Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

У -сучаснШ твердот1лькШ електрониц! головккми питаниями, що' вииикаоть п!дчяс дссл1дженнп м'евпоря.дкоьаних • систем ковалентно пов'лзаних атом!в, е роль вЦхилень I дефект!в цих структур в1д 1деалыю! опта, та вплив зазнэчених в!дхилень на голов-и электрофззичн! I оптичн! влаетивост! зморфнмх матер 1ал1в. НайбШэШ цжавк.чи зараз, не Т1льки с точки…

Карбид кремния является широкозонным полупроводниковым мата-шалом, находящим применение в высокотемпературной, силовой, опте- и СВЧ-электронике. Для него характерно явление 'политипизма, вследствие чего он на самом деле представляет целую совокупность материалов, различайцихся по своим свойствам…

Отличный от нуля вклад фононного увлечения в совершенных кристаллах полуметаллов может быть получен лишь при наличии дополнительного (нефононного) механизма рассеяния носителей. Для сверхчистых материалов роль такого механизма играет поверхность образца. Наличие нескольких длин пробега носителей относительно различного характера рассеяния…

Карбид кремния успешно применяется при изготовлении ряда полупроводниковых приборов: терморезисторов, высокотемпературных тензодатчиков, фоторезисторов и фотоэлементов для преобразования энергии ультрафиолетового излучения в электрическую энергию, высокотемпературных счетчиков сильно ионизирующих излучений, полевых транзисторов, зысокостабильных…

Закономерной тенденцией совершенствования полупроводниковых структур, обусловленной необходимостью повышения быстродойстпич и улучшения других свойств микро- и оптоэлектронных приборов, стало…

Особо чистые кристаллы, которые получают в настоящее - вра-мя, настолько соверпенны, что дефекты, в них не удается обнаружить с помочью обычных методов, исследования (высокоточная ран-геновска» топография и т.д.). Однако, атомы кислорода, углерода и других примесей, которые присутствуют в исходных кристаллах или вносятсй в ходе технологических…

Возможности современной технологии, а именно метода молекулярно-пучковой эпитаксии, позволяют получать полупроводниковые структуры с субмикронными.размерами, в которых кардинально меняется зонная структура,.волновые функции й времена рассеяния носителей заряда…

Положения, як^виносягьсяна захисг.; . -. I. В опроШнених кристадах СЛТе ефективна агрегатизац1я м1Жвузельного Сс1 • в1дбуваеться на"структурних дефектах гратки, а терм}адий нагр!в зразк!в стиыулюс дифуз1юатоы!вС<1 до по-верхн1 ! ?х наступну субл!ыац1ю у вакуум…

Стимулированное излучение возникало при тех жэ условиях, при которых возможно появление отрицательной дифференциальной проводимости (0Д11), вызванной переносом горячих дырок в состояния…

Стимулированное излучение возникало при тех же условиях, при которых возможно появление отрицательной дифференциальной проводимости (ОДП), вызванной переносом горячих дарок в состояния…

Поол;."стом .?кзшш спсчтошочталяррэоваиннх • диэлектриков и, в частности, «гада! сегнсюэлектркков «гпляотся r.-ipoiaiii круг'проблем-как. общего, тше и чаемого характева, среди■ которих ввделл! )?ся прсблек» структуршг* я-азов»*тс перого-^п и ¡фитгчеекгх.ятзлепг':., дн-■ кигвиш рстотгаг а ез раяп a r03inL-"i0t<ciai;i оионтатк»! пгавтризацчг Ps…

В настоящее'время надежно установлено, что процессы переноса и 'релаксации' заряда в неупорядоченных диэлектриках в течение длительного интервала времени происходят в дисперсионном режиме. Дисперсионный характер переноса носителей, заряда существенным образом влияет на характеристики различных процессов и явлений в неупорядоченных материалах. Это…

В полупроводниковых РОС-лазерах с внутренними механическими деформациями в активном слое можно получить (при сканировании по спектру изменением температуры) одночастотную генерацию мода ТМ-поляризации в спектральном интервале, значительно превышающем ширину деформационного расщепления валентной зоны. Подбором спектрального положения . линии можно…

Как показал опыт изучения слабоупорядоченнях сегнетозлектриков. для построения общей картины свойстз и явлений весьма информативным является изучение комплексной диэлектрической проницаемости ¿,*(со,Т). Причем в слабоупорядоченных сегкетоэлектриках полная картина механизмов поляризации может быть составлена только с охватом широкого частотного…

Актуальнкггъ тени. Робота присвячена досл1дженню иехан1зм1в формування надлишкового шуму в на п1впров1д никах, причому дал г нова йтиме не тх'льки про так званий 1//-шум, але я про надлишковий 61-лий шум в б1полярних транзисторних структурах. Так1 досл1дження нають велике значения як для ф1зики, так 1 для техн1ки нап1впро-в!дник1в…

Аналіз літератури, прксвя'-гзної дослідженням фотолегувгакк, показав, що існуючі уявлення про його механізм недостатньо обгрунтовані експериментально. До початку цієї роботи казіть для найбільш дослідкеної структури As^S5 - Ag були відсутні відомості про повний концентраційний профіль срібла в напівпровідкиїу та його еволщію під час легування…

Актуальн!сть роботи. На цёй час досл1дження орган1чних низькорозм1рних провадних систем сформувалися в окремия напрямогс ф1зики твердого т!ла. Започаткован! ж вони були роботою Л!ттла (1964 р.), в як!й була сформульована 1дея нового, екситонного механ!зму високотемпературно! надпров!дност! в одновим1рних орган!чних системах. Невдовз! було…

Актуальність теми дисертаційної роботи зизначаеться глибоким інтересом до сарузатих кристалів і в&руваткх систем, унікальні фізичні властивості яких дозволяють на нових принця-тх розв’язувати численні задачі лазерної техніки, нелінійної оптики, метрології, мікро- і оптоелектроніки…

Актуа»ьн1сть теми. В тепер1шн1й час метастаб!льн! та рухом! дефекта е об»ектами Интенсивного вивчення в усьому свМ. Такиа Интерес драйдаик!в обумовлганий, в пвршу черту, там, що присутнЮть цих дофекг!в мош приводит до зм1ни практично важливих характвристшс нал!впров1дникових матэр!ал!в (лроБ1даост1, фоточутливост!, лш!несцэнтних та огггачних…

Таким чином, доелíдхення алектрсянях вдасгазостей •Улгд-год,--линних нап:впр22:д:!;:к1з, опремхнекиу. част^г.м'Л г/с^х язяяеться актуальная 1 дсЦлькам як з яауховг,<у,тах- i « •лра'.тл«-аоиу аопокта?:. Робота сб"сд.чан.1 однкм зягзльним напрякксм - р-ль ргд1ац:?.::пх ефикт:;: з форму:-у«к! адастзэсот&й багзтодолгнких «а-П12Пров1Дки:'Лз з…