Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Актуальність теми. Дослідження нових ефектів, які виникають в напівпровідниках, в умовах спільної дії на напівпровідниковим кристал декількох, відмінних за своєю природою, зовнішніх факторів є одним і перспективних напрямків фізики. Характер відгуку напівпровідника па таке комбіноване збудження визначається як параметрами кристалу так…

Обнаружен долговременный нелинейный электрический переходный процесс в кремнии, связанный с особенностями монополярной инжекции в компенсированный полупроводник. Показало, что долговременная релаксация а целом хорошо списывается теорией кон-тактьой нелинейности, ко имеет неизвестные ранее закономерности, обусловленные перезарядкой двух глубоких…

Актуальність теми досліджень. Дисертація присвячена теоретичному і експеримешапьнолу дослідженню закономірностей впливу дефектів структури на рентгенодифракційні і рентгеиоакустичні ефекти в кристалах та розвитку, На основі одержаних результатів, нових методів структурної діагностики реальних кристалів. Задачі сучасної опто- і мікроелектроніки…

Халькогениды свинца и твердые растворы на их основе представляют интерес для ИК-оптоэлектроники и термоэлектричества как материалы для излучателей, фотопрнемников и термоэлектрических преобразователей…

Особую вакность узкощэлевые материалы А^В^1 представляют для современной техники инфракрасного диапазона. В настоящее время на их основе уке созданы и разрабатываются источники и приемники КК-излучения, перекрывающие атмосферные окна в диапазоне 4-14 мкм. Подобные применения остро ставят проблему получения образцов узкозонных материалов А1УВТ1 с…

Четверное соед!шенив Сах1п1_1АЯу5Ь1_у являатся представителем многокомпонентных твердых растворов соединения типа Л3£Г*. Главное преимущество таких материалов - возможность целенаправленной оптимизации характеристик приборов путем вариации состава…

Актуальність теми Експериментальне підтвердження Ш* існування трикритичЕОІ точки (ТКТ) на прикладі халькогенідних кристалів БЬЗо" поклало початок великій кількості фундаментальних робіт по ■ вивченню критичних явищ при структурних фазових переходах в сегнетоелектричних кристалах…

Для создания оптоэлоктро'пшх приборов указанного диапазона интересными' и перспективными являются узкозогпшо соэдиного;я АЭВ5 и многокомпонентные твердые раствора на их' осново, п частности, GalnAsSb…

Замечательным достоинством полупроводниковых лазеров является их способность излучать ультракороткие оптические импульсы (УКИ) длительностью от долей до десятков пикосекунд. Область применения УКИ очень широка - это спектроскопия, метрология быстро-протекающих процессов, исследование скоростных фотонрибмников, системы оптической связи и т.д…

В полупроводниковой инфракрасной фотоэлектронике довольно ширфко используются твёрдые растворы Ссуф., Те, на основе которых разрабатываются и выпускаются промышленные детекторы инфракрасного излучения. Особенностью данного материала является возможность изменения в широких пределах его основных параметров путём варьирования состава раствора. В…

Необходимость получения особо чистых полупроводниковых материалов важна как с фундаментальной, так и с прикладной точек зрения. В настоящее время одними из наиболее чистых полупроводниковых материалов являются германий и СаАз, нашедшими широкое применение в производстве детекторов ядерного излучения (Се), опто-апектронных устройствах, НЖГ…

Актуальність теми. Про існування неспівмірних (НС) фаз в діелектриках відомо з кінця 70-х років. Широкі дослідження їх властивостей почали проводити лише після виявлення цих фаз в діелектричних кристалах групи А2ВХ4. Сьогодні дані кристали використовуються як піро- і п’єзодатчики, матеріали для збереження і передавання інформації, перетворення…

Актуальність теми. Про існування неспівмірних (НС> фаз в діелектриках відомо з кінця 70-х років. Широкі дослідження їх властивостей почали проводити лише після виявлення цих фаз в діелектричних кристалах групи А2ВХ4. Сьогодні дані кристали використовуються як піро- і п’езодатчики, матеріали для збереження і передавання інформації, перетворення…

Сучасну фЬику иаипчфошднпклв та ;йелекфн-Kin все Гчльше ¡нкалля! ь pbiioMaiiinii пронеси, як! пибуваклься бшя ноперхш твердого тша, ибо бшя мЬкфапш»; J рашшь тонких шинок. iik> знаходяися м!ж двома оередовишами. ?я чае нпснсмичого ртшпку фпикн клероплшнк систем накопнчсно -шачний acciiqiiiMcirbuii.iiHii та теорсгичлий Marepia.4, який дозволив…

Багатам e еисперименталыгай i таоретмчний матер!ал, нрисвячв-Ю1й дослШению деформацШгах асгтект1в СФП в ян-теллер! всышх кри-сталах, .розгляду в них мсшяшх впорядаувань 1 колактившх збуд-кеяь, .а також вивченню Iz прутаих властивостей. Разом 'я там, з'ясувйшю вплаву да них зовц1пщ1х механ1чних напружзяь не. пряд1-лялась до цього часу достагня…

Создать более эффективные теплопроводящие композита аозмокко, только изучив физические явления, характеризующие процесс формирования двух- к многокомпонентных т е пло про водящих композитов, ш теоретические положения переноса тепловой энергии в композитной системе полимер-наполнитель, в которой полимер является довольно тонкой прослойкой…

Термоэлектрическое охлаждение широко используется для понижения и стабилизации температуры малогабаритных объектов, имеющих автононные источники питания. Однако, вместе с понижением температуры объекта понижается термоэлектрическая эффективность наиболее распространенных термоэлектрических материалов на основе халькогенидов сурьмы и висмута, и при…

Несмотря на значительное число работ, посвященных изучению ВАХ с ОДП, такие важные, в том числе и с точки зрения практики, вопросы, как влияние высокочастотного (ВЧ) электромагнитного поля на участки статической ОДП, роль температурных флуктуаций и кинетика переключения в ограниченных средах с перегревной Э-ОДП, до настоящего времени изучены не…

Аморфный кремний привлекает внимание физиков-теоретиков и экспериментаторов как модельный материал при исследованиях явлений й системе порядок-беспорядок. Введение водорода о неупорядоченную структурную сетку аморфного кремния заложило основу для исследований нового класса полупроводниковых материалои-аморфных гидрированных…

К концу 00-г голов бисл мало нзучезч {нзкчсскнс проавс-си. происходящие в тлшелью« система;* с различила дизлектркчес-гаши слоя?ш: в частности. сквозное глшелировлт« носителей заряда через глубокогроппеш.ч? центры п яюлезгппше. оснеп пепвка-никл зарядаки глувокоувсренш« центров а диэлектрике с пстжвон к полупров&лшасох. физические основы…