Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10

Тема работы	Автор	Год
Физические основы радиационной модификации оптических свойств широкозонных материалов электронной техники Актуальність проблеми. Фізичні дослідження радіаційних процесів у матеріалах радіоелектроніки, оптоелектроніки та мікроелектроніки є провідним напрямом сучасних критичних технологій. Вони інтенсивно проводяться в усіх розвинутих країнах. Практичне застосування цих явищ, серед яких особливо виділяється «радіаційна модифікація», тобто керована зміна…	Кособуцкий, Петр Сидорович	1996
Формирование структурных дефектов в монокристаллах и эпитаксиальных пленках полупроводников А2В6 Структурные свойства кристаллов во многом определяют их электрические, оптические и магнитные свойства. В отличие от традиционно-изученных полупроводников и Се, образование структурных дефектов в кристаллах АгВб исследовано недостаточно. Если хорошо изученные процессы кремниевой технологии в ряде случаев могут быть перенесены в производство…	Логинов, Юрий Юрьевич	1996
Химически связанные комплексы серы и элементов I группы (подгруппа меди) и их влияние на генерацию термодоноров в кремнии Научная новизна. В работе вперзые исследована возможность образование тнмичееки связанных комплексов между серой и элементами I группы (подгруппа меди) и изучена кинетик? образования таких комплексов при различных температурах…	Сражев, Солиддин Неъматович	1996
Численное моделирование субмикронных кремниевых приборов и технологических процессов В работе проведен анализ процессов электронного переноса 8 структурах металл-полупроводник и предложен новин метод постановки граничного условия на контакте металл-полупроводник в рамках дрейфо-диффузионной (ДА) И квазигидродинамической (КГД) моделей электронной плазмы. В работе предложена новая методика вывода граничного условия для концентрации…	Шибков, Андрей Анатольевич	1996
Экситон - фононное взаимодействие в процессах оптического поглощения и катодолюминесценции кристаллов AgBr1-хClx(O... x...1) Известно, что уменьшение фоточувствительности А^Вг, А^С] достигается глубокой очисткой кристаллов, при этом значительно уменьшаются и оптические потери в ИК-диапазоне [2…	Шаабан Низар	1996
Экситон-фононное взаимодействие в процессах оптического поглощения и катодолюминесценции кристаллов AgBr-xClx (О < х < 1) Известно, что уменьшение фоточувствительности А^Вг, А{£С] достигается глубокой очисткой кристаллов, при этом значительно уменьшаются и оптические потери в ИК-диапазоне [21…	Шабан, Низар	1996
Экспериментальное исследование явлений переноса в полупроводниках в квантующем магнитном поле и при большом градиенте температуры К настоящему времени мало экспериментальных измерений по тер-шлагнитным явлениям в КШ, тогда как по гальваношгнитным эффекта!-.! имеется большое количество тщательно выполненных эксперимзн -тальных работ. Интерпретация экспериментальных результатов тер -елоэдс (ТЭДС), к примеру, в КМ открывает новые перспективы и может дать весьма интересные…	Гаджиалиев, Магомед Магомедович	1996
Электрические и оптические свойства аморфного гидрогенизированного углерода, легированного медью В последнее время значительно увеличилось количество работ, посвященных исследованию свойств аморфного алмазогодобного углерода, что связано с уникальными свойствами этого материала и широкими возможностями его применения. 1С числу этих свойств относятся оптическая прозрачность в видимом и ИК-диапазоиах, высокие химическая стойкость, электрическое…	Ястребов, Сергей Гурьевич	1996
Электронная структура и оптические спектры примесей в галогенидах типа А2ВХ4 и ВХ2. ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ АкгуалыПсть теми. Успшшин розвнток фундаментальних дослщжеиь фпики нашвпровщинкш то далектримв, розв'язашш багатьох прикладних задач пов'язаш в значп1й М1р1 з отриманпим та використанням нових кристал1чних сполук. И теоретичному планг нов1 кристали розглядаються як модельш при вивченш широкого кола нових явит, а '¿х…	Болеста, Иван Михайлович	1996
Электронная структура тонких пленок сложных металлооксидов С другой стороны, многочисленные экспериментальные исследования дают подтверждение возможности использования ВТСП в электронике СВЧ и микроэлектронике сверхбыстродействующих БИС. Эти направления предъявляют к ВТСП материалам требование высокой критической плотности тока <1 что приводит к необходимости ориентироваться на практическое применение в…	Курганский, Сергей Иванович	1996
Электронные спектры и динамика решетки кристаллов с ян-теллеровскими ионами Особенно интересны свойства перовскитов, у которых в центре анионного октаэдра находится переходный ион с незаполненной 3(1-оболочкой. Характерной особенностью таких соединений является возникновение количественно небольших искажений идеальной перов-скитной структуры. Различные низкосимметричные искажения вызывают существенное различие свойств…	Шашкин, Сергей Юрьевич	1996
Электрофизические и структурные свойства объемных аморфных полупроводников антимонида галлия и кремния В последние годы интересы исследователей, изучающих неупорядоченные системы, все больше смешаются в область аморфных материалов и, п частности, аморфных полупроводников. Это обусловлено прежде всего возрастающим масштабом их практического применения. В настоящее время на основе аморфных полупроводников созданы солнечные батареи, разнообразные…	Лунц, Дмитрий Георгиевич	1996
Электрофизические и фотоэлектрические свойства полупроводниковых материалов и приборов на основе легированного кремния и соединений А4В6 С другой сторош.', проблема рпзрлботок во тупроводникових <Тю-топриёшдах устройств с высокой (Тоточувств;п,ельиостт.п определяется уровнем технологии получения иоигх ггятвриплоп наиболее полно удовлетворяющих рпетуцль' потребностям ИК и СЭТ-<Тотоолектро-ники (микроэлектроники) и явтяется одной из лктуалтли'х задач…	Абрамян, Юрий Арсенович	1996
Электрофизические свойства и метастабильные процессы в a-Si: H и сплавах на его основе Прогресс в технологии аморфного гидрогенизированного кремния (а-БШ) и его сплавов, достигнутый за последние десять лет, во многом определяет сегодня темпы развития целого ряда направлений твердотельной электроники, ориентированных, главным образом, на разработку и создание изделий силовой и бытовой электроники. Среди наиболее значительных…	Мейтин, Марк Наумович	1996
Электрофизические свойства пленок полиэтилена, полиамида и полиэтилентерефталата, модифицированных ионной имплантацией Для различных целей в радиоэлектронике и радиотехнике часто необходимо иметь материалы, сочетающие электрические свойства неорганических полупроводников и физико-механические, технологические и другие свойства органических полимеров. В связи с этим, после публикации первых работ о возможности получения электропроводящих полимеров, в том числе…	карпович, Игорь Александрович	1996
ЭПР дефектов в алмазе и кремнии, облученных ионами высоких энергий Алмаз, являясь модельным полупроводниковым кристаллом, позволяет распространять полученные сведения и на другие полупроводники, например, типа А4 и А3В5. Исследование эффектов ВИИ на примере алмаза весьма перспективно и в практическом плане, так как он обладает уникальными физическими параметрами — высокой теплопроводностью, прочностью, химической…	Мартинович, Валерия Александровна	1996
Эффекты обменного взаимодействия в кристаллах, тонких слоях и квантовых структурах на основе полумагнитных полупроводников Практична значимість роботи. Отримані в роботі нові дані суттєво поглиблюють уявлення про оптовлектроші процеси в низькорозмірних системах на основі напівмагнітних напівпровідників…	Мединский, Сергей Владимирович	1996
Явления переноса и динамика решетки при фазовых переходах в сегнетоэлектриках-полупроводниках типа Sn2P2S6 А;дуальппгп> темп. Для фіззжи кристалів важливим є співставлешш теряодішамічіпк, «гіктгапи та динамічних властивостей, сукупність іщіх лає поону інформацію про досиджувані об'єкти. Такій аналіз с основою для обгрунтованих висновків про спостережувані закономірності та ефекти і е,, зокрема, ефективним при вивченні структурних фазозих переходів…	Бокотей, Александр Александрович	1996
Адсорбционные и фоточувствительные эффекты в халькогенидных сегнетоэлектриках-полупроводниках ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ Актуальність теми. Якщо властивості окисних сегнетоелектриків досліджені досить повно, то халькогенідні сегнетоелектрики (СЕ) з добре вираженими напівпровідниковими властивостями вивчені значно менше, хоча їм присвячена значна кількість робіт [1]. В нелегованих кристалах окисних СЕ концентрація вільних носіїв заряду…	Сейковский, Иван Дезидерович	1995
Влияние радиационных воздействий на излучательные и электрические характеристики фосфида индия и арсенида галлия Объекта»,та исследования служили юнокристадлические пластины фосфида индия и арсенида галлия с ориентацией (100) и (111). Специально не легированшв полуазагпрущно подложка GaAs и»ли удельное сопро-тцвлэнЕв болев 8>ШТ Qu'est я шдагзтеть 3600 с®р/(3'с), а легиро…	Терлецкий, Андрей Иванович	1995