Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников
Код ВАК 01.04.10Тема работы | Автор | Год |
---|---|---|
Исследование эффектов квантования фононного и электронного спектров в полупроводниковых сверхрешетках GaAs/AlAs методом инфракрасной спектроскопии
Лктх'щьность^^теш. Значительный прогресс в полупроводниковой технологии позволил создать искусственные микроструктуры с размерами сравнимыми с межатомными расстояниями. Доступность этого класса полупроводниковых структур создает новые пути для исследования физики твердого тела в условиях с сильно пониженной размерностью, где становятся заметны… |
Милехин, Александр Германович | 1994 |
Исследования квантово-размерных эффектов в полупроводниковых гетероструктурах и сверхрешетках оптическими методами
Останнє десятиліття відзначилось великим інтересом дослідників д двовимірних систем, які порівняно легко можуть бути реалізовані в МДІ структурах та тонких епітаксіальних шарах. У першу чергу и пояснюється перспективними приладними застосуваннями, а тако: порівняною простотою адекватних теоретичних моделей, що описуют двовимірні системи. Проте… |
Берча, Артем Иванович | 1994 |
Кинетические эффекты в классических полупроводниках (германии и кремнии) при низких температурах
Вместе с.тем, именно потому, что изучение и интен-швко проводилось на ранних стадиях развития полупроводниковых технологий получения и очистки материалов, большинство работ по «следованию процессов переноса в я выполнено на сравните-1Ьчо "грязных" монокристаллах с содержанием остаточных приыесей МаЛМ') & см дальнейшего-легирования.от этого… |
Банная, Вера Федоровна | 1994 |
Кинетическое моделирование неравновесных процессов в субмикронных диодных структурах
Расширение диапазона рабочих частот диодов Ганна в режиме 'пролетного домена связано с уменьшением длины их активной области до субмикронных размеров. При этом, длина "мертвой зоны", на которой происходит ускорение инжектируемых из катода электронов до энергий междолшшого перехсща, может оказаться сравнимой с длиной канала диода и с шириной домена… |
Карташова, Ольга Александровна | 1994 |
Локализованные колебания решетки в дефектных диэлектрических кристаллах
Роль таких исследований существенно возросла.в последние годы, осле открытия явления высокотемпературной сверхпроводимости в ристаллах со структурой слоистого перовскпта - Ьа2_хЗгхСи04 и ВагСизОх. К настоящему времени твердо установлен существенный клад фононной подсистемы в возникновение высокотемпературной верхпроводимостя. Несмотря на… |
Мазуренко, Владимир Гаврилович | 1994 |
Локальная плотность электронных состояний в неупорядоченных полупроводниках
Другой неупорядоченной полупроводниковой системой являются ш изученные этими методам твердые растворы. Даке в случае шентногб замещения по потенциалу решетки, они : не- обладаю?, юдичностьп и, строго говоря,, .к ним такяе'не применима теоре-)лоха. Поэтому при описаний их электронного строения, приходя делать ряд допущений. Кроме того, с точки… |
Терехов, Владимир Андреевич | 1994 |
Люминесцентная спектроскопия радиационных дефектов в алмазе
Исследование дефектной структуры ионно-имплантированного алмаза является в настоящее время актуальной научно-практической задачей. Значительно возросший за последние годы интерес промышленности к применению алмаза как материала полупроводниковой техники явился главным стимулом этих исследований. Главная задача, которая должна быть решена при… |
Али-Нур, Хусейн | 1994 |
Люминесцентная спектроскопия радиационных дефектов в алмазе
Важнейшие вопросы, которые возникают при исследовании ионно-имплантированного алмаза - это вопросы изучения процессов образования радиационных дефектов и исследования атомной структуры этих дефектов. К настоящему времени сделано большое количество экспериментальных работ, в которых изучались радиационные дефекты а ионно-имплантированном алмаае… |
Хусейн, Али-Нур | 1994 |
Математическое моделирование термодинамических и кинетических неустойчивостей в полупроводниковых твердых растворах
Широко известно явление несмешиваемости твердых растворов полупроводников А3В5 в определенной области температур и составов. Оно наблюдалось в многочисленных экспериментах. Явление несмешиваемости говорит о наличии неустойчивостей при выращивании твердых растворов. Принципиально возможны два различных механизма неустойчивости: термодинамический и… |
Малышкин, Владислав Геннадьевич | 1994 |
Метастабильные состояния, возникающие в пленках а-Si: H под влиянием внешних воздействий
Анорда гидрированный кремнии (a-Si:H) - один из самых ин-ересннх и перспективных некристаллических материалов. Практи--интерес к'этому штериалу обусловлен его высокой тзхноло-птюстьв (относительная простота процессов осаядеш при срав-жеяыю низких шпериурах, возшшють депфозання з процессе садепя), s такте ведомое стош'остьп получения. Кро::е того… |
Мелешко, Наталья Вадимовна | 1994 |
Механизмы оптической генерации и рекомбинации в фоточувствительных слоях и структурах GaP и GaAs, легированных переходными и редкоземельными элементами
Арсенид галлия. Происходи интенсивное внедрение в прокаленное производство технологии получения явгтаксяалького Оп1г Наибольшие успехи достигнут» в слодуюпих направлениях… |
Аннаев, Ашырмет | 1994 |
Микрофотолюминесценция полупроводниковых соединений
Научная новизна. Показано, что в основе явления изменения умекызения) интенсивности фотолюминесценции (ФЛ) под. сфокусированным лазерный пучком лежат фотоиндуцированные изменения рекомбина-ционных характеристик поверхностей образцов. Последнее имеет место в результате фотохимических реакций в слое собственного оксцаа и активного звхвата… |
Гукасян, Армен Маисович | 1994 |
Мощные одномодовые InGaAsP раздельные ограничения. Разработка и исследование излучательных характеристик
В области длин волн излучения ~0.8цт б настоящее время существуют одномодовые лазерные излучатели, изготовленные но основе АЮаАя/СаАе, у которых мощность излучения составляет ~200п№. Но лазеры, изготовленные на . основе А1-содержащих структурах, химически активны с окружающей средой. АльтернатиЕой для структур вышеназванной системы твердых… |
Горбачев, Андрей Юрьевич | 1994 |
Нейтринные процессы в астрофизических объектах при субъядерных плотностях
Остывающие нейтронные овсоды наблюдаются во Вселенной как ^иопульсары и рентгеновские источники. Основные надежды почить информацию о процессах внутри нейтронной - .веоды в насто-ее врема связаны с наблюдением теплового излучения с ее поверх-сти. Уникальные вооможности современных космических окспери-нтоа, регистрирующих рентгеновское получение от… |
Леинсон, Лев Борисович | 1994 |
Нелинейная спектроскопия поглощения в областикрая фундаментальной полосы полупроводников типа A2B6
Мзтоп дано! робота в вивчення в широкому температурному 1нтервал1 нь-л1н1йного поглинання св1тла в оЗлзст! краю фундаментально! смуги мсно- та м1крокристал1в нап1впров1дник1в типу А2В6. Особлива мета цих досл1джень така… |
Кулиш, Николай Родионович | 1994 |
Нестационарные и автоволновые процессы при образовании анодных оксидов
Кроме того, образование оксидной фазы в этш случае проте-ает прл сравнительно низких" температурах и отличается малой нергоемкостыэ, что также является весьма лолсж'тзлышм фактором… |
Чернышев, Вадим Викторович | 1994 |
Однородность структур для солнечных элементов на основе аморфного гидрогенизированного кремния
Истощение ископаемых пнергоресурсов и нарастающие трудное--решения эк логических проблем энергетики требуют.поиска но-х,. нетрадиционных методов получения энергии. Наиболее прив-кятелы'ым ни< благодаря своей ■экологической чистоте, ши-¡кой доступности и относительней дешевизне является.фотоэле-рический метод преобразования солнечной энергии. Как… |
Маому, Фаоро Эжен | 1994 |
Оптическая спектроскопия легированных хромом полупроводниковых шпинелей CdIn2┤S4 и ZnAl2┤S4
В типичном представителе серных шпинелей CdIn2S4 дефектность вызвана, главным образом, частичной обращённостью шпинельной структуры ( т. е. позиционным разупорядочением катионной подрешётки ) степенью которой можно управлять путём дополнительных технологических обработок кристалла. Помимо обращённости в халькогенидных шпинелях вероятны собственные… |
Попов, Сергей Михайлович | 1994 |
Оптические исследования неравновесных фононов и электрон-фононного взаимодействия в полупроводниках
Тем не менее, к началу 80-х годов в фононной спектроскопии оставалось много открытых вопросов, связанных как со свойствами самих высокочастотных колебательных возбуждений, так и свойствами взаимодействия фононов с другими элементарными возбуждениями в твердых телах. В частности, к таким вопросам относятся отражение терагерцовых фононов от границ… |
Акимов, Андрей Владимирович | 1994 |
Оптические свойства и особенности дефектообразования в монокристаллах Sr3Ga2Ge4O14
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ Актуальність теми. Нелінійні діелектричні матеріали \ складних окисних сполук знаходять широке застосування у пристроях управління оптичним випромінюванням 1 в якості кристалічних матриць для твердотільних лазерів , в тому числі з самопомноженням частоти генерації. Досліджувані монокристали 8г3Саг0е40 належать до… |
Гречух, Тарас Зиновьевич | 1994 |