Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10

Тема работы	Автор	Год
Внутризонные инверсии населенности и поглощение излучения среднего инфракрасного диапазона в квантовых ямах на основе соединений AIIIBV В настоящей работе исследуется также внутризонное поглощение света в КЯ при приложении электрического поля вдоль квантово-размерных слоев. В таких условиях температура электронов может сильно отличаться от температуры решетки. Оптические явления, возникающие благодаря разогреву носителей заряда, интересны с физической точки зрения и могут быть…	Зерова, Вера Львовна	2006
Воздействие ионизирующих излучений и импульсных магнитных полей на поверхностные свойства полупроводников Сложность анализа поверхностных радиационных эффектов в полупроводниках и МОП структурах состоит в том, что наблюдаемые изменения электрофизических параметров являются интегральным результатом дефектообразования, происходящего по разным механизмам в полупроводнике, диэлектрике и на границе их раздела. Для корректной интерпретации экспериментальных…	Татаринцев, Александр Владимирович	2006
Встраивание мышьяка и фосфора при молекулярно-лучевой эпитаксии твёрдых растворов (AIII)PxAs1-x Наиболее производительной является МОС-гидридная технология. Она позволяет получать как толстые слои постоянного состава, так и сложные гетерострукгуры с относительно тонкими слоями и практически резкими гетерограницами. К недостаткам данной технологии следует отнести высокую летучесть и крайнюю токсичность используемых материалов, а также…	Путято, Михаил Альбертович	2006
Гетероструктуры на основе халькогенидов европия и свинца Первые «идеальные» гетеропереходы для различных полупроводников были приведены в патенте Г. Кремера [4]. Примерно в тоже время была составлена «карта мира» гетероструктур с «идеальным» решеточным согласованием. При этом исследуемые в данной работе материалы в нее не вошли, однако попытки создать и использовать для получения экситонного газа…	Никольская, Людмила Владимировна	2006
Двухэлектронные примесные центры с отрицательной корреляционной энергией в халькогенидных структурно-разупорядоченных полупроводниках При замещении электрически активным примесным атомом атома решетки в запрещенной зоне полупроводника образуется энергетический уровень, способный при изменении положения химического потенциала отдавать (или принимать) один электрон - так называемые «одноэлек-тронные центры». Однако известны случаи, когда примесные атомы при взаимодействии с…	Кастро Арата Рене Алехандро	2006
Длительная кинетика люминесценции зона-примесь в GaAs и твёрдых растворах на его основе В работе [5] была предложена модель механизма рекомбинации, объясняющая наблюдаемое в GaAs длительное затухание ФЛ зона-акцептор влиянием многократных захвата и эмиссии неравновесных электронов мелкими ловушками - процессов, не рассматривавшихся ранее в данном материале. Основываясь на температурной зависимости эффекта, было высказано…	Николаенко, Андрей Евгеньевич	2006
Инжекционные лазеры на основе квантовых ям и квантовых точек на подложках GaAs, излучающие на длине волны 1.3 мкм Для использования в BOJIC требуются высокомощные одномодовые полупроводниковые лазеры. Узкий спектральный характер лазерного излучения обеспечивает минимизацию хроматической дисперсии и позволяет реализовать передачу нескольких неперекрывающихся сигналов на разных длинах волн в пределах одного окна прозрачности волокна. Высокая излучаемая мощность…	Никитина, Екатерина Викторовна	2006
Исследование A+ центров в двумерных структурах на основе GaAs В отсутствие магнитного поля ион Н~ имеет одно синглетное состояние с энергией связи 0.055 Eq /2/, где Eq = т*е4/2Ь2с2 — эффективный ридберг. В полупроводниках, по причине малости эффективной массы носителей заряда и большой диэлектрической постоянной, энергия связи А+ и D" центров в несколько тысяч раз меньше, чем энергия связи иона Н-. Поэтому…	Петров, Павел Вячеславович	2006
Исследование неупругого рассеяния быстрых электронов на внутренних оболочках атомов гетерокомпозиций Рисунок 31 - Фильтрованные по энергии изображения слоя атомов кремния, расположенного в кристалле германия толщиной г = 90 нм, находящегося в точном отражающем положении для рефлекса 022: а - изображение получено в прошедших электронах; б - изображение получено в электронах сильнейшего из дифрагированных пучков; в и г - изменение интенсивности…	Зыков, Алексей Владимирович	2006
Исследование структуры поверхности кремния по оптическому отражению Например, еще несколько лет назад доза легирующей примеси при ионной имплантации и неравномерность дозы по пластине почти всегда контролировалась по методике измерения слоевого сопротивления [4,5]. При этом необходима процедура отжига после имплантации, что в свою очередь, требует временных и финансовых затрат, плохо согласуется 'с поточным…	Герасименко, Николай Николаевич	2006
Исследование электрофизических и оптических характеристик кремниевых МОП структур с туннельно-тонким диэлектриком Большое разнообразие весьма любопытных свойств туннельных МОП структур обусловлено инжекцией горячих носителей, которая имеет место практически всегда, так как напряжение на окисле реально составляет от долей до единиц Вольт. В процессе энергетической релаксации носителей в Si (чаще всего речь идет об электронах) происходят генерация новых…	Векслер, Михаил Исаакович	2006
Исследование эпитаксиальных слоев GaAs и одиночных квантовых ям (In, Ga)As/GaAs методами фото- и электроотражения Исследуемые в настоящей работе сверхчистые эпитаксиальные слои и квантовые ямы (КЯ) на основе арсенида галлия являются базовыми материалами и структурами для современной опто- и наноэлектроники…	Комков, Олег Сергеевич	2006
Квазиландауское магнитопоглощение "ридберговских" состояний экситона в полупроводниках Большое многообразие других магнитооптических явлений, таких как эффекты Фарадея, Фохта и т.п. оказалось возможным рассматривать на общей физической базе как следствия оптических переходов в «основных» эффектах…	Абдуллаев, Магомед Абдуллаевич	2006
Квантовые явления в 2D наноструктурах пониженной симметрии Изучение свойств сверхчистого теллура очень важно и для совершенствования технологии создания сложных полупроводниковых соединений (Ь^Те, СёТе, РЬ1.х,8пх,Те, Сс11.х,Н§х,Те и т.д.), имеющих широкое практическое применение при производстве полупроводниковых приборов. Теллур в таких соединениях является одной из компонент, поэтому он должен быть…	Березовец, Вячеслав Анатольевич	2006
Кинетические свойства размерно-квантованных систем в электрическом и магнитном полях Так, внешние электрическое и магнитное поля способны принципиально менять энергетический спектр носителей заряда и волновые функции (например, в КЯ в перпендикулярном поверхности магнитном поле спектр энергий становится полностью квантованным (квазинульмерным…	Хамидуллин, Рустам Ангамович	2006
Кинетические явления в твердотельных электронных биллиардах Их можно условно разделить на два типа — закрытые и открытые. Закрытыми являются биллиарды, полости которых связаны с макроскопическим двумерным газом через узкие контакты. К таким системам относятся биллиарды типа «цирк», «квадрат», «стадион». Время жизни электрона в закрытом биллиарде достаточно велико и энергетические уровни размерного…	Погосов, Артур Григорьевич	2006
Магнитные свойства и проводимость кристаллов группы флюорита, содержащих ЯН-теллеровские комплексы примесных d-ионов В настоящее время резко повысился спрос на материалы, обладающие необычными свойствами. Благодаря ряду особенностей, флюориты как полупроводники могут оказаться перспективными материалами. Но, поскольку они привлекли пристальное внимание лишь в последнее десятилетие, их возможности до конца не изучены. В частности, до настоящего времени остались…	Варламов, Александр Геннадьевич	2006
Магнитооптические эффекты в полупроводниковых наноструктурах с примесными центрами атомного и молекулярного типа Магнитное поле может стабилизировать связанные состояния не только атомного, но и молекулярного типа [9]. В случае примесей молекулярного типа в полупроводниковых наноструктурах появляются новые возможности для управления термами молекулярных состояний, где важную роль начинают играть расстояние между примесными атомами и пространственная…	Грунин, Александр Борисович	2006
Методы формирования трёхмерных микро- и наноструктур на основе напряжённых SiGe/Si плёнок Одним из перспективных методов, который позволяет решить проблему воспроизводимого создания наноструктур, является метод формирования прецизионных трёхмерных (30) нанооболочек, основанный на управляемом изгибе и сворачивании освобождённых от связи с подложкой напряжённых плёнок [8-11]. Данным методом были получены прецизионные по диаметру и длине…	Голод, Сергей Владиславович	2006
Микролазеры на основе гетероструктур с InGaAs квантовыми точками с резонаторами, сформированными селективным окислением слоев AlGaAs На данный момент наиболее перспективными типами полупроводниковых микролазеров являются поверхностно-излучающие лазеры на основе вертикального микрорезонатора (ПИЛВМ), в которых оптическая волна распространяется в направлении, перпендикулярном к плоскости активной области (в направлении роста) [1], и микродисковые лазеры (МДЛ), где свет…	Блохин, Сергей Анатольевич	2006