Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10

Тема работы	Автор	Год
Физические основы инженерии дефектов в технологии кремниевых силовых высоковольтных и светоизлучающих структур Таким образом, возникла необходимость в развитии физических основ инженерии дефектов в технологии кремниевых СВП и светодиодов. При этом необходимо было развить методики, позволяющие контролировать неравновесные СТД и их поведение на разных стадиях технологического процесса, и провести комплексные исследования, учитывающие взаимосвязь условий…	Соболев, Николай Алексеевич	2009
Формирование и свойства наногетероструктур на основе кремния и дисилицида железа Что же касается ионной имплантации, то стоит отметить её более i низкую себестоимость, по сравнению с реактивной эпитаксией, и возможность пол учения «сразу встроенных в кремний слоёв кристаллитов /?-FeSii- Однако в данном случае необходима рекристаллизация повреждённого в результате имплантации» кремниевого приповерхностного' слоя. Если для этого…	Чусовитин, Евгений Анатольевич	2009
Формирование нанокластеров кремния в диоксиде кремния под воздействием электронного пучка Еще одна не менее важная проблема — это улучшение характеристик (уменьшение размеров, уменьшение рабочего напряжения и повышение надежности) элементов энергонезависимой памяти. Наиболее перспективным в данной области является использование нанокристаллов кремния, погруженных в тонкие диэлектрические слои…	Колесникова, Екатерина Владимировна	2009
Формирование низкоразмерного полупроводникового силицида магния и наногетероструктур на его основе Научная новизна работы Впервые установлены границы скоростей осаждения Mg на Si(l 11)7x7 (0.06 нм/мин и 0.4 нм/мин), при который наблюдается смена механизма формирования границы раздела Mg/Si(lll) с трехступенчатого (атомарные кластеры Mg пленка силицида магния —> пленка металлического магния) на двухступенчатый (пленка силицида магния переменного…	Галкин, Константин Николаевич	2009
Фотоэлектрические преобразователи излучения на основе узкозонных полупроводников (GaSb, Ge, InAs) …	Хвостикова, Ольга Анатольевна	2009
Фотоэлектрические свойства гетероструктур с самоформирующимися наноостровками GeSi/Si В связи с тем, что контакт Ge/Si является гетеропереходом II рода [6], в таких структурах возможны межзонные оптические переходы с энергиями, намного меньшими ширины запрещенной зоны как Si, так и Ge. Теоретическая минимальная энергия межзонных переходов в ГС Ge/Si Е0 « 0,35 эВ (300К), что соответствует длине волны излучения Х0 « 3,54 цм…	Круглова, Марина Вячеславовна	2009
Электрозвуковые поверхностные волны в кристаллах с однородной нестационарностью свойств и равномерным движением границ Еще одним направлением исследований в области ПАВ является учет конструктивных и топологических особенностей звукопроводов [31, 32], изменений распространения волн вследствие взаимодействий физических подсистем [33] или воздействий (электрических [34, 35], механических [31, 36] и пр.) на ПАВ-звукопроводы. Эти исследования имеют выраженную…	Марышев, Сергей Николаевич	2009
Электронно-ионное взаимодействие и туннельный эффект в кремниевых структурах металл–окисел–полупроводник На основе представлений о неравновесном характере процессов объемно-зарядовой поляризации и деполяризации окисла Si-МОП-структур описаны динамические ВАХ ионного транспорта в окисле. Это позволило извлечь из результатов единого эксперимента основные сведения о характеристиках ионной проводимости окисла и лимитирующих ее факторах…	Чучева, Галина Викторовна	2009
Электрофизические и излучательные процессы в пленочных электролюминесцентных структурах на основе сульфида цинка При этом данные относительно глубины уровней, с которых происходит туннелирование, являются весьма противоречивыми: согласно [8], глубина уровней захвата носителей, ответственных за локализацию носителей заряда в ТП ЭЛИ на основе ZnS, лежит в интервале (0.9-1.2) эВ, причем природа этих уровней захвата определяется не столько границей раздела…	Сабитов, Олег Юрьевич	2009
Анализ фотоприемных монокристаллических и поликристаллических слоев на основе халькогенидов свинца методами атомно-силовой микроскопии Другим направлением приборных реализаций на инородных подложках является создание функциональных наноструктурированных поликристаллических слоев. Наиболее перспективной для эффективного ФП считается сетчатая структура, состоящая из контактирующих зерен, покрытых оксидными фазами и содержащих р-п переход внутри зерна. Оптимизация размеров зерен и…	Спивак, Юлия Михайловна	2008
Вклады поверхностных и объёмных состояний в фотоэмиссии электронов из p+-GaAs(Cs,O) и p-GaN(Cs,O) Интерес к изучению фотоэмиссии электронов1 из поверхностных состояний (ПС) границы раздела «полупроводник с ОЭС»-вакуум обусловлен возможностью использования фотоэмиссии для изучения свойств ПС. Поверхностные состояния определяют профиль потенциальной энергии на границе раздела, а также скорость поверхностной рекомбинации и, таким образом, влияют…	Пахневич, Андрей Александрович	2008
Влияние внешних воздействий на динамику дислокаций в кремнии вблизи концентраторов напряжений Впервые определен закон перераспределения дислокационных рядов вблизи концентратора напряжений при изменении ориентации скрайба на поверхности кремния…	Явтушенко, Игорь Олегович	2008
Влияние внутренних электрических и упругих полей моно-, микро- и нанокристаллов на характеристические параметры глубоких центров в халькогенидах цинка Вместе с тем, соединения группы А"В в отличие от классических полупроводников (кремний, германий) обладают рядом специфических особенностей. Например, наличие трудно контролируемого состава точечных дефектов кристаллической структуры и остаточных примесей, приводит к появлению в их запрещенной зоне богатого спектра электронных состояний; большое…	Зобов, Марат Евгеньевич	2008
Гетерофазные границы в поликристаллических пленках селенида и цирконата-титаната свинца, а также структурах на их основе Объекты исследования. Объектами исследования в настоящей работе являются гетерофазные границы раздела в поликристаллических пленках и структурах на их основе. Однако очевидно, что прямое изучение свойств подобных объектов едва ли возможно по двум причинным. Во-первых, не существует прямых методов диагностики обладающих достаточной локальностью и…	Петров, Анатолий Арсеньевич	2008
Диэлектрическая релаксация и процессы переключения в сегнетоэлектриках в быстронарастающих сильных электрических полях Установлено влияние эффектов экранирования на величины внутренних полей, динамику доменов, а также на многочисленные релаксационные явления. Несмотря на значительный интерес к проблеме экранирования, закономерности этого процесса однозначно не установлены. В частности, требует дальнейших исследований вопрос о механизмах эволюции доменной структуры…	Агаларов, Агалар Шахэмирович	2008
Закономерности оптических и колебательных спектров твердых растворов Ti1-xCuxInS2(0≤X≤0,015) Объектами для исследования являлись образцы монокристаллов типа /?-Т11п82, выращенных методом Бриджмена-Стокбаргера. Монокристаллы /?-Т11п82 и твердые растворы на их основе обладали моноклинной (псевдо-тетрагональной) слоистой структурой…	Матиева, Тоита Ахметовна	2008
Исследование влияния локализованных состояний на распределение пространственного заряда в барьерных структурах на основе неупорядоченных полупроводников Основными объектами исследований были выбраны вертикальные и пла-нарные структуры с барьерами на контакте металл - неупорядоченный полупроводник на основе сплавов аморфного гидрогенизированного кремния и углерода различного состава (a-SixCi.x:H), полученных методами НЧ плазмохи-мического осаждения и реактивного распыления…	Мишустин, Владислав Геннадьевич	2008
Исследование ловушек и электронного транспорта в оксидокремниевых композитах Тем не менее, наличие нескольких слоев в ТПИ существенно ухудшает его теплофизические свойства. Это обстоятельство, прежде всего, выражается в увеличении теплоемкости и приводит к увеличению инерционности отклика прибора на его основе. В этой связи, весьма перспективной является разработка новых композиционных материалов, совмещающих в себе…	Григорьев, Леонид Владимирович	2008
Исследование особенностей процесса газофазной эпитаксии слоев GaN и AlGaN из металлорганических соединений и оптимизация роста на подложках сапфира и SiC для приборных применений В технологии полупроводниковых приборов изготовление собственно приборов совмещено с процессами синтеза материалов. Это определяет фундаментальную роль ростовых явлений и исследований механизма роста. Микроминиатюризация отдельных приборов в сочетании с увеличением диаметра исходных пластин предъявляет определенные требования к анализу ростовых…	Заварин, Евгений Евгеньевич	2008
Исследование фотосенсибилизированной генерации синглетного кислорода в ансамблях кремниевых нанокристаллов С другой стороны, огромная удельная поверхность ПК делает его хорошим модельным объектом для исследования фундаментальных закономерностей адсорбционных процессов, природы и свойств указанных точечных дефектов на поверхности nc-Si, обладающих в большинстве своем ненулевым спином (спиновых центров (СЦ)), и, кроме того, открывает перспективу для…	Демин, Вячеслав Александрович	2008