Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика полупроводников

Код ВАК 01.04.10

Тема работы	Автор	Год
Диэлектрические потери в щелочно-галоидных кристаллах с дислокациями в килогерцевом диапазоне …	Рыбянец, Валерий Александрович	1984
Диэлектрические свойства стекол в системах M-As(Sb)-S-I Научная новизна. Впервые исследованы диэлектрические свойства и спектры комбинационного рассеяния света стекол систем Sb - S - ] и Ag - As - 5 - I ,на основании которых дана интерпретация их локальной структуры. Показано, что стекла системы Sb - S - I имеют "квазиэвтектическое" строение. Оцределен вклад различных видов поляризации в…	Рубиш, Василий Михайлович	1984
Жидкостная эпитаксия изопериодных Ga Al Sb As/Ga Sb фотодиодных структур Использованию твердых растворов препятствует во многих случаях несоответствие периодов решетки в структурах на их основе, что приводит к возникновению дефектов несоответствия и ухудшению характеристик приборов. В полной мере реализовать преимущества твердых растворов позволяют четырехкомпонентные системы, дающие возможность создавать изопериодные…	Баранов, Алексей Николаевич	1984
Излучательная комбинация в арсениде галлия, легированном изовалентными примесями In, Sb, Bi, и в неоднородных твердых растворах на его основе А В , хотя их получение и сопряжено с рядом технологических трудностей /70,103/. Однако, общим свойством, присущим всем твердым растворам полупроводников, являются неоднородности рас цределения их компонент, приводящие к пространственным флуктуаци ям важнейшего параметра полупроводника - ширины запрещенной зоны. Такого рода неоднородности…	Чалдышев, Владимир Викторович	1984
Изучение кинетических процессов в твердых растворах полупроводников А3В5 численными методами В настоящее время в твердотельной СВЧ электронике занимает заметное место целый ряд приборов, принцип действия которых использует М - образную вольт-амперную характеристику (ВАХ) некоторых полупроводников. Важнейшим представителем такого рода устройств является диод Ганна, который сам по себе может быть использован как генератор, усилитель и т.д…	Черняховский, Леонид Хаимович	1984
Изучение состояния фоновых примесей кислорода и углерода в арсениде галлия Использование метода ИК-спектроскопии потребовало развития теоретического вопроса, касающегося анализа колебаний примесей и примесных пар в бинарных полупроводниках. Эта задача была решена в литературе частично…	Аккерман, Зиновий Лейбович	1984
Инерционность междолинного перераспределения электронов в германии и кремнии С одной стороны, вследствие миниатюризации увеличиваются поля, ускоряющие носители заряда в кристалле. Так в современных интегральных схемах поля достигают напряженности 10^ В/см и более [2] . При таких напряженностях электрического поля даже при комнатной температуре в кремнии и германии электроны сильно разогреваются, вследствие чего существенно…	Гинтилас, Шарунас Здиславович	1984
Исследование акустоэлектрических явлений в структуре металл-диэлектрик-CdS-LiNbO/3 Такое изменение акустоэлектрического взаимодействия вызвано сильным увеличением (на три порядка) проводимости пленки СсШ из-за инжекции электронов из токовых контактов в полупроводниковую пленку…	Лацитис, Ионас Ионович	1984
Исследование влияния дефектов решетки на свойства монокристаллов CdSiAs2 Т-^200 К подчиняется в специально не легированных образцах зако-// ну Up~T , где ОС = 1,5*2,5. Последнее также свидетельствует в пользу рассеяния дырок на колебаниях решетки. С понижением Т 200 К начинает проявляться рассеяние на статических дефектах решетки…	Мамедов, Амандурды	1984
Исследование влияния состояния границы раздела на электрические и фотоэлектрические свойства гетероперехода ZnTe-CdSe Одной из важных задач полупроводникового приборостроения является разработка новых детекторов электронных потоков. С этой точки зрения ГП ZnTe - CdSe также представляет интерес, так как он образован материалами, чувствительными к электронному облучению. Поэтому задача исследования влияния состояния гетеро-границы на электрические и…	Леондарь, Владимир Васильевич	1984
Исследование воияния антеркалирования и состояния поверхности на оптические свойства кристаллов селенида галлия В предположении слабой связи между слоевыми пакетами в слоистых кристаллах получен ряд интересных теоретических результатов относительно протекания физических процессов в системах с предельно анизотропным электронным спектром (например, предсказание существования в слоистых кристаллах двумерных экситонов /"3,4-7, давыдовского расщепления…	Иванийчук, Мария Тимофеевна	1984
Исследование зонной структуры легированного антимонида галлия Основными методами исследования являлись спектральные и поляризационные измерения излучательной рекомбинации. Этот метод является одним из наиболее эффективных методов изучения зонной структуры полупроводника, природы линий фотолюминесценции и энергетического распределения носителей тока…	Чайкина, Елена Ивановна	1984
Исследование излучательной рекомбинации в широкозонных гетероструктурах в системе InGaAsP Для решения указанной задачи уже давно ведутся работы по созданию и исследованию гетероструктур на основе пшрокозонных соеди-3 "5 нений А В . К таким соединениям, цревде всего, относятся тройные твердые растворы Inj^Ga^P (х? 0,5) и четверные твердые растворы InGaAsP с большим содержанием Ga и Р…	Тулашвили, Эремия Вахтангович	1984
Исследование механизмов рекомбинации в CdxHg1-xTe Кроме того, изучение механизмов рекомбинации в CclxHghx~Ie (0.2 ¿х ¿0.3) представляет также и большой научный интерес, так как эти твердые растворы являются узкощелевыми полупроводниками и, следовательно, в них удельный вес механизмов рекомбинации зона-зона больше, чем в классических полупроводниках, что делает их подходящим объектом для изучения…	Баженов, Николай Леонидович	1984
Исследование многослойных футочувствительных структур на основе эпитаксиальных слоев ZnTe и CdSe При этом большое внимание уделяется полупроводниковым соединениям класса 17 - 8], которые характеризуются высокой фоточувствительностью, относительно высокой подвижностью и образованы широко распространенными в природе элементами. Однако характерная для них монополярность цроводимости затрудняет получение р-п гомопереходов. Поэтому для…	Фокша, Александр Яковлевич	1984
Исследование оптических характеристик полупроводниковых кристаллов с узкими энергетическими зонами Проблема учета межэлектронного взаимодействия в данных материалах - основная задача в теоретическом аспекте. В отдельных случаях даже слабое взаимодействие между электронами играет принципиальную роль, кардинально меняя свойства системы. Примерами могут служить электрон-электронное спаривание в теории сверхпроводимости [I.I7] или электрон-дырочное…	Иваночко, Михаил Николаевич	1984
Исследование пробоя щелочно-галоидных кристаллов импульсами лазерного излучения лямбда=10,6 МКМ В настоящее время надежно установлено, что к снижению порога пробоя в реальных кристаллах приводит наличие неоднородностей, поглощающих лазерное излучение. В связи с этим, и механизмы пробоя в таких материалах отличаются от механизмов пробоя в чистых диэлектриках. За период многолетней деятельности по изучению оптического пробоя накопилось…	Крутякова, Валентина Павловна	1984
Исследование скоплений компенсирующих центров в полупроводниках и их взаимодействия с точечными собственными дефектами Чаще всего основное внимание уделяется изучению изменений свойств однородных полупроводниковых материалов под действием излучения. Однако иногда оказывается, что примеси и дефекты распределены по объему материала неоднородно. Полупроводниковые материалы со скоплениями атомов примесей или дефектов приобретают особые "аномальные" электрические или…	Рахимов, Одил	1984
Исследование структуры стеклообразных полупроводников системы Ge-As-S-J методами ИК и КР спектроскопии Среди неорганических халькогенидных стеклообразных полупроводников (ХСП) следует вццелить группу халькогалогенидных стекол, которые в последние годы интенсивно исследуются. К числу таких полупроводниковых материалов относятся стекла четверной системы Ge-As-s-J » Известно, что область прозрачности трисульфида мышьяка простирается от 0,58 до 12,5…	Росола, Иван Иосифович	1984
Исследование физических процессов в многослойных полупроводниковых структурах, выключаемых током управления Основным препятствием на пути к широкому применению ЗТ в мощной электротехнике до настоящего времени являлось отсутствие ЗТ - ов , способных эффективно коммутировать большие токи и напряжения. Решение этой проблемы оказалось невозможным в рамках традиционных представлений о физических процессах в рпрп структурах. Специфическое качество ЗТ…	Азарян, Р.Э.	1984