокоомных полупроводниках Научная новизна. В работе впервые детально изучено поведение ВПЗ в присутствии магнитного поля, и составлена классификация явлений в зависимости от используемой геометрии эксперимента на примере двух материалов: ваАвгСг и 1пР:Ре. Обнаружены квадратичная и линейная зависимости амплитуды сигнала ВПЗ от магнитного поля…	Петров, Дмитрий Викторович	2010
Кинетика и механизмы формирования нановискеров в системах Si-Au, Ge-Au (моделирование) Для выращивания полупроводниковых нановискеров применяют различные методики: газофазную эпитаксию из металл-органических соединений [14], химическое осаждение из газовой фазы (CVD) [15], молекулярно-лучевую эпитаксию (МЛЭ) [16], метод магнетронного осаждения^ [17], газофазную МЛЭ (ГФМЛЭ) [18], лазерную абляцию [19…	Настовьяк, Алла Георгиевна	2010
Компьютерное моделирование роста наноструктур: нанокластеров и нанокристаллов На сегодняшний день значительный интерес для микро- и оптоэлектронных технологий представляет карбид кремния (как в виде тонких пленок, так и массивов нанокластеров * карбида кремния на кремнии): Карбид кремния -широкозонный материал, позволяющий создавать на своей основе* приборы, выдерживающие высокие мощности, и более стойкий к условиям высокой…	Лубов, Максим Николаевич	2010
Люминесценция и поглощение излучения среднего ИК диапазона в наноструктурах с квантовыми ямами в условиях разогрева носителей заряда А8]. Firsov, D.A. Light absorption related to hole transitions in quantum dots and impurity centers in quantum wells under external excitation / D.A. Firsov, L.E. Vorobjev, V.A. Shalygin, A.N. Sofronov, V.Yu. Panevin, M.Ya. Vinnichenko, P. Thumrongsilapa // 16th International Conference on Electron Dynamics In Semiconductors, Optoelectronics and…	Тхумронгсилапа Папхави	2010
Магнитотранспорт в GaAs/AlAs гетероструктурах в присутствии микроволнового излучения К настоящему времени основные экспериментальные результаты в области магнитотранспортных явлений в двумерных системах в присутствии микроволнового излучения получены на селективно-легированных СаАэ/АЮаАв гетеропереходах с высокой электронной подвижностью. Высокая подвижность в таких гетероструктурах достигается селективным легированием, то есть…	Исламов, Дамир Ревинирович	2010
Метод Laplace-DLTS с выбором параметра регуляризации по L-кривой В этой связи тема работы, направленная на изучение способов повышения разрешающей способности, а также достоверности и надежности метода DLTS, является актуальной как с научной, так и с практической точек зрения…	Ахкубеков, Александр Эдуардович	2010
Метод обработки результатов измерений температуры в процессах высокотемпературного синтеза Более общим и наиболее современным методом термографического анализа, является метод Лежандра, который является обобщенным методом наименьших квадратов. Указанный метод позволяет на основе экспериментальной термограммы, определить, вообще говоря, любое количество неизвестных параметров кинетического закона. Метод основан на минимизации некоего…	Смирнов, Евгений Валерьевич	2010
Моделирование многостадийного термического окисления кремния и образования фиксированного заряда На сегодняшний день не существует единого взгляда на механизм и основные этапы образования тонких пленок диоксида кремния на кремнии. Это связано с множеством противоречивых экспериментальных и теоретических данных в этой области [1,2…	Дусь, Андрей Игоревич	2010
Моделирование низкоинтенсивного радиационного воздействия на зарядовые свойства кремниевых МОП-структур Другой подход к прогнозированию радиационной стойкости МОП ИС — компьютерное моделирование процессов зарядовой деградации под воздействием ИИ на основе определенной физической модели, наиболее адекватно описывающей структуру. На данный момент существует несколько подобных методик тестирования [126, 137]. Эти методики используют модель…	Бондаренко, Евгений Владимирович	2010
Насыщение усиления и нелинейные эффекты в полупроводниковых лазерах с периодическими оптическими неоднородностями Перспективным решением является использование в лазерном резонаторе различных интегрально-оптических элементов с периодическими оптическими неоднородностями, эффективность которых для фокусировки излучения лазеров с широким полоском была продемонстрирована в различных конструкциях поверхностно-излучающих лазеров с дифракционным выводом излучения…	Соколовский, Григорий Семенович	2010
Новые полупроводниковые материалы на основе соединений A3B5 для оптоэлектронных устройств на длины волн 3 - 5 мкм А2. A.Krier, V.M.Smirnov, P.J.Batty, RJones, V.I.Vasil'ev, G.S.Gagis, V.I.Kuchinskii. Pentenary GalnAsPSb for mid-infrared light emitting diodes and lasers grown by liquid phase epitaxy. SPIE Proc. 6479. Lasers II, 647918 (8 pp) (2007). (Invited paper…	Гагис, Галина Сергеевна	2010
Оптические регистрирующие среды на основе полупроводниковых M(TI)S-структур с туннельно-тонким диэлектриком (TI) Эти принципы функционирования регистрирующих сред используются в оптической обработке информации уже в течение нескольких десятков лет, при этом постоянно совершенствуются их параметры, увеличивается быстродействие светоуправляемых оптических приборов, реализуемых на их основе. В настоящее время быстродействие пространственно-временных модуляторов…	Кашерининов, Петр Георгиевич	2010
Оптические явления, связанные с локализованными и резонансными состояниями в полупроводниковых структурах В то же время существующие на настоящий момент полупроводниковые источники дальнего инфракрасного излучения сдерживают его потенциальные применения, поскольку они требуют криогенных (4 К) температур и сильных электрических и магнитных полей (лазер на p-Ge в скрещенных электрических и магнитных полях), либо сильного механического давления (лазер на…	Софронов, Антон Николаевич	2010