Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10

Тема работы	Автор	Год
Донорно-акцепторная инжекционная сенсибилизация молекулярных регистрирующих сред Важнейшим фактором, определяющим светочувствительность этих сред на стадии формирования скрытого изображения, является эффективность фотоинжекции ^ заряда из фотогенерационного в транспортный слой. К моме$?$ постановки данной работы эффективная фотоинжекцш была получена при сенсибилизации по-ливишлкарбазола (ПВК) халькогенвдными стеклообразными…	Дьяченко, Наталия Владимировна	1992
Жидкофазная эпитаксия твердых растворов ZnxCoyHg1-x-yTe Однако широкое использование TP KPT обнаружило ряд техноло-; гических недостатков этого соединения, вызванных недостаточной его устойчивостью относительно образования дефектов структуры при внешних воздействиях. В основном это касается решеточной, поверхностной и интерфейсной нестабильности, проявляющихся в сильных отклонениях от стехиометрии и…	Андрухив, Андрей Михайлович	1992
Зонная структура композиционных сверхрешеток типа CdxHg1-xTe-CdyHg1-yTe Представленные в работе результаты могут быть использованы при разработке фотоприемников на основе композиционных сворхросе-ток Сс1„ Нд,^ Те - Сс1уНд1_уТе…	Далла Сальман	1992
Изучение взаимодействия электронной и ионной подсистем в структурах диэлектрик - полупроводник Проблема поверхностного ионного дрейфа оставалась актуальной на всех этапах развития полупроводниковой электроники. Дрейф биографических и генерируемых в процессе эксплуатации приборов заря1енных частиц по поверхности диэлектрических слоев является паразитным эффектом, приводящим к неконтролируемым изменениям таких характеристик, как обратные токи…	Родионова, Елена Викторовна	1992
Исследование времени жизни неосновных носителей в монокристаллах CdxHg1-xTe р-типа в условиях низких фоновых засветок и широком интервале температур Перспективным направлением развития ИК-микроФото-электроники является создание многоэлемгнтных и матричных Фотоприемников (МФП) на основе Фотодиодов из узкозонного твердого раствора кадмий-ртуть-теллур (КРТ), чувствительных к тепловому излучению в окнах прозрачности атмосферы: 3-6 и 0-14 мкм…	Мухитдинов, Азиз Мирасбекович	1992
Исследование генерационно-рекомбинационных дефектов в приборах с зарядовой связью При проведении технологических операций и производство ПЗС в крешшевых пластинах индуцируются различного рода дефекты, а также дефекты исходного кре?лния на последушлх высокотемпературных обработках (ВТО) процесса изготовления -фетеряевают различные изменения - мр~г,ируют по пластине, укрупняются, взаимодействуют между собой, диссоциируют или…	Барышев, Сергей Константинович	1992
Исследование метастабильных состояний в эпитаксиальном n-GaAs по краевой люминесценции Основной фактор, определяющий люминесцентные, фотоэлектрические и др. свойства полупроводников и приборов "на их основе, - это кинетика фотовозбужденных носителей. При межзонном оптическом возбуждении (Ьчй>Ед, где.Ед - ширина запрещенной зоны) рождаются свободные электроны (е) и дырки (Ь). Они могут ре-комбинировать либо непосредственно, либо…	Шофман, Вадим Григорьевич	1992
Исследование собственного электронного спектра полупроводниковых твердых растворов Si x Ge1-x и Ga x In1-x As методами фотоэлектрической спектроскопии Особый интерес представляют напряженные и квантовораз-мерпыо структуры на ochoeq этих полупроводников, за счет новых свойств позволяющие значительно расширить шс практическую значимость…	Панов, Михаил Федорович	1992
Исследование спектров комбинационного рассеяния света в AlGaAs-слоях и квантоворазмерных гетероструктурах Прогресс современной опто- и микроэлектроники связан с совершенствованием тохнологий получения многослойных приборных структур но основе твердых растворов, в особенности содержащих слои субмикронного диапазона толщин (вплоть до десятков ангстрем). При разработке и совершенствовании тохнологий…	Смекалин, Константин Евгеньевич	1992
Исследования дефектов с глубоким уровнем в нелегированных эпитаксиальных слоях арсенида галлия Практическая ценность работы заключается в том, что созданный комплекс методов и полученные с его помощью данные послужили основой для оптимизации технологических режимов выращивания нелегированных эпитаксиальных слоев саде и приборных структур на их основе…	Брунков, Павел Николаевич	1992
Квазидвумерная модель тонкопленочных полупроводниковых структур с отрицательной дифференциальной проводимостью Разработка пригодных для практического использования устройств сдерживается из-за нерешенности ряда задач, к которым в первую очередь следует, отнести формирование необходимого распределения поля и заряда в ТПС. Один из возможных способов управления распределением поля состоит в увеличении количества управляющих электродов, что позволяет…	Перепеловский, Вадим Всеволодович	1992
Квантоворазмерные гетероструктуры в системе GaAs/AlGaAs Принципиальные возможности КР гетероструктур были реализованы лишь с развитием новых технологий: газовой эпитаксии из металлоор-ганических соединений и, в особенности, молекулярно-пучковой эпитаксии '(МПЭ) [4…	Копьев, Петр Сергеевич	1992
Кинетика фотоэффекта на границе раздела кремний Р-типа/электролит Одним из перспективных методов црямого преобразования солнечной энергии является способ, основанный на проведении фотоэлек-трохимичаских реакций в элементах, включающих полупроводниковые электрода. Анализ различных способов показывает, что аккумулирование солнечной энергии в виде химический энергии водорода является наиболее эффективной формой…	Гусейнов, Низами Искендер оглы	1992
Комбинационное рассеяние света и электрон-фононные возбуждения в кристаллах двойных фторидов лития-редких земель Ак ту ал ьн о с т ь про бл ет/ь:. Ксн:;е;!трроз&>:нь:е редкоземельные (РЗ) гристалли - ваякый класс модельных объектов ссврм.геглой физики •гердого тела. Упругие, оптические, уагякткьто и другие сзе/.стза РЗ .рист&ляок изучается раз:1И'а'.ю.гл мс«одчв:к резэкакснсй х.нзеезекгке-•ой спсктроскопии Незаполненное элсетроннь-о 4f оболочки РЗ ненов…	Купчиков, Анатолий Константинович	1992
Кулоновская гибридная локализация электронов в неупорядоченных системах и ее влиение на электрофизические свойства МДП структур Очевидно, что кроме состояний двух выше рассмотренных типов существуют также состояния, представляющие, по сути дела, их гибрид и возникающие при локализации электронов на мелкомасштабных скоплениях, попавших внутрь крупномасштабных флуктуаций. Ранее такая локализация не рассматривалась, однако вовсе не из-за того, что эти состояния крайне редки и…	Сторонский, Николай Миронович	1992
Кулоновские корреляции и концентрационно-неравновесные явления в полупроводниках Широкое применение при расчетах вычислительных машин увеличивает значение аналитических расчетов, возможность получения точных ответов и создания на их основе физической картины, дающей возможность предсказывать влияние различных факторов, иногда даже не учитываемых в рамках развиваемой модели…	Ткач, Юрий Яковлевич	1992
Люминесценция ионно-имплантированных алмаза и кубического нитрида бора По мере возрастания "прочности" полупроводникового материала, технология его выращивания и обработки становится всё более сложной и труднореализуемой, поскольку возрастающая стойкость материала оказывается такхе серьёзным препятствием и при попытке целенаправленного изменения его структуры. В результате многие традиционные методы выращивания…	Зайцев, Александр Михайлович	1992
Магнитостатические волны в планарных магнитных структурах с нестационарными и неоднородными параметрами Магнитостатические спиновые волны (МСВ) сверхвысокочастотного диапазона (СВЧ) (1-60 ГГц), распространяющиеся в магнито-упорядоченных диэлектриках, интенсивно исследуются как теоретически, так и экспериментально примерно с середины семидесятых годов. Интерес к МСВ обусловлен, с одной стороны, уникальной совокупностью свойств, приводящей к большому…	Фетисов, Юрий Константинович	1992
Механизм потерь в магнитомягких ферритах в зависимости от их состава и технологии изготовления Особое внимание уделяется разработке Нп-йп ферршов, пото му что на ферритах такого состава можно получить высокие иначе пия электромагнитных параметров, значительно прешмвюцие на пи соких частотах значения параметров металлических ферромогнети-гсов, традиционно используемых в качестве магнитопроводов источников питания…	Якунова, Ада Юрьевна	1992
Механизмы тока и процессы рекомбинации носителей заряда в SiC p-n-структурах Апробация_работу. Материалы работы докладывались па Всесоюзном семинаре по силовым полупроводниковым приборам (Таллинн,1986,1987), Всесоюзной научно-технической конференции "Перспективы развития технологического оборудования, новых материалов и технологических процессов для повышения еффективности производства полупроводниковых приборов силовой…	Стрельчук, Анатолий Маркович	1992