Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10

Тема работы	Автор	Год
Исследование фотодиодных структур на основе фосфида галлия и твердых растворов A III B V для селективных фотоприемников В то же время, для ряда применений, в частности, в приборах детектирования озоновых дыр, пожарных сигнализация, сенсорах бактериологического заражения, требуются селективные коротковолновые фотоприемники, нечувствительные к видимому свету. В настоящее время в ультрафиолетовом диапазоне в основном применяют фотодетекторы на основе кремния. К…	Тарасов, Сергей Анатольевич	2001
Исследование электронных свойств поверхности и внутренних границ раздела эпитаксиальных слоев GaAs методом спектроскопии фотоотражения Приготовление атомарно-чистой, упорядоченной поверхности GaAs с заданными электронными свойствами является необходимым условием для решения целого ряда научных и прикладных задач, в том числе для исследования процессов адсорбции и изготовления полупроводниковых фотоэмиттеров с отрицательным электронным сродством. При разработке методов…	Шайблер, Генрих Эрнстович	2001
Исследование явлений самоорганизации при эпитаксии гетероструктур Современные экспериментальные работы по исследованию поверхности, базирующиеся на широком применении приборов и методов структурного анализа (рентгеноскопия, фотоэлектронная спектроскопия, электронная микроскопия, туннельная микроскопия), как правило, сочетаются с комплексным моделированием процессов и явлений, которые проясняют картину…	Жаринова, Наталья Николаевна	2001
Кинетические коэффициенты прыжкового переноса и плотность электронных состояний в неупорядоченных системах с сильной локализацией носителей заряда Однако возможности экспериментального определения плотности локализованных состояний остаются весьма ограниченными. Особенно сложной эта задача становится при анализе систем с сильной локализацией носителей заряда, когда одновременно присутствуют и взаимосвязаны различные механизмы локализации…	Потапова, Дарья Александровна	2001
Механизм и условия формирования скрытых слоев монокристаллической фазы дисилицида кобальта в кремнии в процессе ионно-лучевого синтеза Такие преимущества метода ионно-лучевого синтеза открывают ему широкие перспективы для решения широкого круга прикладных задач, которые одновременно ставят ряд научных проблем. В промышленности метод ИЛС уже нашёл применение при изоляции скрытых диэлектрических слоёв активных элементов СБИС от подложки кремния. Синтез же слоёв с металлической…	Боженов, Александр Вячеславович	2001
Механизмы излучательной рекомбинации в гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами Впервые в области малых токов <0.1 мА в спектрах СД с максимумом в зеленой области видимого спектра обнаружен дополнительный длинноволновый максимум 1.924-2.02 эВ, соответствующий туннельному излучению (ранее туннельное излучение в нитридных структурах наблюдалось только для синих СД с одиночными квантовыми ямами в области 2.2-2.4 эВ). При этом…	Кудряшов, Владимир Евгеньевич	2001
Многослойные полупроводниковые структуры с неоднородно распределенными параметрами Прогресс современной микроэлектроники в значительной степени определяется изучением свойств именно систем с неоднородно распределёнными параметрами, развитием методов эффективного теоретического анализа таких систем, разработкой и обеспечением объективными методами контроля технологических процессов, позволяющих создавать слои материалов и…	Бормонтов, Евгений Николаевич	2001
Моделирование и экспериментальное исследование преципитации кислорода в кремнии Технология «кремний на изоляторе», в основе которой также лежит преципитация кислорода, выводит современное производство ИС на качественно новый уровень, позволяет достичь высочайшей степени миниатюризации. В частности, совсем недавно фирма ЮМ анонсировала выпуск нового процессора Power 4, изготовленного по 0.13-микронной SOI-технологии, способной…	Приходько, Олег Владимирович	2001
Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота Одной из основных технологий получения широкозонных материалов эпитаксиального качества является молекулярно-пучковая эпитаксия (МПЭ). Разрабатываемая с начала 70-х годов, эта технология обеспечивает уникальные возможности точного контроля параметров растущих слоев, в т.ч. и на атомарном уровне, необходимого при изготовлении квантоворазмерных…	Жмерик, Валентин Николаевич	2001
Морфология гетерограниц и транспорт дырок в сверхрешетках GaAs/AlAs(311)А В сверхрешетках GaAs/AlAs (311)А, выращенных методом МЛЭ, существует анизотропный апериодичный волнообразный рельеф гетерограниц глубиной до 6 монослоев (10.2 А), гребни которого ориентированы вдоль направления [2 33], а в перпендикулярном к нему направлении [011] характерный латеральный масштаб рельефа составляет сотни ангстрем…	Воробьёв, Александр Борисович	2001
Мощные излучающие диоды на основе двойных гетероструктур в AlGaAs Я (^мах) - длина волны (в максимуме) излучения, нм, мкм; Р(у) " удельное сопротивление полупроводника, Ом/см; г\|0 - коэффициентом вывода излучения, (%); t\|¡ . внутренний квантовый выход электролюминесценции, (%); Ркр, Ркп - удельное контактное сопротивление контакта к р и n-области, соответственно…	Вилисов, Анатолий Александрович	2001
Неразрушающая диагностика электронных свойств структур на основе SiC и GaAs/AlGaAs Несмотря на те технологические трудности, которые были обусловлены упомянутыми свойствами SiC (термостабильность, механическая прочность, химическая инертность), к началу 90-х годов в технологии получения карбида кремния был достигнут прорыв, который вплоть до настоящего времени обеспечивает ее устойчивое развитие [7…	Титков, Илья Евгеньевич	2001
Оптические свойства структур с квантовыми точками в системе (In, Ga, Al)As Кроме возможности исследований фундаментальных физических свойств таких структур, использование структур с КТ позволяет создать электронные и оптоэлектронные приборы с уникальными характеристиками. Наиболее потенциально важной областью применения структур с КТ являются инжекционные лазеры [3]. Мировой рынок лазеров на гетероструктурах вырос на…	Воловик, Борис Владимирович	2001
Особенности формирования фазовых неоднородностей в гетероэпитаксиальных слоях InP и InGaAs При рассмотрении влияния неравновесной границы раздела чаще всего ограничиваются двумя предельными случаями проявления неоднородностей: структурной неоднородностью в виде сетки дислокаций несоответствия (ДН) при формировании резкой границы и фазовой неоднородностью в виде переходного слоя в случае протяженной границы. Первый случай реализуется в…	Субач, Сергей Владимирович	2001
Планарная неоднородность фоточувствительности кремниевых фотоэлектрических преобразователей Экономические законы и опыт развития мировой экономики показывают, что рациональная структура использования природных ресурсов в долгосрочной перспективе стремится к структуре, имеющихся их запасов в Земле [15]. Если учесть, что кремний в земной коре по массе занимает второе место после кислорода, то в перспективе, в качестве глобального источника…	Юрченко, Алексей Васильевич	2001
Полевые и биполярные приборы на основе карбида кремния Таким образом, перечисленные свойства БЮ открывают перспективу создания новой элементной базы высокотемпературной и радиационно-стойкой электроники, мощной и СВЧ электроники. Исходя из сказанного очевидно, что реализация приборов полупроводниковой электроники на основе 81С и всестороннее изучение происходящих в них электронных процессов…	Иванов, Павел Анатольевич	2001
Полупроводники с модифицированной поверхностью - регулярный микрорельеф и квантово-размерные нанокристаллиты Потребности практики приводят к необходимости всестороннего исследования свойств полупроводников с профилированной поверхностью, тех особенностей оптических и фотоэлектрических свойств, которые могут возникать при взаимодействии света с неоднородностями масштаба длины волны. При этом можно было ожидать появления различных резонансных эффектов…	Сресели, Ольга Михайловна	2001
Полупроводниковые силициды хрома, железа и магния на Si(111) При уменьшении толщины осаждаемого металла до долей и единиц монослоев на поверхности кремния образуются островки полупроводниковых силицидов нанометровых размеров [99-101], в которых могут проявляться квантовые эффекты (нульмерные объекты). Переход от тонких сплошных (трехмерных и двумерных) эпитаксиалъных пленок к островковым эпитаксиальным…	Галкин, Николай Геннадьевич	2001
Полупроводниковые слои и гетероструктуры на основе халькогенидов цинка, кадмия и бериллия, формируемые методом молекулярно-пучковой эпитаксии На сегодняшний день реальную технологическую возможность перекрытия синезеленого (490-530 нм) спектрального диапазона удалось продемонстрировать только при…	Сорокин, Сергей Валерьевич	2001
Структурная модификация свойств пленок аморфного углерода Известно, что аморфные материалы возможно получить исключительно при неравновесных условиях технологического процесса. Неравновесность условий получения приводит к весьма сильной зависимости атомной структуры материала, его фазового и компонентного состава, параметров неоднородностей не только от метода приготовления, но и от режимов…	Воронцов, Владимир Анатольевич	2001