Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10

Тема работы	Автор	Год
Блочная структура кристаллов и ее модулирование в тонком протонированном слое Одним из таких подходов является, исследование и применение метода упрочняющего протонирования. заключающегося в варьировании параметров структуры. Эффективность такого подхода определяется не только объемом знаний о них, но и наличием общего научного подхода и общих критериев для материалов…	Семухин, Борис Семенович	1998
Влияние взаимодействия примесей с глубокими уровнями Mn, Ni и Fe на их распределение и спектр энергетических уровней в кремнии …	Юсупова, Шаира Абдувалиевна	1998
Влияние водородсодержащих газов на электрические характеристики МДП-структур и МДП-диодов …	Дученко, Мария Олеговна	1998
Влияние молекулярных процессов на зарядовый транспорт в структуре кремний-пористый кремний Проведенные ранее исследования по изучению воздействия веществ в газовой фазе на проводимость систем, содержащих ПК (и в частности, :труктур металл-ПК-кремний), пока лишь отражают интерес к созданию :енсоров в области газового анализа на базе пористых полупроводников. На сегодняшний день эти исследования носят фрагментарный характер. Вопросы о…	Петров, Александр Александрович	1998
Влияние структурных дефектов на формирование теплофизических свойств монокристаллов Hg1-xCdxTe Гснукга методи дocлiджeння i теоретичш коицепци штерпретацп' результата тегоюф1зичних експеримен-riB добре розроблеш для модельних кристал!в (NaCl, Ge, Si). При домдженш кригпшв складних натвпров1дниюв, таких, як тверда розчини Hgt.xCdxTe, виявляеться шлий спектр не виршених проблем як експериментального, так i теоретичного характеру…	Захарьяш, Александр Сергевич	1998
Воздействие ионизирующих излучений на структуры металл-диэлектрик-полупроводник и приборы на их основе Изучите радиационных эффектов в МДП-структурах было начато еще в 60-х годах. Были установлены основные закономерности радиационных процессов в МДП-структурах и приборах на их основе (МДП-транзисторах и интегральных микросхемах). Оказалось, что по сравнению с биполярными приборами МДП-приборы обладают достаточно высокой радиационной стойкостью (РС…	Богатырев, Юрий Владимирович	1998
Вторичное свечение в пленках тетраэдрического углерода при лазерном возбуждении …	Зарецкий, Сергей Николаевич	1998
Выращивание полуизолирующих кристаллов теллурида кадмия, легированного хлором, для детекторов ядерного излучения …	Терентьев, Александр Иванович	1998
Герметичные модули для термопарных (ХА) кабелей гермовводов на основе стеклокристаллических и керамических материалов …	Головко, Татьяна Анатольевна	1998
Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs/AlGaAs/GaAs и InAs/InGaAs/InP для лазерных применений …	Ковш, Алексей Русланович	1998
Дефектообразование в напряженных структурах на кремнии при радиационно-термических обработках …	Ефремов, Михаил Дмитриевич	1998
Динамические характеристики кремниевых МДП-структур с P-N-переходом в подложке В настоящее время в качестве элементной базы микроэлектроники значительное место занимают МДП-структуры, в частности с многослойной подложкой (содержащей р-п-переход). МДП-п-р-структуры интересны тем, что наличие в них взаимодействующих пространственных неоднородностей (р-п-переходы в подложке, барьеры диэлектрик-полупроводник и металл-диэлектрик…	Федоренко, Янина Геннадьевна	1998
Дислокационные термоэлектрические и термомагнитные эффекты в щелочногалоидных кристаллах …	Струлева, Елена Вячеславовна	1998
Емкостная спектроскопия карбида кремния …	Лебедев, Александр Александрович	1998
Закономерности формирования и свойства межфазных границ в структурах кремний-диэлектрик В наибольшей степени свойства приграничных областей определяют параметры сверхтонких диэлектрических слоев (толщиной менее 10 нм). Такие слои в связи с требованиями микроминиатюризации предполагается использовать в технологии СБИС уже в ближайшей перспективе, что обуславливает практическую важность их изучения. Научный интерес к исследованшо…	Котов, Игорь Александрович	1998
Излучательный и безизлучательный распад электронных возбуждений в кристаллах галогенидов цезия Естественно, что изучение радиационных процессов в твердых телах в пер-ую очередь должно проводиться на модельных объектах. Для систем с преоб-(дающим ионным типом связи модельными являются шелочно-гаяоидные >ис галлы (ЩГК). Эти кристаллы имеют достаточно простую структуру реет кн, могут быть получены высокого совершенства. С использованием…	Гафнатулина, Елена Саутановна	1998
Излучательный и безызлучательный распад электронных возбуждений в кристаллах галогенидов цезия …	Гафиатулина, Елена Саугановна	1998
Изменение состояния легирующих примесей в кремнии при взаимодействии с радиационными дефектами и водородом …	Камаев, Геннадий Николаевич	1998
Инфракрасные фотографические процессы на тонких слоях полупроводников с использованием эффектов комбинированного возбуждения Кроме того отличие коэффициентов отражения,преломления и поглощения различных веществ в ИК области спектра позволяет обнарують на ИК фотографии невидимые в обычных условиях детали, следы, трещины и неоднородности в материалах, что позволяет использовать ИК фотографии а криминалистике, медицине,искусствоведении, промышленной дефектоскопии и многих…	Туланов, Вахаб Туланович	1998
Ионные дрейфово-диффузионные процессы в диэлектрических слоях МДП-структур …	Романов, Валерий Павлович	1998