Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика конденсированного состояния

Код ВАК 01.04.07
Тема работы Автор Год
Поверхностные фазы в системе Si-In и процессы на поверхности Si(III)

Тоетой примзняемж в промъгялэшгостп планок' в насшжгзэ вреш». «езэт э пределах от десятков ангстрем до нескольких микрон. Д-шькэйиая шкрсюшгтюрказцяя свшзла о умзньташем этих рзтасров до толетн , близких ж arowftv нолослош, что позволит создать лрвдпослипат для разработки приборов нового типа. Эяект-раннш н атемныэ скойстт подобных структур £Q…

Чурусов, Борис Константинович 1990
Позитронная диагностика радиационных дефектов в карбиде кремния

Научная новизна работы. Впервые определено распределение дефектов по глубине в монокристаллическом кремнии, подвергнутом воздействию ионов ксенона с энергией МпВ/нуклон; идентифицированы вакансионше дефекты,образующиеся в карбиде кремния в результате облучения быстрыми электронами, реакторными нейтронами, тяжелыми ионами ксенона; впервые…

Гирка, Александр Иванович 1990
Полиморфное альфа-гамма превращение при изменении температуры и давления в железоникелевых сплавах с ферритной и мартенситной структурами

Процесс образования ^-фазы в сталях и сплавах с мар-тенситной структурой изучэн весьма подробно, это обусловлено исследованием явления структурной наследственности. Известно, что процесс аустенитизации и структурная наследственность решающие образом зависят от скорости нагрева. В соответствии с этим оС-»"5* превращение в сталях и сплавах с…

Хомская, Ирина Вячеславовна 1990
Применение метода угловой корреляции аннигиляционного излучения для исследования радиационных дефектов в молибдене, облученном протонами с энергией в интервале 5-30 МэВ

Для исследования дефектной структуры материалов в следние годы с успехом применяют метод электронно-пози-онной аннигиляции (ЭПА), который обладает уникальной бирательностью и высокой чувствительностью к дефектам кансионного типа. Однако интерпретация данных по ЭПА :я металлов, при облучении которых высокоэнергетичными .ерными частицами возможно…

Макаров, Сергей Васильевич 1990
Процессы распространения и комбинационного рассеяния поляритонов в молекулярных кристаллах

Одной из наиболее интересных и важных проблем, неизменно привлекающей в течение последних лет внимание многих исследователей, является взаимодействие экситонов с фотонами в кристалла х с дипольно-актнвннмя экситонными переходами. Как известно, согласно теории, учитывавшей экситон-фотоннее взаимодействие, истинными Фундаментальный:! возбуждениями в…

Тартаковский, Илья Иосифович 1990
Процессы рассеяния и смешивания собственных возбуждений в спектроскопии слоистых полупроводников

Интерес к таким исследованиям объясняется возможностью полу-зния на их основе новых данных о процессах межчастичного расселяя в широкой области изменений величины передаваемого квазиим-(гльса Л К, эффектах ангармонизма и смешивания квантовых частиц иличной природы с образованием собственных возбуждений "типа вязанной моды" (поляригоны…

Блонский, Иван Васильевич 1990
Псевдопотенциальный расчет характеристик непереходных металлов в условиях ударно-волнового нагружения

В случае непереходных металлов и jdc сплавов уравнение состояния и термодинамические функции могут быть получены з рамках теории псевдопотенциала. В настоящее время накоплен значительный опыт по использовашсэ методов теории псевдопотенциала для расчета свойств непереходных металлов, исследования фазовых переходов и др.. В этой связи применение…

Лемберг, Владимир Феликсович 1990
Радиационно-стимулированная диффузия и рекристаллизация золота и алюминия на поверхности кремния

Научный аспект наи;дх исследовани!: РОЩ заключается в появлении п детальном изучении ш!крог.:оханнзг.:ов физических лро-% цессоп, про;:стадга:я пл границе раздала 'Газ арл г.-о-г'-лдизаци:: поверхности полупроводника. Cywïocîb» яо доследований PCP тонки пленок Ли н , нанеогшшх на поверхности кре-ияля, является разработка г.-одельчж представлений о…

Мелкадзе, Теймураз Элефтерович 1990
Радиолиз щелочногалоидных кристаллов

Цоаьв данной работы является комплексное исслодоганпо сое- . местного воздействия вакуума, темпера тури и облучения на кинетические закономерности процесса раниолиза ЕГК " их интерпретация…

Драган, Олег Петрович 1990
Радиоспектроскопия туннелирующих нецентральных ионов в диэлектрических кристаллах

В качестве матриц были выбриг.-t два яопннх кристалла из ряда окислов щелочноземельных металлов - Sro и впо. Большой копий радиус катионов (I.I3 1 и I,?5 Â для £г2+ и соотгет…

Сочава, Лев Сергеевич 1990
Разработка методики и расчет электронной структуры дефектов в металлах

В качестве тестовых объектов исследования были выбраны как уже хорошо изученные (3d-примеси в Си и AI), так и менее изученные, но имеющие довольно большое значение для техники…

Козлов, Александр Викторович 1990
Расчет электронной структуры и магнитных свойств неупорядоченных бинарных сплавов замещения переходных металлов и ВТСП

Сплавы на основе нэлеза и палладия обладают целым рядом уникальных свойств» таких как сильная склонность к упорядочению для сплавов Pe-Tt, аномалии.в поведении механических, магнитных и термодинамических свойств для сплавов Fe-Cr, зависимость стабильности а и ч фаз га лаза от наличия примесей гигантский магнитный момент в сплавах с палладием…

Суслопаров, Георгий Анатольевич 1990
Расчет электронной структуры магнитных металлов ниже температуры фазового перехода

Структура и объел рзботи. .Ллссергацкя состоит из сведения, трех глгз, содерпхг "2 рзеуякоз, 4 тебяипы, сгасох даторатуры из 75 Езпажозгнкй, всего 101 странглз…

Манешева, Римма Ахматовна 1990
Рентгеноструктурные и спектроскопические исследования полупроводников со структурой TlGaSe2

Т£1п5г . ТеIпбе^ • к настоящему времени накоплен обширный разнообразный экспериментальный материал по свойствам этих кристаллов. Такое внимание к рассматриваемому классу соединений обусловлено тем, что они обладают полупроводниково-сегнетоэлектри-ческими свойствами, в них осуществляются последовательности фазовых переходов, среди которых есть и…

Кульбужев, Башир Султанович 1990
Рентгеноструктурные и спетроскопические исследования полупроводников со структурой TlGaSe2

Объекты исследования. Были выбраны слоистые полупроводниковые кристаллы типа Т£ &о. ч и кристаллы твердых растворов изоморфного замещения ти(Си,Ад),. где В-б-аДп; С-5,¿е. Соединения типа Л бо-Бе^ и твердые растворы на их основе претерпевают последовательности фазовых переходов. В ТСйа ^ наблюдается ФП с учегверением периода С через промежуточную…

Кульбужев, Башир Султанович 1990
Самосогласованные псевдопотенциальные расчеты электронной структуры поверхности твердых тел

Впервые выполнены самосогласованные расчеты электронной структура поверхностей Ве(0001), Ц{?{0001), ¿л (0001), С^СОС!), Еа(001>, Показано, что электронные структуры поверхности (ОСОГ) гексагональных металлов б окрестности границ поверхностно"' зоны Бриялюгка похожи. Наибольшее изменение при переходе от одного элемента к другому наблюдается б…

Силкин, Вячеслав Михайлович 1990
Сканирующая туннельная микроскопия межзеренных границ

На основе СТМ создан ряд новых приборов, дающих разнообразную информацию о поверхности твердого тела. Помимо рельефа поверхности проводящих материалов удается получать поверхностное распределение характеристик спектра туннелирования (метод сканирующей туннельной спектроскопия - СТС)121, электрического потенциала (метод сканирующей туннельной…

Степанян, Григорий Арнольдович 1990
Спектр частот локальных фононов автолокализованных состояний электронных центров

Полученные результаты такне представляют практачекий Интеле для расчета многочисленных оптических эффектов в реальных фпсталлах с примесными центрами, поскольку отношение интен-:ивности комбинационного рассеяния света (КРС) и интенсивности инфракрасного поглощения (ККП) с участием локальных фононов уш рассмотренных моделей намного больше единицы…

Чуев, Геннадий Николаевич 1990
Структура металлических пленок, полученных импульсным лазерным напылением

Для получения обобщавших закономерностей формирования структуры плёнок эксперименты проводились на серии металлов, имевших раэличнув химическую активность по отношению к взаимодействии с газами: Аи , Аз ,Си ,1п ,Бп ,А1 ,N1 ,Со ,От ,т> ,11…

Николайчук, Григорий Павлович 1990
Структурные уровни деформации и разрушения поликристаллов при различных видах нагружения

В литературе предложено много способов деформации отдельных зерен в поликристалле. Все они могут быть сведены к схемам Закса, Тейлора или промежуточной схеме Кохендор^ера,развитой затем Зшби. «многочисленными экспериментальными данными последних лет доказано,что схема Тейлора,принятая в механике сплошной среды, не выполняется. формоизменение зерен…

Елсукова, Тамара Филипповна 1990