Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика конденсированного состояния
Код ВАК 01.04.07Тема работы | Автор | Год |
---|---|---|
Ближний порядок в системе Fe-B-N при последовательной имплантации бора и азота в пленки железа
Необходимость проведения дальнейших исследований связана с исследованием зависимости композиционного и структурного ближнего порядка в системах Fe-B и Fc-B-N при ионной имплантации от параметров имплантации (внедренной концентрации металлоидов, дозы, плотности тока и энергии имплантации), а также с изучением возможности эффективного формирования… |
Федотова, Юлия Александровна | 1998 |
Ближний порядок, концентрационный профиль элементов и спектральные характеристики пленок низко - и высококоординированых некристалических сплавов GeхASу,S1-х-у и a-Si1-хNх:H
Сумісність технологічних процесів отримання плівок а-8і.Н та його сплавів з стандартними процесами виготовлення інтегральних схем, а також успіхи в вирішенні проблеми підвищення швидкодії тонкоплівкових польових транзисторів, детекторів різного призначення, надграток на основі а-Бі.'Н відкривають реальні можливості для переходу до виготовлення… |
Герасимов, Виталий Викторович | 1998 |
Взаимная диффузия в структурно-неоднородных материалах, полученных методом порошковой металлургии
… |
Пещеренко, Сергей Николаевич | 1998 |
Взаимная диффузия в структурно-неоднородныхматериалах, полученных методом порошковой металлургии
Таким образом, влияние дефектов кристаллического строения на диффузию обычно изучали в процессах самодиффузии и примесной диффузии когда число и пространственное ])асп°ложение дефектов заданы. Количество исследований этого направления неуклонно растет, расширяется их тематика. В частности появляются работы по примесной диффузии в… |
Пещеренко, Сергей Николаевич | 1998 |
Взаимодействие атомарного водорода с поверхностными фазами In и Al на кремнии
Исследование процессов на поверхности твердых тел - одно из важнейших направлен™ в современной физике конденспрованых веществ. Особенно эти слова следует отнести к изучению поверхности полупроводников и, в частности, поверхности кремния. Дело не только в том, что к этому вынуждают требования микроминиатюризации полупроводниковых приборов, что… |
Игнатович, Константин Викентьевич | 1998 |
Взаимодействие быстрых электронов со слоистыми мишенями
… |
Костин, Дмитрий Владимирович | 1998 |
Взаимодействие компонентов в фосфиде галлия и его растворах в галлии
… |
Рязанов, Дмитрий Владимирович | 1998 |
Взаимодействие полиэлектролитных гелей с низкомолекулярными веществами, содержащими ионогенные и гидрофобные группы
В последнее десятилетие повышенный интерес вызывают полиэлектролитные гели в связи с их способностью претерпевать резкие конформационные переходы. Объем полиэлектролитного гидрогеля подвержен существенным изменениям по отношению к изменению параметров окружающей среды. Изменение макрообъема геля отражает конформационный переход цепей его сети из… |
Джеон Чунг Хуан | 1998 |
Влияние взаимодействия когерентных границ раздела на физические свойства сегнетоэластиков, сегнетоэлектриков-сегнетоэластиков
Научная новизна. В работе впервые получены уравнения, описывающие изгибные колебания ансамбля взаимодействующих двойниковых и когерентных межфазных границ в кристалле, проанализирован спектр изгибных колебаний ансамбля границ раздела… |
Моисеев, Сергей Игоревич | 1998 |
Влияние внешней среды (Н2, Н2О) и гамма-облучения на структуру и свойства иттриевой ВТСП керамики
Поэтому изучение закономерностей поведения керамических ВТСП материалов при различных внешних воздействия? и поиск возможных путей улучшения их параметров являете} актуальной задачей. Кроме того выявление и учет роли фактор« внешней среды в лабораторных исследованиях имеет большо< значение для корректного сравнения и правильной интерпрета ции… |
Аксенова, Татьяна Ивановна | 1998 |
Влияние дефектов структуры на мартенситные превращения в системах с низкими упругими модулями
… |
Кулагина, Валентина Васильевна | 1998 |
Влияние дефектов структуры на спин-решеточную релаксацию ионов Nd3+ в иттрий-алюминиевом гранате и центров облучения в кварцевом стекле
… |
Лукоянов, Дмитрий Анатольевич | 1998 |
Влияние деформации и магнитного поля на электронную структуру глубоких примесных центров в полупроводниках
Все возрастающий интерес к полупроводникам с глубокими примесными центрами обусловлен существованием у них целого ряда физических свойств/ важных с точки зрения их практического использования. В последнее время расширился класс полупроводниковых соединений, увеличилось число дефектов, которые можно отнести к глубоким центрам, дальнейшее развитие… |
Костин, Иван Владимирович | 1998 |
Влияние исходных макроскопических дефектов на процесс лазерно-индуцированного разрушения и деформирования оптически прозрачных кристаллов
Оптическая прочность твердых прозрачных диэлектриков существенно зависит, при прочих равных условиях, от таких дефектов, как трещины, полости, поры. Из них наибольший интерес представляют трещины. В вершине трещины возможна более высокая концентрация механических напряжений, чем вблизи поры или полости. Рост трещин является основной причиной… |
Ушаков, Иван Владимирович | 1998 |
Влияние магнитного поля на распространение ультразвуковых волн в магнитоупорядоченных кристаллах
… |
Магомедгаджиев, Хасбула Ибрагимович | 1998 |
Влияние магнитной анизотропии и диссипации на ферромагнитный и спин-волновой резонансы в пленках феррит-гранатов
Явление резонансного взаимодействия электромагнитного поля с ферромагнетиками имеет и важное прикладное значение, поскольку лежит в основе функционирования многочисленных СВЧ устройств: преобразователей частоты, резонансных вентилей и фильтров, параметрических усилителей, ограничителей мощности, линий задержки… |
Зюзин, Александр Михайлович | 1998 |
Влияние примесного состава и предварительных термообработок на процессы образования и отжиг радиационных дефектов в кремнии n-типа
Переход к большим и сверхбольшим интегральным схемам, содержащим элементы с субмикронными размерами, выдвинул задачу резкого повышения структурного совершенства, однородности и чистоты базовых материалов современной микроэлектроники. Основным материалом полупроводниковой микроэлектроники по-прежнему остается кремний (на его основе выпускаются… |
Медведева, Ирина Федоровна | 1998 |
Влияние различного рода обработок на комплекс оптических свойств монокристаллов LiNbO3
… |
Лебедев, Эдуард Вячеславович | 1998 |
Влияние редкой земли на сверхпроводящие и нормальные свойства допированных купратов типа REBa2Cu3O7-y (RE=Y редкая земля)
Если замещение производится па])амагпнтш>1ми атомами, то последние могу т дополнительно влиять ua сверхпроводимость посредством взаимодействия их магнитных моментов со спинами злектро-HOI1 проводимости. При этом д;ике небольшое количество парамаг-ннтных примесей обычно полностью подавляет сверхпроводимость. Исходя из чюго. можно было ожидать, что… |
Кочетков, Вадим Николаевич | 1998 |
Влияние симметрии граничных условий на спектры спин-волнового резонанса в многослойных магнитных пленках
… |
Бажанов, Андрей Григорьевич | 1998 |