Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10

Тема работы	Автор	Год
Динамика электронных возбуждений систем с многоямным адиабатическим потенциалом в диэлектрических матрицах ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ Актуальнмггь теми та ступшь досл{дження тематики дисертацп У тепершшш час дДелоктричш матер1али р1зпо1 будови (кристалл, скло, псшмери) знаходять шнроке застосування у квантовш електрошщ, оптоелектрошц!, сциштыящйнш теяпц!, надпотужних системах зберйан-ня I обробки шформацй, фотографи, пристроях акумуляцй соиячно'1…	Малюкин, Юрий Викторович	1997
Диэлектрические свойства соединений А2В6 с переходными материалами Связь работы с научными программами. Исследования проводились в рамках госбюджетной научно-исследовательской работы Белорусского государственного университета по теме: "Исследование принципов создания и разработка экспериментальных образцов интегральных конденсаторов с улучшенными эксплуатационными параметрами на…	Шостак, Юрий Антонович	1997
Зонная структура и оптические свойства иодида индия АКТУАЛЬНІСТЬ ТЕМИ. Одним із завдань зонної теорії е створення прийнятних моделей квантових процесів, що протікають у твердому тілі. Оскільки експериментальний відгук спостережуваних явищ визначається в конкуренції багатьох процесів та факторів, то побудова певної моделі в фізиці твердого тіла не дозволяє зупинитись виключно на якісній…	Колинько, Николай Иванович	1997
Интерференция и туннелирование в пространственных и временных периодических структурах Полное описание дифракции волн даже в простейшем случае периодической одномерной и скалярной задачи достаточно сложная проб-лема.Некоторые существующие методы просты,но не описывают одновременно ряда явлений,связанных,например,с многократностью дифракции, многоволновым характером процесса,сильной модуляции среды,многомерностью задачи и…	Кронгауз, М.В.	1997
Исследование анизотропии тензорезистивных эффектов в сильно деформированных кристаллах Ge TA Si Актуальність теми. Розвиток фізики значною мірою визначається технічними можливостями, які дозволяють реалізувати дослідження в екстремальних умовах експерименту. В фізиці напівпровідників, зокрема, реалізація таких досліджень має важливе значення як з гачки зору вивчення механізмів нетривіальних ефектів, які, як правило, виникають в екстремальних…	Горин, Андрей Евгеньевич	1997
Исследование влияния технологических режимов на электрофизические и оптические свойства аморфного гидрогенизированного карбида кремния, получаемого методом высокочастотного ионноплазменного распыления Большой интерес к аморфному гидрогенизированному сплаву кремний-углерод (а-Б1С:Н) вызван возможностью его применения в многослойном фотоприемнике для электрофотографии, где он выполняет функции защитного слоя и слоя накопления заряда…	Свиркова, Наталья Николаевна	1997
Исследование влияния упругого взаимодействия нaформирование и эволюцию дефектных структур ипримесных неоднородностей в объеме и на поверхностиполупроводниковых кристаллов Экспериментальное исследование неоднородных структур базируется на широком применении приборов и методов структурного анализа (рентгеновская, оптическая н электронная микроскопия, туннельная микроскопия наряду с электрофизическими методами). Однако эксперименты, как правило, являются непрямыми и Хтя ич корректной интерпретации необходимо…	Кожевников, Евгений Анатольевич	1997
Исследование влияния упругого взаимодействия наформирование и эволюцию дефектных структур ипримесных неоднородностей в объеме и на поверхностиполупроводниковых кристаллов Экспериментальное исследование неоднородных структур базируется на широком применении приборов и методов структурного анализа (рентгеновская, оптическая » электронная микроскопии, туннельная микроскопия наряду с электрофизическими методами). Однако эксперименты, как правило, являются непрямыми и для м\ корректной интерпретации необходимо…	Кожевников, Евгений Анатольевич	1997
Исследование возможности управления электрическими характеристиками МДП-структур на основе арсенида галлия Одной из важных задач современной полупроводниковой электроники является создание высокочастотных полевых МДП-транзисторов на основе арсенида галлия. Все попытки решения этой задачи, в которых в качестве изолятора использовался целый ряд диэлектрических слоев, полученных в основном высокотемпературными методами, не привели к положительному…	Панин, Алексей Викторович	1997
Исследование вопросов кинетики и деградации электролюминесценции светоизлучающих диодов на основе арсенида галлия Потребность в СД с каждым днем растет (папр, фирма Hewlett-Packard в год продает СД иа несколько миллиардов долларов).Перспективы осуществления проектов будущего (оптоэлект-ронпые микропроцессоры, плоский экран, оптический кабель и т.д.) делают очень актуальными как создание новых технологий, так и исследования в этом направлении…	Какушадзе, Джемал Григорьевич	1997
Исследование гетероэпитаксиального выращивания пленок 3C-SiC на кремнии из твердофазных источников химическим газотранспортным методом и создание термопреобразователей на их основе Процессы управляемого получения и легирования объемных кристаллов карбида кремния стали возможными благодаря сублимационному методу выращивания в вакууме, признанному в мире как "метод ЛЭТИ" и являющемуся доминирующим и в настоящее время. Получаемые этим методом кристаллы БЮ имеют политипы, в основном, гексагональной структуры…	Атажанов, Шавкат Ражабович	1997
Исследование излучательных характеристик мощных полупроводниковых лазеров, лазерных линеек и фазированных лазерных решеток Фазированная лазерная решетка представляет собой одну из наиболее сложных разновидностей полупроводниковых лазеров, которая, кроме перечисленных выше достоинств, обладает также высокой степенью когерентности генерируемого излучения. Исследование механизмов оптического ограничения электромагнитной волны и влияния различных технологических факторов…	Тер-Мартиросян, Александр Леонович	1997
Исследование некоторых свойств компенсированных твердых растворов кремний-германий и приборных структур на их основе Полупроводниковые твердые растворы интересны со многих прикладных точек зрения .Так, твердые растворы 811-х<Зех. сохраняют многие свойства чистого кремния и германия,причем многие из этих свойств плавно меняются по йере изменения состава. Это обстоятельство дает возможность ивготовливать полупроводниковые материалы с непрерывно меняющими…	Матчанов, Нураддин Азадович	1997
Исследование поляризованной люминесценции в нитриде галлия Перечисленные проблемы и многие другие могут быть решены при создании светодиодов и лазеров излучающих в коротковолновой части видимого спектра. Для этого необходимо использовать полупроводниковые материалы с шириной запрещенной зоны, большей, чем у СаР. При этом желательно, чтобы их энергетический спектр характеризовался прямыми переходами…	Дрижук, Александр Григорьевич	1997
Исследование процессов переноса в неоднородных твердых растворах AIIBVI Актуальність теми досліджень. Розробка і вдосконалення нових електронних систем з поліпшеними функціональними характеристиками стимулюють неперервний розвиток досліджень у суміжних областях фізики, електроніки та технології напівпровідникових твердих розчинів. Перехід від елементарних напівпровідників до багатокомпонентних твердих розчинів типу…	Клецкий, Сергей Владимирович	1997
Исследование фотоэлектрических явлений в тонкопереходных структурах в системе арсенид галлия- сульфид кадмия Широкие возможности сравнительно новой мол^кулярно-лучевой впитаксии в области управления, голшинами и составом получаемых слоев позволяют надеяться на улучшение параметров и расширение возможностей структур на основе соединений АгВв. В случае создания структур в гетеросистеме с хорошим согласием параметров решеток эта проблема, по-видимому, будет…	Едгорова, Дилбара Мустафаевна	1997
Исследование электрических свойств композиционных керамических материалов содержащих электропроводящие наполнители Научная новизна. Установлены закономерности'изменения электропроводности и диэлектрической проницаемости в композиционных керамических материалах содержащих органических и неорганических частиц, в зависимости от объемного содержания наполнителя. Показано, что при приближении к порогу протекания, характер зависимости электропроводности и…	Карабаева, Мунира Абдуллаевна	1997
Исследование электрофизических и кинетических характеристик полупроводниковых газовых сенсоров на основе SnO2 в режиме пониженных рабочих температур Контроль загрязнений атмосферы и предотвращения выбросов токсичных и горючих веществ становится в настоящее время все более актуальной экологической задачей…	Ким, Джонг Хи	1997
Исследование электрофизических свойств и радиационных эффектов в структурах кремния-на-изоляторе Актуалыпсть теми. Тенденщя сучасно'1 мшроелектрошки до ство-рення схем велико! iHTerpauiï, як1 б мали високу швидкодйо та були надшними при робот! в жорстких температурних та раддацшних умо-вах, обумовила розвиток у всьому свт в останш роки технологи крем-нiю-нa-iзoлятopi (KHI). Головш переваги технологи KHI поршняно з традицшною КМОН технолопоо…	Кильчицкая, Валерия Игоревна	1997
Исследование энергетических структур твердых тел тензорным методом …	Захарчук, Светлана Юрьевна	1997