Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10

Тема работы	Автор	Год
Исследование пленок нитрида галлия, выращенных методом хлоридгидридной газофазной эпитаксии Полученные мощностные характеристики экспериментальных нитридных СВЧ-приборов благодаря вышеназванным свойствам базового материала существенно (иногда на порядки) превышают аналогичные характеристики ваАя-и БЮ-приборов, причем особенно ярко упомянутые преимущества проявляются при повышенных рабочих температурах (вплоть до 400°С) [1]. Это открывает…	Цюк, Александр Игоревич	2011
Исследование полупроводниковых наногетероструктур методами токовой релаксационной спектроскопии, атомно-силовой микроскопии и спектроскопии НЧ-шумов К недостаткам метода спектроскопии адмиттанса следует отнести меньшую по сравнению с РСГУ чувствительность по концентрации ГУ и большую погрешность определения энергии ионизации ГУ из-за 5 необходимости проведения в ряде случаев модельных расчетов [5, 6]. Спектроскопия НЧ-шумов на сегодняшний день имеет достаточно ограниченное применение для…	Рыбин, Николай Борисович	2011
Исследование проводимости полупроводниковых структур методом импедансной спектроскопии Известно, что транспорт носителей заряда в структурно неоднородных образцах, которыми, в частности, могут быть керамики, имеет ряд существенных особенностей [2,3]. Модуляция зонного рельефа как результат искривления зон на границах сред в ряде случаев приводит к формированию дрейфовых и рекомбинационных барьеров в энергетическом спектре образца…	Галеева, Александра Викторовна	2011
Исследование процессов генерации и вывода света в светодиодах на основе гетероструктур AllnGaN …	Павлюченко, Алексей Сергеевич	2011
Исследование процессов образования, активации и аннигиляции электрически активных точечных дефектов в CdxHg1-xTe Однако технология производства приборов на основе CdxHgi.xTe весьма сложна и требует наличия соответствующей научно-технической базы: высокий уровень научных исследований, обеспечивающий создание физико-химических основ технологических процессов приготовления CdxHgj.xTe и приборов на его основе; опыт разработки и техническая база для изготовления…	Сидоров, Георгий Юрьевич	2011
Исследование структуры частиц веществ наноразмерной дисперсности Объекты и методы исследований. Объектом исследований является геометрическая структура орбит и оболочек наночастиц и частиц с наноразмерной дисперсностью. Методами исследований являются теоретические методы, применение методов теории групп и методов теоретической кристаллографии. Также применяются информационные технологии для получения массива…	Дудин, Александр Александрович	2011
Исследование тепловых процессов при автоэлектронной эмиссии из кремниевого острийного катода Плотность автоэмиссионного тока экспоненциально зависит от напряженности прикладываемого электрического поля и может в миллионы раз превышать плотности токов любой из всех известных видов эмиссии. Вследствие указанной экспоненциальной зависимости, разброс эмитированных электронов по энергиям оказывается в несколько раз более узким, чем в случае…	Махиборода, Максим Александрович	2011
Исследование термодинамических свойств многокомпонентных соединений AIIIBV методом поля валентных сил Основные положения, выносимые на защиту: оптимизированная методика моделирования многокомпонентных соединений А1ПВУ методом поля валентных сил позволяет предсказывать упругую энергию дисторсии кристаллической решетки с точностью 1 4- 2% и разрешать тонкую структуру распределений межатомных расстояний в этих материалах при достаточно небольшом…	Подольская, Наталья Игоревна	2011
Исследование электрофизических свойств фоторезисторов на основе PbS К началу настоящей работы накоплен значительный экспериментальный и теоретический материал, однако имелись противоречия в трактовке модели структур и механизма фотопроводимости. Такая ситуация была обусловлена разнообразием технологий получения ФР. Кроме того, при исследовании электрических параметров поликристаллических пленок обычно используются…	Комиссаров, Андрей Леонидович	2011
Катодолюминесцентные методы исследования лазерных гетероструктур на основе ZnSe …	Шахмин, Алексей Александрович	2011
Локализованные состояния и флуктуации в графене Другой важной особенностью графена является двухмерность кристаллической структуры, так что монослойный или бислойный лист графена можно рассматривать как мембрану с поверхностным натяжением. С этой стороны возникает одна фундаментальная физическая проблема в связи с получением монослойного графена - вопрос о возможности существования устойчивых…	Чэнь Сяосин	2011
Магнетотранспортные явления в гетероструктурах GaAs/AIAs при больших факторах заполнения Одной из основных причин, уменьшающих подвижность носителей заряда в полупроводниковых структурах, является рассеяние на случайном потенциале ионизованных центров легирующей примеси. В гетероструктурах СаАэ/АЮаАз высокая подвижность ц. достигается благодаря пространственному разделению областей легирования и переноса носителей заряда…	Быков, Алексей Александрович	2011
Математическое моделирование и исследование характеристик многопереходных A3B5 фотоэлектрических преобразователей солнечного излучения Для достижения* высоких значений кпд при разработке солнечных элементов должен учитываться ряд. факторов, влияющих; на эффективность преобразования? солнечного света: Сюда относятся^ в первую очередь,, интерференция!световых волн прш отражении от гетерогранищ эпитаксиальной структуры» ; элемента, характеристики; собирания фотогенерированных…	Емельянов, Виктор Михайлович	2011
Междолинное рассеяние электронов на фононах в сверхрешетках (GaAs)m(AlAs)n Фундаментальную роль практически в любых процессах в твердом теле играет электрон-фононное взаимодействие. Достаточно хорошо изучены электрон — фононные процессы с участием длинноволновых фононов, связывающих электронные состояния в пределах одного экстремума (долины) в зонном спектре [4]. Для большинства практически важных полупроводниковых…	Никитина, Лариса Николаевна	2011
Методы измерения электрических свойств наноструктур с помощью полупроводникового алмазного зонда В следствие технологических трудностей [1] при выращивании крупных монокристаллов легированного кубического нитрида бора и фуллеритов, а так же, сложностей при обработке (огранке и заточке) кристаллов, было решено использовать полупроводниковый алмаз, легированный бором. Несомненным плюсом выбранного материала является сравнительно большая…	Сошников, Александр Игоревич	2011
Многопереходные солнечные элементы, содержащие субэлемент на основе германия …	Калюжный, Николай Александрович	2011
Моделирование и исследование бетавольтаического эффекта на кремниевых PIN структурах Для верификации модели и определения возможностей использования бетавольтаического эффекта на практике был проведен эксперимент на базе центра коллективного пользования Ульяновский государственный университет - ОАО «ГНЦ РФ НИИАР» в г. Димитровград с использованием изотопа № различной активности…	Пчелинцева, Екатерина Сергеевна	2011
Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота слоев и гетероструктур в системе (Al,Ga)N с высоким содержанием Al для ультрафиолетовой оптоэлектроники …	Мизеров, Андрей Михайлович	2011
Низкочастотный шум в светодиодах на основе квантоворазмерных InGaN/GaN структур Основные цели и задачи данной работы заключаются в изучение низкочастотного шума мощных синих светодиодов на основе квантоворазмерных ЬЮаТ^/ваК структур в частотном диапазоне 10 Гц — 10…	Шабунина, Евгения Игоревна	2011
Получение и исследование оптических свойств нитевидных полупроводниковых оксидов SnO2 и In2O3 Первоочередными задачами в области технологии нитевидных материалов являются синтез кристаллов с предсказуемыми геометрическими характеристиками и контролируемое введение примесей, которые обеспечивают их функциональные свойства. Эти задачи в полной мере позволяет решать газотранспортный синтез, основанный на переносе паров оксидного материала в…	Номери Мохамед Абасс Хадия	2011