Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

ЦР обладает рядом значительных преимуществ по сравнению с другими методами. Это, прежде всего, возможность бесконтактных измерений, что особенно существенно при низких температурах. Далее, результат измерения в постоянном поле является, как правило, сложной суперпозицией вкладов различных групп носителей заряда: электронов, принадлежащих различным…

У подавляющего большинства твердых тел электропроводность определяется одночастичным механизмом проводимости. В зависимости от концентрации носителей заряда - электронов или дырок -и, соответственно, от величины удельного сопротивления такие вещества делятся на металлы, полупроводники и диэлектрики. Примером твердых тел, в которых главную роль…

В настоящее время интерес к электронным системам пониженной размерности не ослабевает и это обусловлено стечением нескольких обстоятельств: необходимостью более подробного изучения и углубленного понимания физических явлений, протекающих в них; развитием методов реализации различных систем, позволяющих получать структуры с недоступной ранее…

К конденсированным неупорядоченным системам.относятся сильно легированные полупроводники (беспорядок замещения или композиционный беспорядок), аморфные и стеклообразные полупроводники, лпдкоста (структурный или топологический беспорядок), поверхность полупроводника, полупроводники и диэлектрики, подвергнутые в определенных условиях радиационным…

Экспериментально указанные системы реализуются в следующих структурах: в инверсионных и обогащенных слоях в ВДП-структурах, в селективно легированных гетеропереходах, в многослойных гетеро-структурах с квантовыми ямами и сверхрешетках, в тонких пленках. Кроме того, классическая 20 система электронов может существовать на поверхности жидкого гелия…

Некристаллические материал! Р].„дс1ашшют большой кнтепео как с теоретической, так и с прикладной точек зрения л явл^.гоя в посчеднле год» объектом интенсивных исследований. Фундаментальная важность проблемы обусловлена тем, что некристаллической состояние, характ'еризусцеасч лааь блакиям порядком в расяо-ложНкйй атомов, является наиболее слотанм…

Развитие современного приборостроения стимулирует постоянный поиск новых материалов и новых эффектов, связанных с электронными процессами з полупроводниках. В связи с этим в последнее время как в чисто научном, так и в практическом плане большое вникание уделяется низкоразмеркым полупроводникам. К таким веществам относятся и квазяодномерные…

В настоящее время полупроводниковые лазеры генерируют излучение в широком диапазоне длин волн от Д = 0,33 мкм (¿?/?5) •до 32 мкм (РЬоц 5е ) [149] . Возможности продвинуться в область более длинных волн на основе использования указанных выше материалов, по-видимому, весьма незначительны, что объясняется тем, что в области больших длин волн в Р6^х…

В работе изучены вопросы, связанные с отработкой акустического и радиоэлектронного трактов акустического микроскопа и системы механического сканирования для работы в диапазоне частот 200 - 1000 МГ. Предложен и реализован однолинзовый микроскоп на прохождение с акустоэлектрическим детектором в качестве приемного элемента. Исследованы различные…

Научная новизна работы. Впервые проведены исследования влияния ольших степеней пластической деформации на структуру и свойства онокристаллов фосфида галлия и построена модель, объясняющая наб-кщаемые в экспериментах закономерности. Обнаружено возникновение лоистого распределения примесей при облучении кристаллов фосфида аллия электронами с…

Несмотря на то, что электрофизические свойства халькогени-дов меди изучены подробно [5-10], все еще остается почти не исследованным влияние одноосной деформации на их электрофизические и оптические свойства. А имеющиеся несколько работы посвящены только изучению влияния одноосной и всесторонней деформации на электрические свойства халькогенидов…

В заключение выражаю глубокую признательность руководителю работы Вейнгеру А.И. за постоянное внимание, проявленное им в ходе выполнения работы, обсуждение результатов и повседневную помощь. Хочется поблагодарить весь коллектив сотрудников лаборатории неравновесных процессов в полупроводниках Ленинградского физико-технического института, деловая…

Важным является изучение природы глубоких центров соединений Cdlri S и Сы£а S , Решение этого вопроса позволит уп-2 4 2 ^ равлять люминесцентными и фотоэлектрическими свойствами материалов, путем создания в процессе роста кристалла или его отжига цужных дефектов. Взаимодействие собственных и примесных дефектов может привести к образованию их…

Исследование явлений переноса заряда в полупроводниках в сильном электрическом поле имеет самостоятельное научное и практическое значение. Эффекты сильного поля либо лежат в основе работы многих твердотельных приборов, либо неизбежно сопутствуют ей. Ударная ионизация мелких донорных уровней, уменьшение рекомбинации, туннелирование носителей заряда…

В теории локальных центров большое место занимают работы, выполненные в рамках метода псевдопотенциала. Основная идея этого метода состоит в выборе псевдопотенциала, являющегося более гладкой функцией координат и меньшего по величине, чем истинный потенциал, что особенно существенно для решения рассматриваемой задачи в рамках теории возмущения…

Отметим проблемы, возникающие при исследовании коротковремен-ной фотопроводимости указанных материалов и разработке малоинерционных фотоприемников на их основе. Увеличение легирования, необходимое для достижения малых времен фотоответа, приводит к возникновению случайного поля, обусловленного хаотически расположенными ионами примесей. При…

Автоволновые явления наблюдаются в биологических, химических и физических активных распределенных системах. В качестве их примеров можно назвать распространение возбуждений в нервных и мышечных тканях, волны горения и химических реакций, образование страт в плазме газового разряда и многие другие. Близкими примерами являются нелинейные волны и…

Барьеры Шоттки являются более простыми объектами для изучения деградационных явлений в полупроводниках . В частности, в данных структурах при пропускании прямого тока, при не слишком высоких плотностях тока, инжекцией неосновных носителей заряда, а также их излучательной и безызлучатель-ной рекомбинацией можно пренебречь. Поэтому изучение…

Таким образом, на сегодняшний день на первый план выступает одна из важнейших задач физики реальных кристаллов - получение основных данных о структуре (природе) дефектов кристаллической решетки, механизмах их образования и кинетике развития…

Изменение населенностей состояний приводит к изменению оптических характеристик раствора - поглощения и показателя преломления. При анизотропном распределении молекул по направлениям осцилляторов изменение поглощения проявится в виде наведенного дихроизма просветления, а изменение показателя преломления - в виде наведенного двулучепреломления…