Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10

Тема работы	Автор	Год
Эпитаксиальные пленки высокотемпературного сверхпроводника YBa2Cu3O7-x. Получение и использование Это резко повысило активность исследователей в поисках получения этим методом многослойных структур, включающих тонкие пленки высокотемпературных сверхпроводников, диэлектриков, металлов и полупроводников. Метод лазерного напыления позволяет создавать многослойные структуры, в том числе и сверхрешетки, необходимые как при проведении…	Кайлашев, Евгений Михайлович	1995
Эффекты локализации и интерференции в низкоразмерных системах на основе кремния и арсенида галлия Первой яркой демонстрацией роли интерференции в процессах электронного транспорте в твердых телах стало решение задачи о движении электрона в присутствии беспорядка. Все реальные системы в той или иной степени содержат элемент беспрядка - от относительно небольшого чксла примесей и несовершенств в слабо неупорядоченных кристаллических структурах…	Ольшанецкий, Евгений Борисович	1995
Эффекты статического и динамического разупорядочения решетки в оптических свойствах слоистых полупроводниковых материалов Широке застосування в сучасних електронних пристроях різноманітних напівпровідникових матеріалів, вр відрізняються ступенем і типом резупорядкування гратки (тверді резчхни напівпровідників, квааіаморфні середовищ та ік.) зумо&шз іятуатяіоїь завдань по вивченню кореляції мія особливостями будови таких об’єктів та їх фізичними властивостями. Вояк…	Лунь, Юрий Остапович	1995
Явления переноса и дефектообразование в CdxHg1-xTe при высокой температуре Актуальність теми. .Опним з важливих матеріалів електронної техніки е гверзиЯ розчин телуриду ртуті з телуридом кадмію -TV* Перспективність цього матеріалу пов"язана з його ун:г?>»ьними фізичними властивостями: високою рухливістю електронів та можливість плавно змінювати ширину забороненої зони від 0 до 1,6 еВ . Поєднання цих властивостей, а також…	Малык, Орест Петрович	1995
Аналитическое моделирование физических особенностей полупроводниковых структур при расчете основных характеристик быстродействующих полевых транзисторов Современная технология создания высокоскоростных интегральных схем. (ИС) связана с разработкой элементной базы на основе короткоканальных полевых транзисторах, а таюке использований новых полупроводниковых материалов на основе соединений ЛзВ5 . Наибольшее развитие получило направление по разработке технологии МС на основе арсенида галлия (ОаАэ…	Кузнецов, Михаил Геннадьевич	1994
Аналитическое моделирование физических особенностей полупроводниковыхх структур при расчете основных характеристик быстродействующих полевых транзисторов Современная технология создания высокоскоростных интегральных схем (ИС) связана с разработкой элементной базы на основе короткоканалышх полевик транзисторах, а также использования новых полупроводниковых материалов на основе соединений А В_ . Наибольшее…	Кузнецов, Михаил Геннадьевич	1994
Влияние атомарного водорода на свойства кремния, арсенида галлия и структур на их основе В третьей главе приведены результаты исследовании влияния обработки в водородной плазме на концентрацию и подтишюсть носителей заряда в монокристаллах кремния, а также ионно-легированных и энитаксиальных слоях с различным уровнем легирования. Представлены результаты по термостабильности комплексов фосфор-водород и диссоциации этих комплексов при…	Шлопак, Николай Владимирович	1994
Влияние гамма-излучения на ионную электропроводность и ионную тепловую поляризацию в керамических диэлектриках С развитием ядерной энергетики в последнее время предъявляя ген все более высокие требования к материалом, применяемым в даннной ой-ласти. Особенно это относится к электроизоляционным материалам, широко применяемых в ядерных реакторах. Необходимость в создании веществ с малой электропроводностью, высокой механической и жаропрочностью и при этом…	Скрипников, Олег Юрьевич	1994
Влияние геометрии образцов на гальваномагнитные и тепловые размерные эффекты в ограниченных полупроводниках При протекании то кг. через образец, помещённый в магнитное поле возникают вихруне токи, учёт которых существ&нно меняет теорию гальваномагнитных явлений в ограниченных полупроводникам…	Зокиров, Неъматилла	1994
Влияние полевого смещения ионов на электрические характеристики пленок сульфида кадмия Нап!впров!дн'лков! -полуки групи А2В6 1 а дзьому Еиг-.дку сульФ1д кадм'.ю. пригортають увагу досл!дник!в перспективного практичного зэстосуеэння , зумееленсо високои ЫдчутливЮтю ■ до зоен1шн!х эллиЫв. Наприклад, висока фотоЕ1дчутлив1сть сульф(ду кадм1я в сидимш облзсп спектру 1 велика ширина забсронено1 зони дозволяе ствсрювати токкспл1вкове…	Проничкин, Валерий Дмитриевич	1994
Влияние релаксации структуры на диффузию в неупорядоченных диэлектриках Процесс установления квазиравновесного состояния на поверхности стекла также ранее не рассматривался, а теоретическое описание ограничивалось рассмотрением стекла после ионного обмена как регулярного твердого раствора. Таким образом, реальное время установления квазиравновесия не находило отражения в ранее принятой теоретической модели. Такое…	Беляев, Михаил Владиславович	1994
Влияние спиновых флуктуаций и кулоновских корреляций на теплофизические и электронные свойства полупроводниковых и полуметаллических соединений переходных металлов Наметившийся в последние десятилетия прогресс электронной теории переходных металлов и их соединений связан с развитием модели узких <1-зон, в которой наряду с зонным движением электронов учитывается их кулоновское взаимодействие Смодель Нотта-Э&ббарда). Это привело к представлениям о важной роди электронных корреляций при электронных превращениях…	Повзнер, Александр Александрович	1994
Влияние структурного разупорядочения на свойства кристаллов с модулированными фазами типа Sn2P2Se6 В первой главе проведен обзор литературных данных по физическим и физико-химическим свойствам кристаллов типа Бп2Р2£>б и .твердых растворов на их основе. Исходя из анализа зтих свойств, сформу-лированны задачи исследования и обоснован выбор объектов исследования - сегнетоэлектриков Бп^Р,^, Вг^Р^е н твердых растворов на их основе. В конце главы…	Молнар, Шандор Бертолонович	1994
Влияние температуры и давления на оптические свойства кристаллов типа THnS2 Исследования фононных и электронных спектров смешанных кристаллов позволяют: значительно расширить диапазон внешних воздействий.на кристаллическую структуру,, сделать выводы о влиянии изовалентного замещения на точку ФП и о влиянии разупорядочения на процессы взаимодействия колебаний рететки с электронным возбуждс…	Байрамова, Эльмира Мамед кызы	1994
Вторичная электронная эмиссия рельефных субмикронных кремниевых структур Получены результаты исследования вторичной электронной эмиссии в зависимости от шрины к глубины рельофа, а иакжа от энергии первичных электронов и угла наклона оси зонда РЭМ позволившие расширить возможности диагностики элементов субмикронного рельефа твердотельных структур методами РЗЫ…	Стеколин, Игорь Юрьевич	1994
Дефектоутворення в плiвках халькогенiдiв свинцю i олова пiд впливом радiацiйного опромiнення Актуальність теми. Найбільш важливі електронні властивості вузькощілкнних напівпровідників дуїхе чутливі до характеру 1 кощентрації різного роду дефектів кристалічної гратки. З особливою гостротою це відкоситься до напівпровідників групи А^В71, які мають ряд унікальних властивосте«, що сприяє їх застосуванню як для модельних досліджень, так 1 в…	Салий, Ярослав Петрович	1994
Диагностика структур на основе InGaAsP/InP методом комбинационного рассеяния света Полупроводниковые • твердые растворы InGaAaP/TnP широко применяются в современной микро- и оптоэлек-троника для создания быстродействующих транзисторов, лазеров и фотоприеынйков волоконно-оптических линий связи спектрального диапазона 1.3-1.55 шеи. Дальнейший прогресс оптических систем парадачи, приема и обработки информации во многом определяется…	Якименко, Игорь Юрьевич	1994
Динамический тензоэффект и релаксационно-кинетические явления в кремнии, компенсированном марганцем и цинком, и структурах на его основе Полупроводники, легированные примесными атомами, создающими глубокие уровни в запрещённой зоне, являются чувствительными к различным внеаним воздействиям и могут быть использованы в качестве чувствительных элементов различных датчиков. В этом отношении монокристаллический кремний, легированный марганцем и цинком, является хорош изученным и…	Химматкулов, Одилбой	1994
Закономерности роста эпитаксиальных слоев CdTe на Al2O3, GaAs и исследование их адсорбционно-десорбционных характеристик Эффективность использования пленок теллурида кадмия ограничивается трудностью выращивания однофазных, совершенных по структуре, зеркально-гладких. монокристаллическт: слоев Сс!Те с управляемыми электрофизическими свойствамии, а также отсутствием количественных сведений об едсорОционных и электронных параметрах поверхности этих пленок…	Гасанова, Роза Нурмагомедовна	1994
Закономерности формирования и свойства газочувствительных элементов на основе диоксида олова Адсорбщюнно-полупроводниковые газовые датчики (АПГД) позволяют решать наиболее широкий круг измерительных задач и в силу ряда существенных достоинств, к которым относятся низкая стоимость и малые размеры, высокая чувствительность, простота -обслуживания и эксплуатации, возможность переносного исполнения, могут . в наотоящее время считаться…	Зильберман, Александра Борисовна	1994