Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10

Тема работы	Автор	Год
Экстремальные токи в полупроводниковых структурах АКТУАЛЬНІСТЬ РОБОТИ. Протіканню струмів великої густини через неоднорідні структури напівпровідникових приладів присвячена велика кількість досліджень. Цікавість до них с зрозумілою, оскільки гранична потужність роботи приладу визначається процесами протікання в ньому струму великої густини та розігріву ним приладу. З іншого боку, великий інтерес…	Ищук, Лариса Вадимовна	2000
Электрические и рекомбинационные свойства нейтронно-легированных твердых растворов Si1-x Ge x со стороны кремния В связи с большим практическим и научным интересом к твердым растворам например, с созданием быстродействующих транзисторов с граничной частотой свыше 100 Ггц /83/, представляет интерес проблема их нейтронного легирования. Особый интерес здесь связан с возможностью получения в результате нейтронного легирования материала различного типа…	Чеканов, Валерий Александрович	2000
Электрические и фотоэлектрические свойства диодных структур на базе монокристаллического теллурида кадмия Актуальність теми. Телурид - кадмію є .. одним з _ найбільш перспективних матеріалів для створення різноманітних приладів напівпровідникової електроніки, що спричинено низкою його фізико-хімічних та технічних параметрів, Відносно широка заборонена зона (£В=Г,5 еВ при 300 К) забезпечує роботу приладів в області високих температур і, крім того…	Демич, Николай Васильевич	2000
Электронная микроскопия полупроводниковых структур с наноразмерными включениями Получение новых материалов полупроводниковой электроники требует соответствующих методов характеризации и контроля. Это становится особенно важно при уменьшении размера и понижении размерности активных элементов полупроводниковых структур, так как характер протекающих процессов в этом случае определяется как их геометрическим размером, так и…	Мусихин, Юрий Геннадьевич	2000
Электронная структура дефектов в оксиде и нитриде кремния В первой главе представлен литературный обзор экспериментальных и теоретических работ, посвященных исследованию оксида и нитрида кремния. Рассматриваются основные работы по исследованию дефектов, ответственных за локализацию электронов (дырок) в этих материалах. Описывается метод расчета, применяемый в настоящей работе…	Новиков, Юрий Николаевич	2000
Электронная структура и спектроскопия полупроводниковых и кластерных систем углерода и кремния Следование этим принципам определило междисциплинарный характер данной работы: по сути исследуемых явлений, она относится к электронной теории ковалентных полупроводников, молекулярных кристаллов, кластерных и многоатомных систем; по применяемым методам расчета электронной структуры - к квантовой химии; по постановке задач для расчетов, - к…	Моливер, Сергей Соломонович	2000
Электронная структура, состав и фотолюминесценция пористого кремния Однако, этот перспективный материал является весьма сложным объектом для исследований. Его свойства и структура сильно зависят от технологии и режимов получения, поэтому представляет большой интерес определение зависимости свойств этого материала от его структуры и фазового состава. Кроме того, поскольку обнаружено, что свойства пористого кремния…	Мануковский, Эдуард Юрьевич	2000
Электронные и оптические процессы в легированных сверхрешетках на основе GaAs Квантоворазмерные эффекты служат основой создания полупроводниковых приборов нового поколения, в том числе достаточно мощных излучателей, пикосекундных оптических переключателей, высокочувствительных фотодетекторов. Компактность, малое энергопотребление, низкие пороги включения и высокая надежность способствуют тому, что в настоящее время многие…	Ушаков, Дмитрий Владимирович	2000
Электронный парамагнитный резонанс ионов группы железа и дефектов в оксидных и фторидных стеклах Во всех этих случаях возникает необходимость сравнения свойств и структуры стекол, получаемых по обычной технологии, и стекол, приготовленных с применением нетрадиционных методов…	Жачкин, Владимир Арефьевич	2000
Электронный транспорт в GaAs структурах при радиационном воздействии Наряду с проблемами использования излучений в технологических процессах остается актуальной задача повышения устойчивости к воздействию радиации характеристик полупроводниковых приборов, функционирующих в условиях открытого космоса и на АЭС…	Демарина, Наталия Витальевна	2000
Электрофизические и оптические свойства градиентных структур на основе стеклоподобного AsS Актуальність теми. У наш час не зникає зацікавленість дослідників до аморфних напівпровідників, плівки з яких вже знайшли широке практичне застосування в опто- та мікроелектроніці: захисні шари, просвітлюючі і відбиваючі дзеркальні покриття, розгалуджувачі променів, радіаційні детектори, підсилювачі світла й перетворювачі сонячної енергії, пасивн…	Шовак, Иван Иванович	2000
Энергетическая структура многоэлектронных атомов Теорию одноэлектронного атома в 1913 году представил Нильс Бор. В дальнейшем эту теорию развивали Дирак и статистическую модель развили Томас и Ферми. Сложность расчётов многоэлектронных атомов не позволяла решить задачу в аналитическом виде. Численные расчёты по методу самосогласованного поля развили Хартри- Фок. Однако отсутствие аналитического…	Кустов, Дмитрий Евгеньевич	2000
Энергетический спектр и вертикальная прыжковая проводимость сверхрешеток с контролируемым беспорядком Первые композиционные сверхрешетки, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии, появились в семидесятых годах [2,3]. В этом методе кристалл выращивают в вакууме, направляя на нагреваемую монокристаллическую пластину-подложку атомарные или молекулярные пучки требуемых веществ в необходимых пропорциях по отношению друг к другу. Далее вещество…	Ормонт, Михаил Александрович	2000
Арсенид галлия …	Потапов, Александр Иванович	1999
Атомная структура и электронные свойства границы раздела GaAs(100)-(Cs, O) В данной работе методами ЭОС, РФЭС, ДМЭ и СХПЭЭВР исследованы структурные и электронные свойства поверхности ОаАз(ЮО) после химической обработки и прогрева в сверхвысоком вакууме. Впервые показано, что эволюция сверхструктурных перестроек и электронных свойств такой поверхности аналогична наблюдавшейся на поверхности ОаА8(ЮО), приготавливаемой с…	Терещенко, Олег Евгеньевич	1999
Взаимодействие носителей заряда с акустическими фононами в низкоразмерных полупроводниковых системах Весьма интересным объектом, привлекающим к себе пристальное внимание теоретиков и экспериментаторов, являются квазидвумерные структуры с асимметричным квантующим потенциалом в параллельном плоскости структуры магнитном поле. Ранее проведенные исследования [4] показали, что в таких системах имеет место одновременное нарушение симметрии относительно…	Кибис, Олег Васильевич	1999
Взаимосвязь процессов лавинной инжекции горячих электронов и генерации поверхностных дефектов в системе кремний-двуокись кремния Полученные в работе новые сведения о механизмах влияния заряда поверхностных электронных состояний на протекание инжекционных токов через границу раздела 31-3102 могут быть использованы при создании лавинно-инжекционных при9 боров, элементов памяти, фотопреобразователей. Предложенные новые методики определения плотности ПС и пассивирования…	Супрунов, Владимир Владимирович	1999
Влияние внешних воздействий на диэлектрические и оптические свойства сегнетоэлектриков с различным электронным спектром Теория Гинзбурга-Андерсона-Кокрена (ГАК) получила непосредственное подтверждение при экспериментальном изучении фононных спектров ряда сегнетоэлектриков типа смещения методами инфракрасной спектроскопии, комбинационного рассеяния света и неупругого рассеяния тепловых нейтронов, обнаруживших «мягкие» ТО колебания решетки в этих кристаллах [3,6,9…	Барышников, Сергей Васильевич	1999
Влияние глубоких центров на задержку лавинного пробоя p-n - перехода …	Ионычев, Валерий Константинович	1999
Влияние глубоких центров на физические процессы в кремниевых барьерных структурах В большинстве случаев глубокие центры, создаваемые несовершенствами структуры, прямо или косвенно приводят к деградации полупроводниковых приборов. Наблюдаются «мягкие» обратные вольт-амперные характеристики, понижение пробивных напряжений, генерация шума, снижение процента выхода годных приборов. Применение бездефектного материала не является…	Холомина, Татьяна Андреевна	1999