Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика конденсированного состояния

Код ВАК 01.04.07

Тема работы	Автор	Год
Процессы переключения в некоторых сегнетоэлектрических пленках на монокристаллах кремния Показана перспективность использования сформированных структур в качестве информационной среды с высокой плотностью записи. На основе развитой модели оценен физический предел плотности записи (~108-т-109 бит/мм2). Создан макет жесткого диска диаметром 133мм с плотностью записи ~106 бит/мм2…	Толстоусов, Сергей Викторович	1998
Процессы переноса и рекомбинации неравновесных зарядов в поликристаллах халькогенидов цинка …	Лифенко, Валерий Михайлович	1998
Псевдосимметрия кристаллических структур …	Каткова, Мария Ридовна	1998
Равновесные состояния кристаллической решетки, содержащей плоские и точечные дефекты в упорядоченных сплавах со сверхструктурами В2 и DO3 Без преувеличения можно сказать, что создание материалов с заданным набором физико-механических свойств в настоящее время является решающим фактором в развитии всех современных областей техники. Огромный прогресс достигнут в получении полимерных и композиционных материалов. Однако металлы и сплавы по-прежнему остаются основой конструкционных…	Никифоров, Алексей Гранитович	1998
Радиационная наследственность в металлических кристаллах при высокотемпературных превращениях Внутри указанной нами проблемы не менее важным оставались нерешенные задачи изучения поведения структуры интерметаллидов с дефектами радиационного происхождения при послерадиациошюй термической обработке. Здесь не были известны и, как показывает анализ научной литературы, слабо экспериментально и теоретически изучены до настоящего времени…	Скаков, Мажын Канапинович	1998
Радиационно-механические эффекты в твердых телах при облучении высокоинтенсивными импульсными электронными и ионными пучками Возникли новые задачи и в радиационном материаловедении. К конструкционным материалам ядерной энергетики стали предъявляться повышенные требования по эксплуатации в экстремальных условиях - воздействиях мощных радиационных потоков, сверхвысоких температур и давлений, химически агрессивных сред. Для быстроразвивающейся аэрокосмической…	Валяев, Александр Никифорович	1998
Радиационно-стимулированные процессы и электрон-фононные взаимодействия в кристаллах корунда Необходимо подчеркнуть, что еде в конце 50-х и начале 60-х годов значительно повысился интерес к радиационным явления», происходящим в кристаллах корунда. В первые годы шло накопление информации относительно изменения оптических, механических, электромагнитных и других характеристик корунда в процессе облучения. При исследовании радиационного…	Геворкян, Володя Арсенович	1998
Радиационные изменения реальной структуры высокотемпературных керамик на основе нитрида бора и нитрида алюминия Нитридные керамические материалы на основе BN и A1N являются высокотемпературными диэлектриками, которые используются или являются перспективными для использования в электротехнике, электронике, металлургии, химической промышленности, ядерной энергетике, космической и лазерной технике (электроизоляторы, защитные покрытия, диэлектрические окна…	Степанов, Петр Александрович	1998
Развитие фазочувствительных рентгенодифракционных методов исследования структуры приповерхностных областей кристалла Основной задачей рентгенодифракционного анализа структуры кристаллов является определение координат составляющих кристалл атомов. Информацию о взаимном расположении атомов можно получить, исходя из комплексного структурного фактора, определение которого по ренпе-нодифракционным данным требует решения фазовой проблемы. Как известно, она состоит в…	Крейнес, Александр Яковлевич	1998
Разделение механизмов ядерной спин-решеточной релаксации в кристаллах NaCl, GaAs, Al2 O3 и LiCsSO4 Для достижения указанной цели были поставлены задачи: модернизация промышленного спектрометра ЯМР, которая предусматривает использование термостатированной измерительной головки с регулируемым температурным режимом и создание в объеме образца контролируемого стационарного магнитного поля резонансной частоты на время измерения ядерного Ть…	Уляшев, Анатолий Михайлович	1998
Разработка физических основ интегральных технологий самораспространяющегося высокотемпературного синтеза дисперсных материалов на основе легированных интерметаллических соединений никеля и титана …	Вольпе, Борис Матвеевич	1998
Распространение нелинейных электромагнитных волн в неоднородных квантовых сверхрешетках …	Попов, Константин Алексеевич	1998
Распространение электромагнитных волн в плоско-слоистых магнитогиротропных и бианизотропных структурах …	Иванов, Олег Витальевич	1998
Растворимость, диффузия и магнетизм вупорядочиващихся сплавах- со структурами L10, L1, B2, B8 Актузльн! сть теш. Багатокомпонентн! тверщ розчини на ochobi спнаряих упорядковних сплав1в е основании важливими складовимм матерхалш з о с обливши фгзнко - хинчними властивостями. Цо визначае прантичну важливкггь вивчення Оагатокомпонвнтних сплава. Б1льшсть властивостея цих сплзв!в при ф1Ксованому ii miчному склад1 визначасться типом та ступеней…	Скляр, Александра Владимировна	1998
Расчет внутризонной электронной радиолюминесценции диэлектриков …	Харитонова, Светлана Валерьевна	1998
Расчет оптических характеристик двойных и тройных неупорядоченных сплавов золота, серебра, меди и цинка …	Морилова, Людмила Витальевна	1998
Релаксация метастабильных состояний в носителяхзаписи информации на основе стеклообразных полупроводников Дисертацію присвячено експериментальному дослідженню метастабільних станів в некристалічних твердих тілах на основі аморфних халькогенідів. Зокрема, на прикладі ішзьковимірних некристалічних селенідів розглядаються загальні закономірності атомно-структурних і електронно-структурних перетворень, викликаних зонним фотозбудженням, термічним відпалом…	Микла, Виктор Иванович	1998
Рентгенодифракционные исследования эпитаксиальных пленок и многослойных структур сверхпроводниковой электроники Одной из важных задач в современной сверхпроводниковой электронике является выращивание качественных по структуре эпитаксиальных сверхпроводящих пленок и многослойных структур с высокими значениями температуры перехода в сверхпроводящее состояние Тс и высокими значениями транспортного тока. Ключ к успешному решению данной проблемы лежит в…	Поляков, Сергей Николаевич	1998
Рентенодифракционные исследования процессов дефектосоздания в приповерхностных слоях монокристаллов при действии внешних сил На даний час високоефективні напівпровідникові прилади твердотільної мікроелектроніки виготовляються шляхом легування тонких приповерхневих шарів монокристалів з допомогою термічної дифузії або іонної імплантації. При імплантації виникає велика кількість дефектів, крім того, імплантовані іони займають в основному міжвузольні положення, тоді як…	Евдокименко, Андрей Валерьевич	1998
Рост из молекулярных пучков и свойства гетероструктур с эпитаксиальными слоями фторида кадмия В данной работе применялись кремниевые подложки размером 14x22 мм2 из материала КДБ-1, вырезанные в плоскости 111с отклонением не более 15 угл. мин. После физико-химической подготовки подложки подвергались высокотемпературной очистке в ростовой камере. Контроль очистки осуществлялся по наличию на картине дифракции быстрых электронов сверхструктуры…	Хилько, Андрей Юрьевич	1998