Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10

Тема работы	Автор	Год
Электрофизические свойства твердых растворов на основе PbTe:Tl и SnTe:In при изовалентном замещении атомов в подрешетке халькогена Состояния примесей III группы в AIVBVI формируются короткодействующим некулоновским потенциалом вследствие высокой диэлектрической проницаемости материалов^малой эффективной массы носителей заряда и высокой концентрации электрически активных собственных дефектов, поэтому их параметры сильно зависят от состава матрицы. В связи с этим замещение…	Черняев, Антон Валентинович	2005
Эмиссия электронов с поверхности полупроводников, стимулированная электрическим полем и гетерогенной химической реакцией При взаимодействии активных газов с твердыми телами могут возникать различные явления. Эти явления сложны и многообразны, они сопровождаются перераспределением поверхностных химических связей, возникновением поверхностных электронных состояний, изменением поверхностных электронных зон, структурными перестройками. Возникающие при протекании…	Седов, Александр Викторович	2005
Эпитаксиальные фоточувствительные структуры на основе теллуридов свинца-олова Установлено, что при температурах Т < 20-г25К проводимость легированных индием плёнок СОТ, для которых наблюдается «переход в диэлектрическое состояние», в значительной степени определяется объемным зарядом, инжектированным в образец из контактов, т.е. определяющим механизмом протекания тока при низких температурах является ток, ограниченный…	Климов, Александр Эдуардович	2005
Анализ особенностей оптических и электрических свойств сложных алмазоподобных полупроводников и гетероструктур на их основе Как известно, многие оптические и электрические свойства полупроводников, определяемые электронной подсистемой, существенным образом зависят от рассеяния носителей заряда на фононной подсистеме и различных дефектах кристаллической решетки, основными из которых в монокристаллах являются примесные атомы [19-24]. В общем случае процессы рассеяния…	Борисенко, Сергей Иванович	2004
Анизотропные полупроводниковые датчики интенсивности излучения миллиметрового диапазона В первой главе приводится краткий обзор литературы, посвященной исследованиям термоэлектрических эффектов. На основе законов термодинамики показывается, что в средах с анизотропией термо-ЭДС могут существовать поперечные термоэлектрические эффекты. Рассматриваются механизмы возникновения термо-ЭДС в различных средах, а также условия осуществления…	Казарян, Ваган Артаваздович	2004
Асимметричные гетероструктуры со сверхтолстым волноводом и мощные полупроводниковые лазеры с малыми внутренними потерями на их основе …	Слипченко, Сергей Олегович	2004
Взаимосвязь транспортных, структурных и магнитных свойств слабодопированного магнитного полупроводника La1-xSrxMnO3(X=0,175) Взаимодействие спиновых, зарядовых и орбитальных степеней свободы с одной стороны обуславливает совокупность необычных физических свойств, а с другой стороны создает большие трудности в интерпретации экспериментальных результатов [10,11]. В первые годы интенсивного исследования манганитов основное внимание было обращено на поиск новых химических…	Капралов, Александр Владимирович	2004
Влияние адсорбционного покрытия поверхности кремниевых нанокристаллов на электронные и оптические свойства их ансамблей В последнее время научные и технологические ресурсы многих научных лабораторий были направлены на создание сенсоров, основанных на использовании кремниевых технологий. С этой точки зрения ПК представляет значительный интерес. Действительно, особенностью ПК является его большая удельная поверхность, достигающая величины…	Осминкина, Любовь Андреевна	2004
Влияние электрического поля на электронные процессы в стеклообразных полупроводниках Повышение степени интеграции современных полупроводниковых схем привело к тому, что разработчики вновь обратили внимание на функциональные двухэлектродные элементы памяти /5/, и в ряде ведущих фирм начались разработки микросхем памяти на основе ХСП. Проектировщиков привлекает, прежде всего, возможность разработки на их основе элементов…	Файрушин, Альберт Рафикович	2004
Дефекты с глубокими уровнями в структурах А3В5 и их взаимодействие с квантовыми точками Генерация EL2 дефекта в n-GaAs при радиационном 126 облучении протонами и электронами высокой энергии Бистабильные свойства радиационного El дефекта в 136 легированных Si эпитаксиальных слоях AlxGaixAs. Радиационные дефекты с глубокими уровнями в солнечных 143 элементах на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs…	Соболев, Михаил Михайлович	2004
Закономерности развития винтовой неустойчивости в кремниевых осциллисторах Механизм нарастания ВН в принципе сводится к следующему. В электронно-дырочной плазме всегда возникают флуктуации плотности носителей заряда. Внешнее электрическое поле, действуя на эти флуктуации, стремится разделить их на электронные и дырочные составляющие. Разделение заряда создает собственное электрическое поле возмущения, которое направлено…	Дробот, Павел Николаевич	2004
Измерение модуля упругости высокотемпературных полупроводниковых материалов и других твердых тел методом сканирующей силовой микроскопии Главной тенденцией развития микроэлектроники на протяжении нескольких последних десятилетий является уменьшение размеров приборных структур. В современных интегральных микросхемах они составляют порядка единиц микрометров и менее…	Усеинов, Алексей Серверович	2004
Исследование временной стабильности и моделирование параметров фотоприемников из антимонида индия с целью оптимизации их конструкции и технологии В этом отношении особенный интерес представляет исследование шумовых свойств приборов, так как они, наряду с чувствительностью, определяют основополагающий параметр - обнаружительную способность фотоприемников…	Недоруба, Денис Алексеевич	2004
Исследование динамических режимов работы газовых сенсоров с целью повышения их избирательности К таким сенсорам относятся металлооксидные сенсоры, обратимо меняющие свое сопротивление в результате окислительных реакция с кислородом воздуха и восстанавливающими реагентами, к которым относятся многие газы (СО, СН4, ЫНз), а также пары большого числа органических веществ (спирты, ацетон, бензол и т.д.). История развития указанных сенсоров…	Титов, Александр Васильевич	2004
Исследование одноэлектронных и двухэлектронных примесных центров в полупроводниках методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии Известно, что при замещении электрически активным примесным атомом атома решетки в запрещенной зоне полупроводника образуется либо до-норный, либо акцепторный уровень, способный при изменении положения уровня Ферми отдавать (принимать) один электрон ("одноэлектронные" центры). Однако существуют дефекты, способные при взаимодействии с…	Кожанова, Юлия Владимировна	2004
Исследование физической природы гетеропереходов органический-неорганический полупроводник и их применение В настоящее время синтезировано более 100 металлфталоцианинов и более десятка из них отобраны по своим характеристикам для использования в различных полупроводниковых устройствах…	Федоров, Михаил Иванович	2004
Квантовые точки I и II типа В начале нового XXI века продолжается более тесная интеграция микро и оптоэлектроники. Оптические методы передачи и обработки информации весьма привлекательны благодаря значительно большей плотности информации в единице объема, высокой скорости записи и обработки. Гетероструктуры в системе AlAs-GaAs и гораздо в большей степени в системе Si/Ge/Si…	Макаров, Александр Геннадьевич	2004
Кинетические и контактные явления в анизотропных и неоднородных полупроводниках Явления, возникающие на контактах металл-полупроводник, вызывают интерес у многих исследователей [7-9]. Это не случайно: как известно, резил стивные и контактные явления остаются одними из наиболее информативных при исследованиях полупроводниковых материалов и структур. В частности, одними из важнейших характеристик контакта являются…	Филиппов, Владимир Владимирович	2004
Коллективные эффекты в электрон-дырочной плазме и их влияние на излучательную рекомбинацию в полупроводниковых низкоразмерных лазерных гетероструктурах К началу данной работы импульсы сверхизлучения субпикосекундной длительности наблюдались в излучении инжекционных лазеров с помощью оптического автокоррелятора [2,3]. Кроме того, были предприняты попытки теоретического описания особенностей сверхизлучательных процессов в квантоворазмерных гетероструктурах [4]. Тем не менее, детального исследования…	Карачинский, Леонид Яковлевич	2004
Лазерная спектроскопия неравновесных процессов в полупроводниковых квантовых нитях и точках Совершенствование методов выращивания наноструктур привело к появлению новых классов квантовых нитей и точек, обладающих рядом интересных физических свойств. К ним в первую очередь следует отнести самоорганизованные квантовые точки, V- и Т- образные квантовые нити и квантовые нити с диэлектрическими барьерами…	Жуков, Евгений Алексеевич	2004