Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика конденсированного состояния
Код ВАК 01.04.07Тема работы | Автор | Год |
---|---|---|
Влияние промежуточных обработок на долговечность при высокотемпературной ползучести металлов
Ранее, в основном на примере образцов поликристаллической меди было устношгено, что наиболее эффективным способом залечивания зернограничной пористости и продления времени жизни образцов, испытуемых в режиме высокотемпературной ползучести, является промежуточное воздействие на образцы высокого (до 1 ГПа) гидростатического давления. В тоже время… |
Юсупов, Джурабек Едгорбекович | 1996 |
Влияние структурных изменений на электрохромные свойства тонких пленок триоксида вольфрама
Актуальність теми. Електрохромний ефект в плівках оксидів перехідних металів викликає велику зацікавленність завдяки можливостям його використання в електрооптичних приладах відображення, перетворення та збереження інформації, в пристроях керування світловими потоками [1-3]. Аморфні плівки триоксиду вольфраму (а-\Л/Оз) є найкращими та найбільш… |
Шияновская, Ирина Владимировна | 1996 |
Внутреннее трение в ферромагнетиках при ориентационных фазовых переходах
Большинство работ, посвященных исследованию потерь на микро-, вихревые токи, основано на использовании формальных реологических моделей и поэтому остается невыясненной зависимость диссипации энергии данного вида от внешних воздействий и структурного состояния системы… |
Красных, Павел Алексеевич | 1996 |
Вопросы теории нелинейных явлений в анизотропных магнетиках с учетом мультипольных моментов
Одной из принципиальных задач физики твердого тела является выяснение связи свойств кристалла с его фундаментальными характеристиками. В теории магнетизма весьма плодотворным оказался феноменологический подход, в основу которого положен симметрийный анализ пространственного распределения векторов ферро- н антиферромагнетизма. Динамика… |
Цуминов, Хикмат Халимович | 1996 |
Встроенные поверхностные фазы на кремнии
Прогресс современных методов наращивания тонких кристаллических пленок (в особенности, метода молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ)) открыл возможность получения многослойных структур с заданным практически произвольным распределением легирующей примеси по глубине. Особое место среди последних достижений технологии занимает формирование структур с… |
Зотов, Андрей Вадимович | 1996 |
Высокопрочные состояния и особенности микроструктуры в переходных металлах и сплавах
При разработке материалов используют два подхода. Первый из них, достаточно традиционный, основан на создании в сплаве определенной микроструктуры в результате- подходящей термомеханической обработки. Во втором подходе основное внимс ие уделяется микроскопическим особенностям металла, таким как характер межатомных связей, структура и подвижность… |
Горностырев, Юрий Николаевич | 1996 |
Динамические эффекты в диффузном рассеянии тепловых нейтронов на малодислокационных кристаллах германия
… |
Эйдлин, Андрей Олегович | 1996 |
Дислокационные и диффузионные эффекты при высокотемпературном деформированиикристаллических твердых тел
Таким образом, возникла необходимость в исследовании причин возникновения внутренних напряжений, их распределения и способов релаксации в процессе высокотемпературной деформации, а также установлении преимущественных механизмов переноса массы. В зависимости от реальной исходной структуры кристаллических твердых тел причины внутренних напряжений… |
Мацокин, Вадим Павлович | 1996 |
Диссипативные процессы и динамика вихрей в сверхпроводящих тонкопленочных микроструктурах
Повыазнио критической температуры до значений порядка 100 Я создает благоприятные условия для использования в качестве хладо-огепта дешевого иисюго азота, что сусестзенно облэгчгет работу, скипает стоимость кркогетгаго оборудования и открывает новые перспективы в создании декевых, коотактинх и экономически выгодных устройств сильноточной it… |
Прищепа, Сергей Леонидович | 1996 |
Дифракция рентгеновских лучей в многослойных и градиентных кристаллах со статистически распределенными микродефектами
Существенную роль в электрофизических свойствах полупроводниковых материалов играют дефекты структуры, которые неизбежно присутствуют практически во всех реальных многослойных и градиентных кристаллах. Среди дефектов особое место отводится микродефектам (точечным дефектами их скоплениям (кластерам), включениям, дислокационным петлям малых размеров… |
Пунегов, Василий Ильич | 1996 |
Диффузионно-инициируемые процессы в твердых телах в условиях развития осмотических эффектов
Мтуатьиост^пр^лсш: Р&зработка полелей, адекватно списн-иждих с,мвические сьойства тверд:« тел в условиях, д.тиишх от тернодинпулческого равновесия. особенно актуальна в свяои с проблемой оптидарацни структурная и мехшьмеиких свойств материалом с использованием компьютерной техники. В частности, считается, что получение мдаерааяов с вадати ы… |
Марвин, Владимир Борисович | 1996 |
Диффузия сурьмы по границам зерен меди
Помимо научного интереса оба вопроса имеют практическое значение: -размерный эффект, главным образом, для технологии микроэлектроники и других материаловедческих технологии, в которых характерный размер изделия сравним с размером зерна; а сегрегационный -в связи с широким применением микролегирующих добавок, сильно сегрегирующих на границах зерен… |
Баландин, Игорь Львович | 1996 |
Диэлектрическая релаксация в сегнетоэлектриках с водородными связями, обусловленная динамикой доменных границ
До недавнего времени основной акцент при исследовании сегнетоэлектриков был направлен на изучение физических свойств идеальных бездефектных материалов, в которых изучаемое явление не осложнено проявлением особенностей, связанных с неидеальностьы кристаллической структуры. Однако, известно, что для ферроичных материалов, к которым относятся и… |
Сафонова, Ирина Александровна | 1996 |
Изгибные волны, возбуждаемые в твердых телах плотными импульсными пучками электронов
В силу ряда причин акустическое излучение твердых тел под действием импульсных лазерных пучков в настоящее время изучено гораздо более подробно, чем пол действием мощных пучков заряженных частиц (в частности, электронных). Практически, объектом экспериментальных и теоретических исследований а этой области до сих пор били продольные волны н… |
Барденштейн, Александр Леонидович | 1996 |
Изменение профилей концентраций атомов в токнопленочных структурах Me-Si при тепловом и радиолокационном воздействиях
Тонкие пленка играют очень важную роль в современных техноло-\ . гаях. Особенно успешно сии применяются в быстро развиванцейся технологии интегральных схем. Они служат также основными компонентами таких приборов, как устройства для преобразования солнечной энергии в электрическую и сверхполупроводниковые приборы. Важнейшим требованием к… |
Кибардин, Алексей Владимирович | 1996 |
Изменения структуры поверхности металлических материалов при трении с высокими нагрузками
… |
Колубаев, Александр Викторович | 1996 |
Изучение механизма образования мюония в жидком гелии
Посте безуспешных попыток обнаружить мюоний в газообразном [3] и жидком [4] гелии, возник скептицизм в перспективности применения мюонов для исследования гелия. Однако в та боте [5] было обнаружено, что прецессия мюона в жидком гелии затухает и, более того, при понижении температуры ниже точки сверхтекучего перехода, затухание прецессии резко… |
Ещенко, Дмитрий Геннадьевич | 1996 |
Ионно-продуцированные аморфизация и кристаллизация полупроводников со структурой алмаза
Детальное исследование процессов аыорфизации и кристаллизации полупроводниковых материалов под воздействием ионных пучков позволяет предсказывать структуру облученных слоев и дает возможность выбора оптимальных режимов имплантации, при которых на выходе получается наиболее совершенный кристалл, что имеет как научное., так и практическое значение… |
Гусаков, Григорий Анатольевич | 1996 |
Использование синергетических моделей в теории фазовых переходов конденсированной среды
Здесь *„ = 7/р, 1Г, ¿„ - времена релаксации соответствующих величин; 7 -вязкость жидкости; д -ее высокочастотный модуль сдвига; / - характерный размер системы; дг,дя ~ положительные константы связи. Первые слагаемые в правых частях уравнений (1) представляют релаксацию системы к стационарным значениям V = 0, г = 0, п = пд. Вторые слагаемые… |
Хоменко, Алексей Витальевич | 1996 |
Исследование влияния различных факторов на газоразрядные явления при отрыве пленок полимеров от твердых подложек
Б настоящих время существование самой тсспой взаимосвязи между адгезионными и электрическими явлениями не вызывает никакого сомнения. Одним из важнейших вопросов и области адгезии является »опрос "о природе сил, обусловливающих адгезионную прочность". Особенно значима адгезия пленок, как одна из разновидностей адгезионного взаимодействия… |
Мусуралиев, Токтогон Мусуралиевич | 1996 |