Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика конденсированного состояния

Код ВАК 01.04.07

Тема работы	Автор	Год
Структурные факторы поверхностного растрескивания при горячей прокатке аустенитных коррозионностойких сталей ОдПОГ» ¡13 ср'^сгиечнык ПрЧФШ бита«« ПЭЭДО.ТП и ОЧ!"н.Г.шя 'Погода годного аустсни'П-.ет коррозиончостоНш; гтс-лей тглиегс.ч образование поверхностных: дефектов, в осксвко;«, рвлнии, ¿деление» поверхностных дефектов - дорогос-тоягдая и "грудоемчзл операция. Нем »том не всегда обэспачмзаотся получение качественного гогунего продукта. Потери от…	Зинченко, Сергей Александрович	1990
Тезорные и тензорно-ферромагнитные структуры в магнитных и квазиспиновых системах. Термодинамика, динамические явления и фазовые переходы При.этом наиболее важными представлялись следующие вопросы: а) вопрос об определении и классификации всех типов упорядочен- . кого состояния з системах с тензорными взаимодействиями: .6) свойства нетривиальных магнихоупорядоченных структур…	Онуфриева, Флорина Павловна	1990
Теория безызлучательного резонансного переноса энергии между примесными ионами в конденсированных средах В последние годы, акцент в исследованиях безызлучательного зеноса энергии электронного возбуждения между примесными иоде в твердом теле в какой-то мере сдвинулся от изучения -оди-шого элементарного акта переноса энергии к макроскопическим [елям миграций и тушения.В этой области исследований переноса ¡ргии достигнут значительный прогресс как в…	Агабекян, Александр Сергеевич	1990
Тепловое диффузное рассеяние излучений и структурные фазовые переходы в модели кооперативных колебаний Другим.немаловажным аспе"том применения концепции кооперативных атомных колебаний является проблема спонтанных структурных фазовых переходов. При замерзании колебаний (когда они гтре-врал'шотся в статические смещения) когерентных объектов с последующей подстройкой кристалла (уплотнением, контракцией) кристаллическая решетка искажается, и на этом…	Сагарадзе, Игорь Викторович	1990
Термодинамические и спектральные свойства неупорядоченных ЯН-теллеровских систем Особенности поведения неупорядоченных систем с ЯТ ионам)! определяются во многом электрои-фононным изаннодействием. Это взаимодействие приводит к Эффективной межцонтровой связи, что является » концентрированных ЯТ системах причиной кооперативного структурного фазового перехода. В последнее время Выл достигнут зна'штельный прогресс в понимании…	Фишман, Анатолий Яковлевич	1990
Топологические точечные дефекты в жидких кристаллах Дефекты в Ж, как и в других конденсированных средах, можно . азделить на два основная типа: надмолекулярные, или тояологичес-ие, и молекулярные. Топологическими дефектами называют такие не-днорйдные распределения параметра порядка НК, которые нельзя странить непрерывными деформациями. Физически это означает, что ля устранения топологического…	Лаврентович, Олег Дмитриевич	1990
Упорядоченные структуры в аморфных сплавах Исследования структурной релаксации в основном проводятся с использованием косвенных методов, хотя существует работы по пряному наблюдению атомарной перестройки в сплавах при релаксации. Зднако, практически не .уделяется внимание динамике крупномасштабных (по отношении к атомарной структуре) неоднородностей, в частности, такого дефекта аморфные…	Должиков, Сергей Владимирович	1990
Физические принципы выбора систем легирования быстрозакристаллизованных сплавов на основе алюминия В последнее время активно проводятся работы по изучэшш сплавов, получаемых, метода-1 быстрой закалки и находящихся-в термодинамически неравновесном состоянии. Одним из объектов, полу-чаег.их таким способен, являются сплавы алюминля с переходными металлами (ПМ). Высокие скорости охлаждения (Ю4-Ю7К/о) позволяют сутцестБенно расширить пределы…	Хабаров, Сергей Валерьевич	1990
Формирование доменной структуры при сегнетоэлектрическом фазовом переходе в германате свинца Доменная структура существенно влияет на электрофизические свойства кристаллов, поэтому технические устройства на основе сегнетоэлектриков требуют создания вполне определенных доменных конфигураций. В ряде случаев необходимо формировать сквозную доменную структуру с незаряженными доменными стенками, поскольку заряженные доменные стенки затрудняют…	Субботин, Александр Львович	1990
Формирование пленок и модификация поверхностных слоев кристаллов под воздействием лазерной плазмы С физической и практической сторон наиболее интересными являются ситуации, когда в отдельных слоях или многослойных композициях проявляются эффекты, связанные с резонансным отражением от границ раздела электронов, нейтронов, электромагнитных или спиновых волн, то есть композиции из пленок с толщинами от мономолекулярного слоя (3-5 Я ) до…	Гапонов, Сергей Викторович	1990
Фотоэмиссия поляризованных электронов и их взаимодействие с поверхностью твердых тел Идея развития подобных исследований вигала в воздухе. Резкий рост числа публикаций в этой области вызвала реализдци-л, в--1976 году Пирсом и Мейером ИПЗ фотоэмиссионного типа, 'который.,.™ своим характеристикам превосходил все известные ИПЗ, а по. технологическим условиям был удобен для применения в электронных спектрометрах…	Мамаев, Юрий Алексеевич	1990
Функционально-аналитический подход в диэлектрической теории неоднородного электронного газа в локальном гидродинамическом приложении Как сечение неупругого рассеяния ааряикннмх частиц, так и t екроекоиичсская ДП периодической структуры определяются обращенной матрицей микроскопической ДП (ШЙП…	Назаров, Владимир Юрьевич	1990
Численный эксперимент при моделировании ионно-имплантационных профилей в твердых телах Наибольшие достижения ионной имплантации связаны с; технологией производства микроэлектроники. Все большее практическое применение получает имплантация в металлы. Для этих целей используют большие дозы. В связи с исследованием в области создания термоядерных реакторов, практический интеркс представляет моделирование взаимодействия заряженных…	Курганов, Александр Геннадиевич	1990
Широкополосная люминесценция слабопоглащающих конденсированных сред, возбуждаемая в области их прозрачности Таким образом, область исследований взаимодействия неакти-вкрованных широкозонных материалов (жидких и твердых) с оптическим излучением, энергия фотонов которого меньше ширкни' запрещенной зоны, т.е. Ай) <Е$ , до настоящего времени остается практически не трощгой. Положение несколько изменилось с появлением з руках экспериментаторов волоконных…	Касымджанов, Магрупджан Арипджанович	1990
Экранирование электрического поля в кристаллах силленитов при различных условиях приложения напряжения и фотовозбуждения Мзтодика исе-лвдочания. При экспериментальном исследовании распределен,ш поля в объеме кристалла использовался электрооптический метод, основанный на наблюдении интерференционных картин, везкикаюцих в плоскости поляроида-анализатора- при зондировании кристалла монохроматическим нефотоактивным поляризованным светом в направлении, перпендикулярном…	Мельников, Михаил Борисович	1990
Электросопротивление, гальваномагнитные и магнитотермоэлектрические свойства монокристаллов тантала в области низких температур Рис.3. Теипературше зависимости коэффициента Холла монокристаллов Та-1 (90), Та-2 (260), Та-3 (600), Та-4(990), Та-5 (1510) при ориентации магнитного поля…	Кумин, Петр Рудольфович	1990
Электрофизические свойства аморфного антимонида галлия В то же Бремя не снижается острота проблем, возникающих при фундаментальном изучении разного рода систем со случайным потенциалом и, в частности, аморф-шх полупроводников. Это объясняется как специфическими трудностями описания систем, где отсутствует трансляционная гимметрия, так и растущим объемом экспериментальной информашш. Кроме того…	Ляпин, Александр Геннадьевич	1990
Электрохронизм натрий-вольфрамовых бронз Создание злектрохромного индикатора представляет собой в настоящее время приоритетное направление. По опенком споципли-стов, оно способно в ближайшие 10 лет полностью питеснить производство жидкокристаллических инцикагопоя. \\мС-1лт перспективным материалом для создания электроу?-поЯств и яп…	Хуболов, Борис Магометович	1990
Явления переноса и фазовые превращения в металлах и полупроводниках при гидростатическом давлении до 10 ГПа и высоких температурах Изучение устойчивости кристаллической решетки л изменений в электронном спектре проводилось посредством измерения кинетических коэффициентов монокристатллческих и полукристаллических образцов в гидростатических условиях при высоких температурах до 6Ю°С и давления до 10 ГПа. Привлечение новых экспериментальных методов исследования позволяет…	Хвостанцев, Лев Григорьевич	1990
Акустооптическое взаимодействие в сегнетоэлектриках и сегнетоэластиках Современные достижения акустооптики во многом определяются тем, что в качестве материала акустоопгических преобразователей используются новые синтетические монокристаллы, среди которых особенно перспективны сегнетоэлектрики и сегнетоэластики. Эффективность АОВ, а следовательно, и всех приборов и устройств, действующих на его' основе, в основном…	Киселев, Дмитрий Федорович	1989