Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Для создания развязывающих элементов в ячейке памяти необходимо использовать транзисторы или диоды, а для этого необходимы полупроводники обоих типов проводимости (электронного и дырочного типов). В настоящее время существует несколько систем халькогенидных стеклообразных полупроводников, обладающих электронным типом проводимости, на основе…

Научная новизна работы определяется тем, что в ней впервые: 1. Проведены комплексные исследования особенностей ватт-амперных и спектральных характеристик лазерных диодов на основе квантоворазмерных двойных гетероструктур раздельного ограничения ЫСаАвРЛпР при высоких уровней электрической накачки (до 60 кА/см2…

Научная новизна Впервые было исследовано поведение Zn и неравновесных собственных дефектов на начальной стадии диффузионного процесса (НСД), то есть, на стадии нагрева системы от комнатной температуры до температуры изотермического процесса диффузии. Обнаружен пороговый характер диффузии Ъх\ в 1пР, при этом коэффициент диффузии части цинка в…

Робота присвячена вивченню модифікації складу і властивостей приповерхневих шарів напівпровідникового матеріалу та явищ у складній гетерогенній системі, газова фаза якої містить атоми (радикали) водню у надрівноважній концентрац…

Д=150мэв [5]. Вследствие этого происходит перетекание электронов из валентной зоны ОаБЬ в зону проводимости 1пАб с возникновением на гетерогранице высокой плотности пространственно разделенных электронов и дырок что приводит к большой вероятности непрямой (туннельной) рекомбинации [6]. Такие гетеропереходы получили название «разъединенные…

Огромный прогресс в физике тонких пленок оказался возможным благодаря достижениям в технике высокого и сверхвысокого вакуума. В настоящей работе используются два современных и перспективных метода получения тонких пленок - ионно - плазменное распыление и молекулярно лучевая эпитаксия…

Эти недостатки термического отжига стимулировали поиск альтернативных видов отжига. Исследуемые в последние годы радиационные виды отжига характеризуются принципиально иным механизмом нагрева полупроводника. Источник радиации взаимодействует с электронной подсистемой кристалла. При этом в полупроводнике генерируется электронно-дырочная плазма…

Тема работы, направленная на исследование свойств, разработку и оптимизацию мощных одномодовых и многомодовых лазерных диодов в системах твердых растворов InGaAs/AlGaAs/GaAs и InGaAsN/AlGaAs/GaAs является актуальной как с научной, так и с практической точек зрения…

ПТФЭ) с учетом физической структуры материала и определение путей повышения величины и стабильности гомозаряда пленочных электретов, получаемых в плазме тлеющего разряда. Научная новизна работы…

Практическая значимость работы состоит в том, что расширяется возможность применения арсенида галлия, так как в области упорядочения примесных комплексов исследуемый материал представляет собой новый класс сильно легированных полупроводников, кинетические явления в которых не контролируются уровнем легирования. Обнаруженное явление открывает…

Наиболее общий случай неустойчивости может быть изучен на примере электронно-дырочной плазмы (ЭДП) в неоднородных по типу проводимости полупроводниковых структурах (НПС) с несколькими участками отрицательного дифференциального сопротивления (ОДС) на вольт-амперной характеристике (ВАХ), что в объязательном порядке является следствием действия…

Сильно легированные полупроводники широко используются в силовой и эмиссионной электронике, интегральной микроэлектронике. В современной технологии производства транзисторов, солнечных элементов и других полупроводниковых приборов используется широкий диапазон концентрации примесей. Высокая степень легирования позволяет увеличить внутренний…

Таким образом, для направленного совершенствования параметров ПИ на основе кристаллов силленитов необходимо установить механизм и природу фотогенерации и перераспределения носителей зарядов (НЗ), обобщить всё разнообразие наблюдаемых явлений, происходящих как в многослойных структурах, так и в изолированном кристалле, создать эквивалентную…

К началу наших исследований пайерлсовское состояние в квазйодномерных проводник исследовалось в основном с помощью изучения проводимости вдоль цепочек, ее зависимости от темпетатуры, электрического поля, а также при воздействии а…

Не смотря на значительные успехи в исследовании комплексообразования в полупроводниках, к настоящему времени не вполне ясны микроскопические механизмы образования ассоциированных дефектов. Кроме того, нет единого подхода в построении термодинамических моделей образования ассоциатов, а иногда и отдельных простых дефектов [1…

В последние годы был предложен ряд моделей зародышевого роста, в той или иной степени обобщающих, ставший уже классическим, подход работ [1,4,5]. Наибольшие успехи были достигнуты при описании субмо-нослойных стадий кристаллизации. В то же время практически неисследованными остались вопросы формирования сплошного кристаллического слоя и…

В последние годы наиболее значительные успехи в области физики полупроводников связаны с созданием или использованием структур с пониженной размерностью. Уникальные электрофизические свойства систем с квантовыми нитями, квантовыми точками и ¿-легированными слоями открывают возможности создания принципиально новых полупроводниковых приборов…

К середине 70-х годов в ряде монографий довольно полно изложены классические представления о формировании потенциального барьера и механизмах переноса носителей заряда и, фактически, подведен итог начального этапа исследований диодов с барьером Шоттки (ДБШ) за период, завершившийся в основном в начале 70 годов. К этому времени (1973 г.) относится…

…

Принципиальное научное положение данной работы состоит в том, что необходимо рассматривать так называемые "глубокие" центры как сугубо частный случай локализованных примесных центров (ЛПЦ), которые характеризуются существенно более сложной электронной структурой. Последняя может включать и "глубокий" уровень энергии в указанном выше смысле, но…