Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10

Тема работы	Автор	Год
Исследование фотоэлектрических свойств неоднородных пленок CdS-PbS и структур на их основе Методика измерения ВАХ, ЛАХ, спектральных характеристик и коэффициента световой нестабильности. . . . Методика облучения поликристаллических пленок Сс18х8е1х и Сс18х8е1х-РЬ8 электронами средних энергий…	Стецюра, Светлана Викторовна	1999
Исследование электронной и атомной структуры систем Gd/GaAs(110) и Dy/GaAs(110) в широком интервале температур …	Чайка, Александр Николаевич	1999
Исследование эффектов анизотропии электронно-ядерных взаимодействий в диэлектрических кристаллах Изучение физических свойств магнитных диэлектриков продолжает привлекать внимание исследователей, поскольку успешное использование этих материалов в радиоэлектронике, вычислительной и СВЧ-технике базируется на возможности модифицировать их свойства в нужном направлении. Для осуществления такой возможности необходимо глубокое понимание природы…	Черепанов, Валерий Михайлович	1999
Исследование эффектов пространственной неоднородности накачки и оптического поля в полосковых инжекционных лазерах и полупроводниковых оптических усилителях Несмотря на большое количество экспериментальных и теоретических исследований лазеров с узким волноводом детальное рассмотрение самосогласованной динамической задачи о дрейфе/диффузии носителей и растекании тока с учетом реальных параметров цепи питания ранее не проводилось. Вышесказанное, в особенности, относится к оптическим усилителям, в…	Шаталов, Максим Сергеевич	1999
Кинетические эффекты в дислоцированных полупроводниках В последние годы открыты ряд эффектов, свидетельствующих о том, что даже при малой концентрации краевой дислокации в полупроводниковых кристаллах существенно влияют на их электрофизические свойства. Это делает весьма актуальным исследовать различные свойства и в том числе кинетические свойства дислоцированных полупроводников. Исследование…	Велиев, Зохраб Ахмед оглы	1999
Количественный рентгеноспектральный микроанализ оксидов и халькогенидов элементов II и IV групп …	Румянцева, Анна Игоревна	1999
Комбинационное рассеяние света в массивах нанообъектов кремния и арсенида галлия В работе методом спектроскопии комбинационного рассеяния исследованы нанометровые и субнанометровые объекты на основе кремния и арсенида галлия, формирующиеся в объеме и на поверхности полупроводниковых гетероструктур. Определено влияние структурной анизотропии квантовых объектов на свойства локализованных в них оптических фононов…	Володин, Владимир Алексеевич	1999
К теории связанных состояний дырок в алмазоподобных и гексагональных полупроводниках Так например, в работе [73] было показано, что простейшая водородоподобная модель описывает зависимость интегральной интенсивности линии ГФЛ от энергии возбуждения гораздо лучше, чем более точные модели, учитывающие сложную структуру валентной зоны[19, 68]. Существующие результаты теоретических расчетов[17] спектров возбужденных состояний…	Малышев, Андрей Викторович	1999
Магнитооптика и экситонное поглощение в тонких кристаллах и гетероструктурах на основе арсенида галлия …	Лукьянова, Наталья Владимировна	1999
Метастабильность состояния в легированных бором и фосфором пленках a-Si:H, возникающие под влиянием внешних воздействий …	Ларина, Эльвира Викторовна	1999
Механизм релаксационных процессов в поливинилиденфториде Все сказанное в полной мере относится и к такому полимерному материалу, как поливинилиденфторид (ПВДФ). Данный материал обладает целым рядом уникальных свойств, привлекательных как с практической, так и с научной точек зрения. Прикладное использование ПВДФ, прежде всего, связывается с его высокой пьезоактивностью, выделяющей данный материал среди…	Темнов, Дмитрий Эдуардович	1999
Многоэлементные фотоприемники с интегральным принципом формирования сигнала для систем обработки оптической информации Такое направление подкреплялось развитием компьютерной и микропроцессорной техники, позволяющей за сравнительно короткое время обрабатывать большие объемы информации в соответствии с различными сложными алгоритмами…	Подласкин, Борис Георгиевич	1999
Моделирование спектров фотопропускания и фотоотражения квантоворазмерных гетероструктур …	Лазаренкова, Ольга Леонидовна	1999
Моделирование электрических свойств виртуальных сегнетоэлектриков, входящих в состав управляемых конденсаторов …	Зубко, Светлана Петровна	1999
Моделирование электронного транспорта в полупроводниковых гетероструктурах с туннельно-связанными квантовыми ямами Первые исследования в этой области относятся к 1964 -67 гг. Кальвенас с сотрудниками [1,2] использовали электрическое поле, параллельное поверхности образца, для разогрева электронно-дырочной плазмы вблизи этой поверхности и заметили, что при сильных полях концентрация плазмы у поверхности быстро уменьшается, приводя к появлению участка с…	Бирюлин, Павел Игоревич	1999
Напряженные квантово-размерные структуры и сверхрешетки в системе InGaAsP/InP Одним из современных методов выращивания тонких плёнок является эпитаксия из металлорганических и гидридных источников (МОС-гидридная эпитаксия). МОС-гидридная эпитаксия обеспечивает точный контроль скорости роста, состава плёнок, а также возможность осаждения разных по составу слоёв с резкими гетерограницами. Благодаря этому напряжённые плёнки…	Лабутин, Олег Анатольевич	1999
Неравновесные электронные процессы в транзисторных структурах с распределенным p +-n-переходом Качественное совпадение электрофизических характеристик транзисторных структур с распределенным //-«-переходом и АК разных типов свидетельствует о том, что важную роль в протекающих в них физических процессах играет распределенный //-«-переход. Однако влияние распределенного //-«-перехода на физические процессы, протекающие в структурах, ранее…	Ильченко, Геннадий Петрович	1999
Неупругое туннелирование куперовских пар с участием фононов в с- направлении в одиночных и стопочных контактах на микротрещине в Bi-Sr-Ca-Cu-O …	Шабалин, Михаил Евгеньевич	1999
Низкоразмерные плазменные возбуждения в полупроводниковых туннельных структурах Научная и практическая ценность. Решена задача о скин-эффекте в одноба-рьерных структурах. Показано, что возбуждение барьерных плазменных поля-ритонов в режиме скин-эффекта приводит к неоднородному распределению тока в плоскости барьеров, что может существенно (на порядок) менять импеданс и выпрямляющие свойства таких структур…	Фейгинов, Михаил Наумович	1999
Низкотемпературная туннельная спектроскопия и сканирующая туннельная микроскопия халькогенидов свинца В настоящей работе в качестве объектов исследования выбраны монокристаллы и тонкие пленки халькогенидов свинца - представителей узкозонных полупроводниковых соединений А4В6. Пристальный интерес исследователей к этим полупроводниковым материалам обусловлен не только их практическим применением, но также сочетанием физических свойств, во многих…	Рыков, Сергей Александрович	1999