Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10

Тема работы	Автор	Год
Оптические свойства слоев и гетероструктур на основе нитридов III группы В то же время, до начала 90-х годов, зеленые, и особенно синие и фиолетовые светодиоды имели значительно худшие характеристики. Непрямая зонная структура SiC ограничивала внешнюю квантовую эффективность промышленно выпускавшихся светодиодов на его основе величиной -0.04%. Лабораторные образцы синих светодиодов на основе GaN и твердых растворов…	Сахаров, Алексей Валентинович	2000
Оптические явления в полупроводниках и полупроводниковых наноструктурах, связанные с неравновесными свободными носителями заряда Физика полупроводников развивается в последние годы в значительной степени как физика полупроводниковых структур с пониженной размерностью. Большой интерес к оптическим исследованиям наноструктур вызывается как принципиально новыми физическими явлениями, которые можно наблюдать в квантово-размерных структурах, так и возможностью создания новых…	Фирсов, Дмитрий Анатольевич	2000
Оптические явления полупроводниках и полупроводниковых наноструктурах, связанные с неравновесными и свободными носителями заряда Физика полупроводников развивается в последние годы главным образом как физика полупроводниковых структур с пониженной размерностью. Большой интерес к оптическим исследованиям наноструктур вызывается как принципиально новыми физическими явлениями, которые можно наблюдать в квантово-размерных структурах, так и возможностью создания новых…	Фирсов, Дмитрий Анатольевич	2000
Оптоэлектронные методы исследования полей излучения С другой стороны оптические запоминающие устройства, оптические :истемы передачи информации и мониторинга среды оптическими ;игналами, стали возможными, в некотором смысле, незаменимыми :редствами и уже твердо вошли в жизнь…	Асатрян, Рубен Симонович	2000
Оптоэлектронные свойства светоизлучающих кремниевых структур Для увеличения эффективности люминесценции кремния предложены и активно разрабатываются несколько различных методов [1-3]. В одних модифицируется структура энергетических зон, в других, в кремниевую матрицу вводят ионы редкоземельных элементов, как активаторы люминесценции…	Каменев, Борис Владимирович	2000
Особенности дефектообразования в ионноимплантированных слоях арсенида галлия …	Комарницкая, Елена Александровна	2000
Особенности излучательной рекомбинации низкоразмерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs и GaAs/AlGaAs Объектами исследования являлись гетероструктуры ваАз/АЮаАз, содержащие квантовую яму ОаАз в диапазоне толщин 28-180Л, гетероструктуры ¡пОаАз/АЮаАБ, содержащие квантовую яму In0.2Ga0.gAs в диапазоне толщин 28-70Л, и гетероструктуры ЫОаАз/АЮаАБ, содержащие массивы квантовых точек ГпАв…	Кудряшов, Игорь Вениаминович	2000
Особенности распространения поверхностных и оттекающих акустических волн в монокристаллах и слоистых средах В последние годы большое внимание уделяется слоистым структурам, как дополнительному способу усовершенствования параметров прибора. Например, пьезоэлектрические пленки позволяют повысить КЭМС поверхностных волн, диэлектрические пленки из плавленого кварца позволяют улучшить термостабильность. Таким образом, нанесение различных тонких пленок на…	Диденко, Ирина Сергеевна	2000
Особенности рассеяния быстрых электронов на тепловых колебаниях при прохождении через тонкие кристаллы В ряде работ была сделана попытка учесть коррелированность смещений атомов в рамках модели мягкого потенциала в кинематическом приближении для металлического кристалла. Было показано, что учет деформационной способности потенциала приводит к появлению разрывов в Фурье - спектре неупругой дифракции электронов. Причем эффект этот может оказаться…	Карасев, Платон Александрович	2000
Особенности формирования импульса замедленной радиолюминесценции в органических диэлектриках Актуальність теми. Органічні молекулярні тверді тіла й рідини, що застосовуються як сцинтилятори, є типовими представниками органічних діелектриків. Для створення нових сцинтиляційних систем і розуміння фізичних процесів, які в них відбуваються, необхідний детальний розгляд радіолюмінесценції (РЛ) з урахуванням нових результатів, одержаних…	Ярычкин, Владимир Владимирович	2000
Парамагнетизм дефектов решетки кремния, имплантированного высокоэнергетичными ионами Xe и Kr Хорошо развитые .модели модификации полупроводниковых кристаллов при имплантации ионов низких энергий нельзя напрямую распространить на случай высокоэнергетичной имплантации. Несмотря на то, что исследование имплантации полупроводников ионами высоких энергий ведется уже несколько лет, уровень представлений о процессах, происходящих при облучении и…	Шумская, Елена Николаевна	2000
Поверхностные плазмон-фононные возбуждения в одновесных полупроводниках ZnO i 6H-SiC и структура на их основе Актуальність теми. Використання оптично-анізотропних одновісних поляр-их напівпровідників оксиду цинку і карбіду кремнію та структур на їх основі при творенні цілого ряду напівпровідникових приладів (в тому числі люмінесцентних ідикаторів, лічильників ядерних випромінювань, короткохвильових оптоелект-онних приладів, термо-, п’єзо- і тензодатчиків…	Мельничук, Александр Владимирович	2000
Полупроводниковые квантово-размерные гетероструктуры на основе широкозонных соединений A2 B6 Следует отметить, что для динамично развиваемых в последнее время гетероструктур АА-нитридов [5*], основных конкурентов ZnSe в сфере оптоэлектронных применений, по-прежнему проблематично получение стимулированного излучения в сине-зеленом спектральном диапазоне из-за принципиальных трудностей формирования малодефектных КЯ с большим содержанием 1п…	Иванов, Сергей Викторович	2000
Полупроводниковые квантово-размерные гетероструктурыпа основе широкозонных соединений А2 В6(основы технологии получения методоммолекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств) Следует отметить, что для динамично развиваемых в последнее время гетероструктур А3-нитридов [5*], основных конкурентов ZnSe в сфере оптоэлектронных применений, по-прежнему проблематично получение стимулированного излучения в сине-зеленом спектральном диапазоне из-за принципиальных трудностей формирования малодефектных (1п,Оа)Ы КЯ с большим…	Иванов, Сергей Викторович	2000
Получение и исследование полуизолирующего монокристаллического карбида кремния Все отмеченное выше обуславливает повышенный интерес к полупроводниковому 81С, который особенно усилился в последнее годы. В США, Японии, Германии и других промышленно развитых странах ведутся интенсивные исследования по БЮ, растет число фирм, занимающихся выращиванием кристаллов и эпитаксиальных слоев 81С, изготовлением приборов на его основе…	Решанов, Сергей Александрович	2000
Проблема создания металл-керамических соединений с использованием вакуум-плазменных технологий Важным технологическим этапом получения металлокерамического соединения является металлизация керамики. Металлизация керамики методом вакуумного осаждения металла обеспечивает образование металлизирующего покрытия с плотной структурой. Методы вакуумного напыления дают возможность на атомарном уровне воздействовать на процессы формирования…	Кривуца, Зоя Федоровна	2000
Радиационно-стимулированные процессы в кристаллах LiBaF3 Большая часть диэлектрических неорганических преобразователей излучений представляет собой двухкомпонентные щелочно-галоидные соединения. Вместе с тем возможности совершенствования таких материалов практически исчерпаны, а механизмы запасания и превращения в них энергии являются классическими. Поэтому внимание исследователей в последние годы…	Воронова, Валерия Васильевна	2000
Радиационные дефекты межузельного типа и их влияние на электрическую активацию и диффузию имплантированных примесей в кремний Ионная имплантация является в настоящее время основным методом создания легированных слоев полупроводников. Она обладает рядом неоспоримых преимуществ по сравнению с традиционными термодиффузией и эпитаксией. Этот метод отличает высокая чистота процесса, в том числе и изотопная, воспроизводимость по концентрации введенной примеси и глубине ее…	Челядинский, Алексей Романович	2000
Разработка, исследование свойств и оптимизация характеристик мощных InGaAsP/InP лазеров В связи с этим развитие данной концепции с использованием метода газофазной эпитаксии из металлорганических соединений (МОС-гидридной эпитаксии) и разработка на ее основе мощных InGaAsP/InP лазерных диодов позволяют считать тему работы актуальной как с научной, так и с практической точки зрения…	Лешко, Андрей Юрьевич	2000
Резонансное и брэгговское рассеяние быстрых электронов от совершенных поверхностей InAs и GaAs в дифракции на отражение Аналитические методы, использующие электроны средних и высоких энергий, нашли широкое применение для диагностики поверхности твёрдого тела. Наряду с классическим методом анализа поверхности - дифракцией электронов низкой энергии (ДЭНЭ, LEED) [5] , спектроскопия квазиупруго отражённых быстрых электронов и спектроскопия характеристических потерь…	Мансуров, Владимир Геннадьевич	2000