Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10

Тема работы	Автор	Год
Исследование диффузионно-дрейфовых процессов в оксидах свинца фотоэлектрическими методами В настоящем докладе излагаются в обобщенной форме результаты длительного исследования, первые публикации отдельных аспектов которого автором относятся к концу 60-х годов и которое на протяжении более двадцати пяти лет было неотъемлемым компонентом проводимого в РГПУ /ЛГПИ/ им.А.И.Герцена комплексного изучения кристаллохимических и оптоэлектронных…	Потачев, Сергей Александрович	1995
Исследование жидкофазной эпитаксии и диффузии примесей из жидкой и газовой фаз для структур солнечных элементов на основе AlGaAs/GaAs и GaSb Для производства гетерофотопреобразовагелей на основе ОаАэ в настоящий момент широко используется метод газофазовой эпитаксии из металл -органических соединений (МОГФЭ). Недостатком этого метода является использование особо токсичных газов, что уже привело к человеческим жертвам при авариях на установках для МОГФЭ, а также высокая техническая…	Намазов, Али Княз оглы	1995
Исследование кристаллической структуры и дефектов в карбиде кремния и их влияние на электрофизические свойства Одним из основных способов' получения как пластинчатых монокристаллов, так и пленок карбида кремния, является метод химической газофазной эпитаксии (ГФЭ). Высокая температура процесса роста при выращивании методом ГФЭ, сложность применяемых реагентов, испарение различных элементов с подложек и конструкционных узлов ростовой установки оказывают…	Салиев, Тожидин Муталович	1995
Исследование механизмов претипитации примесей в кремнии СЛЕДУЕТ ОТМЕТИТЬ СРЕДИ РАЗЛИЧНЬК ВИДОВ ВНЕШНИХ ВОЗДЕЙСТВИИ МАЛОИЗУЧЕННОСТЬ ОСОБЕННОСТЕЙ ВЛМЯ1ИЯ ВСЕСТОРОННЕГО ГИДРОСТАТИЧЕСКОГО ДАВЛЕНИЯ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ. ЛЕГИРОВАННОГО РАЗЛИЧНЫ"«! ПРИМЕСЯМИ. В…	Каримбердиев, Хикматилла Хамидуллаевич	1995
Исследование перестройки электрического поля в высокоомных полупроводниковых структурах Помимо большого научного интереса, который, представляет данный эффект сам по себе, его изучение должно внести вклад в теорию фотоэлектрических явлений в высокоомных полупроводниках, которая сформировалась па основании экспериментальных результатов, полученных, как правило, на высокоомных структурах типа М(ТД)П(ТД)М, однако интерпретация…	Кичаев, Андрей Вениаминович	1995
Исследование поляризационных процессов в халькогенидных стеклообразных полупроводниках (ХСП) системы As-Se в условиях неравновесного возбуждения Среди свойств халькогеиидных стекол наиболее изученными являются электрические, фотоэлектрические и оптические свойства. В данном классе материалов обнаруживается экспоненциальная температурная зависимость проводимости, знак термоэдс соответствует дырочному типу проводимости, коэффициент Холла отрицателен. При переходе от кристаллического…	Кастро Арата Рене Алехандро	1995
Исследование пространственного распределения точечных дефектов в полупроводниках, облученных высокоэнергетичными ионами Несмотря на то, что основные закономерности процессов дефект образования (ДО) в твердых .телах (ТТ) облученных ионами средних энергий (Е ~ 10 кэВ/а.е.м.) изучены достаточно хорошо, закономерности ДО в ТТ облученных ионами высоких энергий (Е ~ I МэВ/а.е ,м.) исследованы слабо, хотя первые работы по данной теме появились более двадцати лет назад…	Рыбин, Андрей Валерьевич	1995
Исследование рекомбинационных процессов в пористом кремнии фотолюминесцентными методами Открытие видимой люминесценции пористого кремния [I] коренным обргпом тиснило взгляд на традиционные области его использования в полупроводниковой электронике. Высокая интенсивность свечения, полученная в данном материале, вывела кремнии 1П разряда "оптически мёртвых" материалов и сделала исследование люминесценции порнсого кремния одним т…	Пикулев, Виталий Борисович	1995
Исследование сверхтонких диэлектрических пленок на поверхности полупроводников методом неупругой электронной туннельной спектроскопии Физические исследования сверхтонких диэлектрических и полупроводниковых слоев, включая собственные окислы на поверхности полупроводников представляют интерес в связи с разработкой приборов- на основе барьеров Шоттки. МДП- и сверхреше…	Постников, Константин Олегович	1995
Исследование фотоэлектронных свойств пористого кремния Одним из путей трансформации энергетического спектра кремния является формирование структур . с пониженной размерностью: свержрежеток, квантовых "нитей" и точек. Технология создания таких систем, как правило, довольно сложна. Так, для изготовления слоистых структур с толциной различных фаз порядка нанометров используется молекулярно-лучевая…	Константинова, Елизавета Александровна	1995
Исследование электронных свойств дельта-легированных арсенид-галлиевых структур методами фотоэлектрической спектроскопии Метод спектроскопии фототока обладает важными преимуществами перед чисто оптическими методами для целого ряда задач диагностики эпитаксиальных структур. В частности, этим методом можно измерить форму длинноволнового хвоста оптического поглощения при энергиях фотонов меньших ширины запрещенной зоны в широком динамическом диапазоне, недоступном для…	Ярошевич, Александр Сергеевич	1995
Исследования пространственной стабилизации тока в системе полупроводник - газовый разряд Первый из эффектов является необходимым, однако, еще недопч точным условием работы ячейки в качестве племент снсктралыши о преобразования ШС-шобрлжешш м определяет выбор материялт и…	Мухамадиев, Одилжон Солиевич	1995
Исследования свойств гетеропереходов на основе сульфида свинца и соединений А2В6 Се.гея!д 1 тоддокд цхлкя. цз налесать до грцпи спелдч Я2В6. е Еарохвзаиияав яатср!алаяя з вярг.юа заборонено! зопя 2.72 I 2.26 сЗ. в1дпо»1д1м. тпгрдай розчкн телуряду кадиIв - ртдт1 е пар1зов Л/ч й-1П(йг.роз1д!\|*кпм. Оказал! иатер!алн досл!дяен! досигь детая»-ао I с мкпонентахж зоточдтмвкх 1 мя1несцпнтпях щжяад!п. ко срадоть д еяяки'.й та дллск!й…	Хляп, Галина Михайловна	1995
Кинетические эффекты в сульфидах Tm, Sm, La и их твердых расторах К уникальным свойствам, наблюдавшимся в ряде соединений РЗЗ, относятся также пораненная (нецолочислешюя) валентность (ПВ) атомов РЗЭ и электронный изоструктуршй фазовый переход <<ií¡) полупроводник - металл, индуцированный давлением…	Касымова, Алмагул Гиждуановна	1995
Кинетические явления в ограниченных анизотропных и неоднородных полупроводниках Общие вопросы кинетической теории явлений переноса в анизотропных полупроводниках рассмотрены^ монографин [I]. В ней представлены общефизические соотношения между величинами, необходимые для научной интерпретации экспериментальных данных. В то же время для практических исследований экспериментатору и инженеру требуются теоретически обоснованные и…	Поляков, Николай Николаевич	1995
Количественный ренгеноспектральный микроанализ полупроводниковых материалов Метод ZAF имеет ряд принципиальных ограничений, заключающихся S-tom, что диффузионная модель, лежащая в основе метода, содержит ряд физических: допущений, предполагающих однородность анализируемых- материалов как в зоне возбуждения характеристических рентгеновских излучений, так и В зоне та выхода. Ограничение применимости метода ZAF особенно…	Во Тан Лонг	1995
Кристаллографическая ориентация и спектры излучения стримерных разрядов в полупроводниковых кристаллах типа АIIBVI и AIIBV кубической и тетрагональной симметрии Несмотря на обширные экспериментальные исследования распространения электрических разрядов в диэлектриках и полупроводниках, не была определена однозначно ориентация разрядов в кристаллах со структурой сфалерита, а также влияние дефектов упаковки и примесей на ориентацию и спектры излучения электрических разрядов в этих веществах. Оставался также…	Луценко, Евгений Викторович	1995
Легирование аморфного гидрированного кремния примесями серебра и диспрозия Показана возможность широкого варьирования параметров пленок аморфного щдрированного кремния путем его диффузионного легирования и легирования в процессе выращивания металлическими примесями…	Першеев, Сайдулла Казахбаевич	1995
Межподзонные переходы в квантовых ямах На основе приведенной теории анализируются спектры поглощения света, особенно разнообразные для полупроводников р-типа. Систематизируются основные закономерности, связывающие вид спектра с формой потенциальной ямы, величиной внешних электрического и магнитного полей, поляризацией света, а также типом начального и конечного состояний…	Петров, Алексей Геннадьевич	1995
Мессбауэровские методы исследования магнитных свойств ферритов и их прикладные аспекты ДкСТйлънсюдь.«» В. настоящее-время трудно назвать какую-либо о6лес,ть тохшпшг в, которой не использовались бы ферриты. Эти маг-хгктные материалы нашли широкое применение в технике сверхвысоких частотрадиоэлектронике, вычислительной технике, автоматике. Не менее вазнщл явилось использование ферритов в рачоства гштора-ала для постоянных магнитов…	Алиев, Шамиль Минкаилович	1995