Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10

Тема работы	Автор	Год
Влияние изоэлектронного легирования оловом и кислородом на энергетический спектр селенида свинца по данным оптического поглощения Халькогениды свинца (PbTe, PbSe, PbS) и твердые растворы на их основе в настоящее время широко используют в оптоэлектронике и термоэнергетике. Существенное расширение области их практического применения оказалось возможным благодаря обширным и разносторонним исследованиям их свойств. При этом были изучены не только основные особенности…	Суворова, Наталья Александровна	1996
Влияние структурных комплексов на оптические и диэлектрические свойства монокристаллов алкиламингалогенметаллатов при фазовых переходах Актуальність теми. Розвстоіс фіокки діелектриків, . стимулює інтенсивні , пояугаї та 'дослідіення- сегнетселзктричних матеріалів в області 'їх фасових перзходів (ФП). Спіетрійні аспекти т, розпи-решш та. pcssirroii уг.алонь про їх характер, термохромізм, стан електронної підсистсяй, сїш®- аніон-катіонної взаємодії ьа динаміку гратки та її роль при…	Мокрий, Владимир Иванович	1996
Влияние температуры и динамики ее изменения на характеристики полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей Анализ проведенных различными авторами исследований показывает, что «¡следования ФЗП энергично осуществляются как в направлении их технологического совершенствования, так и повышения надежности в течение длитель-юго существования в условиях космоса в составе автономных фотоэнерге-гических установок. Так, на орбитальных объектах вследствие…	Дорошенко, Виктор Георгиевич	1996
Влияние термообработок и гамма облучения на свойства поликристаллических пленок CdGa2S4 Тиогаллат кадмия, характеризуется яркой фотолюминесценцией, высокой фоточувствительностью и большой шириной запрещенной зоны (3,77 эВ при 10 К). Этот материал уже сейчас используется для изготовления приемников ультрафиолетового и рентгеновского излучения, узкополосных…	Абдель Монем, Абдель Вахаб Ибрагим	1996
Волоконные световоды с малыми потерями, сформированные плазмохимическимосаждением кварцевого стекла в СВЧ-разрядах Световоды, изготовленные на основе кварцевого стекла, широко используются в волоконной оптике ультрафиолетового (УФ), видимого и ближнего инфракрасного (ИК) спектральных диапазонов. В настоящее время на основе таких световодов построены и строятся системы волоконно-оптической связи. Стеклянные волоконные световоды дали новый импульс развитию…	Голант, Константин Михайлович	1996
Выращивание монокристаллов и исследование оптических свойств тройного полупроводникового соединения CuAlSe2 Гиротропный изоиндексный фильтр на основе тройного полупроводникового соединения СиА13е2 ко времени начала выполнения данной работы не был реализован, «то -»очано с отсутствием технологии получения объемных оптически однородных монокристаллов. По этой же причине соединение СиА13ег является одним из наименее изученных соединений типа А1В1ПС,,12…	Груцо, Сергей Алексеевич	1996
Высокотемпературные электротранспортные процессы в полупроводниковых структурах с участием жидкой фазы Одной из важнейших проблем высокотемпературной физики полупроводников являются контактные и поверхностные процессы, протекающие в возмущающих температурных и электрических полях…	Скворцов, Аркадий Алексеевич	1996
Геттерирование подвижных ионов в диэлектрических слоях МДП-структур В первой глав? приводится обзор литературы по анализу ионных дрейфово-диффузионных процессов в диэлектрических слоях и их влиянию на характеристики МДП-прибороэ, рассматриваются вопросы геттерирования подвижных ионов щелочных металлов пленками фосфоросиликатного стекла и хлорсодержа-щими пленками двуокиси кремния, делается вывод о необходимости…	Сапольков, Александр Юрьевич	1996
Дефектообразование в фосфидогаллиевых светодиодных структурах зеленого свечения при воздействии внешних факторов Однако по сравнению с элементарными полупроводниковыми »атериалами, такими как германий и кремний, спектр точечных юфектов в соединениях А3В5 более сложный. Электрически ¡ктивные дефекты в них связаны не только с введением фимесей, но и с собственными структурными дефектами, такими сак вакансии катиона и аниона и антиструктурные дефекты. Шсло…	Амброзевич, Александр Сергеевич	1996
Диагностика крупномасштабных примесных скоплений в полупроводниках и анализ таких скоплений в кремнии, выращенном методом Чохральского Первое - чисто технологическое, связанное с получением монокристаллов заданной чистоты и максимально возможной однородностью распределения примесей на подложках…	Мурин, Дмитрий Игоревич	1996
Диффузионные модели лазерного отжига полупроводниковых и металлических твердых растворов Актуальність теми. Специфічні властивості лазерного випромінювання використовуються в практиці для модифікації характеристик матеріалів, в тому числі напівпровідників і металів. В сенсі фізичному особливо цікаві недесгрукційні методи лазерної обробки до яких належить і лазерний відпал. В стосунку до напівпровідників необхідно відмітити наступн…	Марьян, Кузьма	1996
Диффузия и активация имплантированных примесей в арсениде и антимониде индия Узкозонные полупроводниковые соединения А3 В5 арсенид и антимонид индия имеют ширину запрещенной зоны 0,36 эВ и 0,18 эВ, соответственно, и приборы на этих, соединениях, использующие переход носителей из зоны в зону, обладают фоточувствительностью в ИК диапазона от 3 до 5 мкм и являются привлекательными для использования в оптоэлектронных…	Мясников, Александр Михайлович	1996
Закономерности создания короткоживущих радиационных дефектов в ЩГК Успешное решение этих проблем во многом определяется уровнем знаний о природе радиационно-стимулированных явлений в модельных для данного класса кристаллических соединений системах. Для твердых тел с ионным типом связи модельными объектами уже более полувека служат щелочногалоидные кристаллы (ЩГК), при исследовании которых были обнаружены такие…	Яковлев, Виктор Юрьевич	1996
Зонные и дефектные состояния в узкощелевых полупроводниках и структурах на их основе Не дивлячись на те, що в останні роки здійснювались значні зусилля для створення приймачів 14 випромінювання на основі квантоворозмірних структур напівпровідників і твердих розчинів БіЄе, основними матеріалами 14 оптоелектроніки залишаються вузькощілинні напівпровідники (ВН). При цьому найбільшу увагу дослідників притягяють бінарні сполуки…	Тетеркин, Владимир Владимирович	1996
Изучение радиационных изменений в керамических диэлектриках методом ИК-спектроскопии Возможности колебательной спектроскопии -*ля решения прикладных и научных задач общеизвестны и постоянно расширяются в связи о развитием техники Ж-спектроскопии и ее методов. Поэтому понятно всо более широкое использование этих возмэзжостей для исследования строения неорганических соединений. Успехи ИК-спектроскопии при исследовании состава и…	Ванина, Елена Александровна	1996
ИК-фоточувствительные твердые растворы CdHgTe: физико-технологическая оптимизация параметров и дефектной структуры Актуальн1сть проблема. Основною задачею фотоелектрон1ки е виявлення гранично слабких джерел електронагн!тного випро-м1нювання на р!вн! фонового. В наш час перспектавн1сть цього вапрямку визначаеться прогресом технолог!! виготовлення ба-гатоелементних матрнць або неперервних л!н!йних фотоггрийча-ч!в-перетворювач!в зображення, а таких можлив!стю…	Карачевцева, Людмила Анатольевна	1996
Инжекция электронного зонда растрового электронного микроскопа в монокристаллы триглицинсульфата Распространение методик растровой-электронной'микроскопии на сегнетоэлектрики позволило изучить доменную структуру 'кристаллов : с оптически неразличимыми доменами. Установлено, что■■ электронный . ' зонд взаимодействует с потенциальным рельефом, существующим на поверхности сегнетоэлэктрнка, который создается-доменной структурой образца…	Копылова, Ирина Борисовна	1996
Интерферентные структуры на основе диоксида ванадия и их использование в качестве пассивных модуляторов лазерного излучения Использованный в работе способ модуляции состоял в том, что пленочный интерферометр использовался в качестве глухого зеркала импульсного ИК-лазера. При этом оказалось возможным реализовать такие режимы работы, как пассивная синхронизация мед и пассивная модуляция добротности- резонатора…	Цибадзе, Коба Шалвович	1996
Интерференционные структуры на основе диоксида ванадия и их использование в качестве пассивных модуляторов лазерного излучения Эксперименты показали, что подобные исследования позволяют не только продемонстрировать возможность управления параметрами излучения лазера и оптимизировать конструкцию интерферометра, но и получить фундаментальную информацию о кинетике процессов, протекающих при ФПМП в У02. Принципиальная важность этой информации обусловлена тем, что в настоящее…	Цибадзе, Коба Шалвович	1996
Исследование влияния дефектов на электрофизические и магнитные свойства ртутьсодержащих металлооксидных купратов Структура ртутновмісних Металооксидних купратів в основних рисах, добре вивчена. Але незясованими залишаються питання впливу на електрофізичні і магнітні, властивості дефектів заміщення Hg на Си і впровадження кисню в позицію 1/2 0 0 ртутної площини. Крім того, існують розбіжності в даних різних авторів, які пов’язані з наявністю леткого…	Мясоедов, Юрий Николаевич	1996