Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10

Тема работы	Автор	Год
Особенности поведения марганца и гадолина в узкозонных тетраедрических полупроводниках Актуальїгіст?. теми досліджсіп,. Зав/;апшг сучасної електроніки вимагають розробки нових напівпровідникових матеріалів, властивості яких могли б забезпечити запити напівпровідникового приладобудування…	Орлецький, Иван Григорьевич	1996
Особенности поведения марганца и гадолиния в узкозонных тетраэдрических полупроводниках Напівпровідникові матеріали на основі сполук А3В5, гасі місгять елементи з незаповненимн Зсі-оболонками, володіють рядом аномалій гальваномагнітних ефектів [ 2 ]. Останні інтерпретуються взаємодією між магнітними моментами носіїв заряду та локалізованими магнітними моментами домішкових атомів і з успіхом знаходять практичне застосування. Поряд з…	Орлецкий, Иван Григорьевич	1996
Особенности структуры и край оптического поглощения в сплавах на основе a-Si:H Тем не менее в настоящее время остаются нерешенными ряд проблем важных как для фундаментальных исследований так и с точки зрения практического использования этих неупорядоченных полупроводников…	Стряхилев, Денис Андреевич	1996
Особенности структуры и крайоптического поглощения в сплавах на основе альфа-Si:H Тем не менее в настоящее время остаются нерешенными ряд проблем важных как для фундаментальных исследований так и с точки зрения практического использования этих неупорядоченных полупроводников…	Стряхилев, Денис Андреевич	1996
Особенности формирования и основные физические свойства пленок CdGa2S(Se)4 СсЮазЗфеН знайдено квазітропну точку, ексітоіше .поглинання, які не були в інших сполуках. Наявність цих технологічних проблем, недостатня вивченість основних фізичних властивостей як плівок, так і об'ємних, матеріалів обумовили необхідність комплексного Дослідження фізико-хімічних явищ, які відбуваються при випаровуванні, формуванні плівок та їх…	Качер, Егор Эммануилович	1996
ПАВ-элементы для обработки широкополосных сигналов Все возрастающие требования к современным системам связи, в свою очередь повышают требования к устройствам на ПАВ. Существующие ПАВ- конвольверы и ДЛЗ уже не в состоянии обеспечить обработку сигналов с широкой полосой, которая требуется в современных системах связи. Возникает задача поиска новых путей построения ПАВ -элементов, которые бы…	Нисафи Абдул Мохсен	1996
Парамагнетизм, структура и закономерности образования примесных дефектов в кристаллах слоистых галогенидов Актуальність геми досліджень. Кристали галоїдних сполук кадмію (ГСК) типу /ІИ/І2УП є предметом особливої уваги в сучасному матеріалознавстві. Ця увага зумовлена тим, що дані, кристали за своїм ' складом та фізичними властивостями, займають проміжне положення між добре вивченими діелектриками— кристалами типу А,ВУП та напівпровідниками…	Грудзинский, Аркадий Сергеевич	1996
Перезарядка глубоких уровней в полупроводниках при релаксационной спектроскопии и рекомбинации через ловушки Мощным средством исследования ГУ являетоя метод релаксационной опектроокопии глубоких уровней (РСГУ), который был предложен в 1964 г. (С.Са, В. Рэдди), а в 1974 г. он был усовершенствован Д. Лонгом и представлен в виде DLTS (Deep Level Transient Spectroscopy). Достоинствами метода являются: высокая чувствительность по концентрации ГЦ; возможность…	Трегулон, Вадим Викторович	1996
Перезарядка глубоких уровней в полупроводниках при релаксационной спектроскопии и рекомбинации через ловушки Мощным средством исследования ГУ являетоя метод релаксационной атактроокопии глубоких уровней (РСГУ), который был предложен в 1964 г. (0. Са, В. Рэдци), а в 1974 г. он был усовершенствован Д. Лвнгом и представлен в виде DLTS (Deep Level Transient Speotroecopy). Достоинствами метода являются: высокая чувствительность по концентрации ГЦ; возможность…	Трегулов, Вадим Викторович	1996
Получение аморфных и микрокристаллических тонко-пленочных материалов a - Si1-xCx:H, мс - Si:H и исследование свойств пленок и приборных структур на их основе В последние годы все больший интерес проявляется не только к "чисто" аморфным пленкам, но и к так называемым микрокристаллическим ( ро) слоям, а также смешанным (a+/¿c) фазам. Слои /te и (a+/«-cJ в микроструктурном плане состоят из сверхмалых до 0.00 К) кристаллических образований, плотно увязанных аморфными прослойками, при этом смешанные фазы…	Мавлянов, Равшан Каршибаевич	1996
Получение аморфных и микрокристаллических тонкопленочных материалов и исследование свойств пленок и приборных структур на их основе В последние годы все больший интерес проявляется не только к "чисто" аморфным пленкам, но и к так называемым микрокристаллическим ( уУс) слоям, а также смешанным (а-ь/ю) фазам. Слои у.с и (а+ /¿с) в микроструктурном плане состоят из сверхмалых до (3.00 А) кристаллических образований, плотно увязанных аморфными прослойками, при этом смешанные фазы…	Мавлянов, Равшан Каршибаевич	1996
Поляризационные эффекты в полупроводниках А2И6 и А4В6 В квантовых наноструктурах движение электрона ограничено в пространстве и может рассматриваться как двумерное (2d) в квантовой яме, одномерное (Ici) в квантовой проволоке и нуль-мерное (Od) в квантовой точке. Задача о поля-роне в структурах с разной размерностью изучалась теоретически jl,2] и было показано, что энергия основного состояния…	Прошина, Ольга Владимировна	1996
Предельная термоэлектрическая добротностькристаллических подупроводниковых материалов Досягнення в облает! технолог!? 1 теорИ нап!впров!дяи~ х1в забезпечили фундамент для успешного розвитку термов,пек-трично! енвргетики, а пост1йно зростаюч.1 потреби в автономиях джерелах живлення, зв'язан! з розвитком ггриладобудування, рад1оелектронно! 1 обчислювалъно? техМки, зробили розробку термоелектричних. пристроЗв нагалъною необх!да!стю…	Закордонец, Владимир Савич	1996
Предельная термоэлектрическая добротностькристаллических полупроводниковых материалов Досягнення в облает! технологи 1 теорИ нап1впров1дни~ к.1в забезпечили фундамент для успешного розвитку термоелек-трично! внергетики, а пост1йно зростаюч.1 потреби в автономних джерелах живлення, зв'язан! з розвитком приладобудування, рад1оелектронноХ 1 обчислювальноТ техн!ки, зробили розробку термоелектричних пристрой нагальною необх!дн!стю…	Закордонец, Владимир Савич	1996
Процессы переноса заряда в полупроводниках и структурах полупроводник-диэлектрик в условиях воздействия электромагнитного поля Начиная примерно с середины 60-х голов и до настоящего времени наблюдается неослабевающий интерес к волновым свойствам плазмы твердого тола. Исследование распространения и неустойчивости волн в плаз ме твердых тел и, в частности, полупроводников, не только открывает новые возможности для изучения физических свойств твердых тел, но также…	Тралле, Игорь Евгеньевич	1996
Прыжковый перенос по примесям в квантовых ямах Известно, что одна из особенностей состояний электронов, локализованных на примесях в двумерной квантовохг яме, состоит в том, что как энергии локализованных электронных состояний, так и радиусы локализации могут зависеть от положения примеси в яме в условиях, когда ширина ямы Ь…	Ван Вэньли	1996
Прямое получение полупроводниковых квантовых проволок и точек методом молекулярно-пучковой эпитаксии Для того чтобы полностью реализовать преимущества гетероструктур с квантовыми проволоками или точками, необходимо научиться создавать плотные однородные массивы указанных объектов, иначе , неоднородное укгрение может полностью ликвидировать преимущества пониженной размерности…	Егоров, Антон Юрьевич	1996
Радиационная модификация структур на основе кремния и германия К моменту начала данной работы эти исследования находились в стадии становления и разрабатывались подходы, основанные на представлении о квазихимических реакциях между подвижными первичными радиационными дефектами с примесями и между собой [7]. Одновременно существовал ряд проблем, решение которых требовалось для разработки качественной, а затем и…	Болотов, Валерий Викторович	1996
Радиационно-стимулированные процессы в полупроводниках А2В6 с дефектами различной размерности Приборы и устройства, изготовленные на основе полупроводников А*Вб, во многих случаях пока ::е имаот олащаемых предельных параметров. Это является следствием недостаточной изученности влияния точечных и протяженных дефектов на оптоэлеюронные свойства материа-лоГ), а га<о:се нессзершенсгьа гс^гс.юши ид пол^енкя…	Оконечников, Александр Петрович	1996
Радиоэлектрический эффект в слоистых волноводных структурах с полупроводником в СВЧ диапазоне При распространении в среде со свободными носителями заряда электромагнитная волна сообщает им кроме энергии импульс, что вызывает возникновение электрического поля в направлении распространения волны, называемое полем увлечения. Вторым основным механизмом возникновения продольной ЭДС является неоднородный разогрев решетки или электронов. Так как…	Трешев, Владимир Михайлович	1996