Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика конденсированного состояния
Код ВАК 01.04.07Тема работы | Автор | Год |
---|---|---|
Электронные транспортные свойства чистых металлических монокристаллов в сильных магнитных полях
Следует также отметить, что в таких чистых "размерных" кристаллах ранее в отсутствие магнитного поля был обнаружен интерференционный механизм рассеяния "электрон-фонон-поверхность", приводящий к квадратичной температурной зависимости электросопротивления [17]. Интересно выяснить, существует ли подобный механизм рассеяния в условиях магнитного поля… |
Марченков, Вячеслав Викторович | 2001 |
Электронный спектр и фазовые переходы в электронном и дырочном арсениде индия при высоком гидростатическом давлении до 9 ГПа
Одной из актуальных задач в физике конденсированного состояния является изучение структурных фазовых переходов первого рода. Оказывается, что эту задачу нельзя рассматривать изолированно от проблем, связанных со строением электронного энергетического спектра, так как из-за сильного электрон-фононного взаимодействия электронная система оказывает… |
Арсланов, Расул Качалаевич | 2001 |
Электропроводность силицидно-оксидных композитов
При наличии межфазного взаимодействия процесс вжигания может сопровождаться, с одной стороны, образованием новых фазовых составляющих, с другой - изменением электрофизических свойств компонентов. В результате композиты не только наследуют свойства исходных компонентов, но зачастую приобретают новые, качественно отличные характеристики [7]. Поэтому… |
Вечерский, Сергей Иванович | 2001 |
Электростимулированная диффузия ионов в ВТСП-материалах на основе иттрия и висмута и природа токонесущего состояния в сверхпроводниках d-типа
Если для модельных экспериментов предпочтительно использовать монокристаллы и эпитаксиальные ВТСП пленки, то для многих практических применений необходима ВТСП керамика. С точки зрения материаловедения ВТПС монокристаллы и керамика имеют значительные различия. Многообразие специфических свойств керамических высокотемпературных сверхпроводников… |
Троицкий, Алексей Владимирович | 2001 |
Эмиссия электронов из униполярного сегнетоэлектрического кристалла триглицинсульфата
В качестве объекта исследования в работе были выбраны кристаллы триглицинсульфата - ТГС (химическая формула (NH2 СН2 СООН)3Н2 S04) -номинально чистого и легированного различными примесями. Выбор этих кристаллов для детального исследования электронной эмиссии оправдан с одной стороны достаточно хорошей изученностью этого материала, облегчающей… |
Рогазинская, Ольга Владимировна | 2001 |
ЭПР исследования структурных фазовых переходов в кристаллах трихлорида цезия стронция и германата свинца
В точке фазового перехода смещения атомов кристалла, окружающих парамагнитный центр, вызывают изменение кристаллического поля и, как следствие, сдвиги положений и расщепления резонансных линий. Причем, при фазовом переходе первого рода изменения, как правило, происходят скачком… |
Артемов, Михаил Юрьевич | 2001 |
Эффекты модифицирования в ниобатах щелочных металлов, титанате свинца, цирконате свинца и их твердых растворах
Как свидетельствуют библиографические данные, наиболее полно изучено модифицирование твердых растворов (ТР) на основе системы цирконата-титаната свинца (ЦТС), при этом возможности модифицирования самой системы в настоящее время практически исчерпаны. Достаточно глубоко в этом плане обследованы и многокомпонентные свинецсодержащие ТР. Анализ и… |
Титов, Сергей Валерьевич | 2001 |
Адгезия при лазерном напылении пленок
Поэтому разработка новых методов, и, в частности, метода лазерного напыления, дающего повышенную адгезию без предварительной обработки подложек и нанесения дополнительных подслоев, имеет принципиальное значение. С научной точки зрения, представляет интерес исследовать механизмы наблюдаемой повышенной адгезии при лазерном напылении пленок… |
Жованник, Евгений Викторович | 2000 |
Акустическая диссипация энергии при структурных превращениях в металлических системах
Данная макроструктура существенно неравновесна, а в ходе ее формирования при изменении температуры или внешней нагрузки система проходит плотный ряд стационарных состояний, переходы между которыми есть детерминированный чисто динамический процесс. Это подтверждается известными экспериментальными данными: эффект памяти формы, требующий для своего… |
Плотников, Владимир Александрович | 2000 |
Анализ поведения изотопов водорода и гелия в облученном нейтронами бериллии и их влияния на его структуру и свойства
В настоящей работе впервые проведено исследование образцов бериллия, облучавшихся при одинаковых условиях, целым комплексом материаловедческих методов, включавшим определение плотности, оптическую металлографию, рентгеноструктурный анализ, просвечивающую и сканирующую электронную микроскопию, вторичную ионную масс-спектрометрию и вакуумную… |
Андреев, Денис Владимирович | 2000 |
Анализ протяженной тонкой структуры спектров потерь энергии электронов (EELFS) для определения атомной структуры поверхности твердых тел
Современные спектрометры позволяют проводить комплексные исследования поверхности твердых тел в одной рабочей камере, оснащенной различными источниками и анализаторами… |
Вайнштейн, Дмитрий Львович | 2000 |
Аналитическое исследование протонной релаксации в кристаллах с водородными связями и расчет на примере льда спектров диэлектрических потерь и термостимулированных токов
Материалы с водородными связями (слюды, тальк) широко используются в технике в качестве высококачественной электрической изоляции, которая может обеспечить длительную эксплуатацию в экстремальных условиях (высокие напряженности поля, высокие частоты и температуры, действие ультразвука). Исследование диэлектрической релаксации в кристаллах с… |
Фазылов, Константин Камильевич | 2000 |
Аномальные кинетические явления в пленках антимонида индия с электронным типом проводимости
Объект и методы исследования. Объектами исследования в данной работе являются компенсированные пленки антимонида индия с электронным типом проводимости, выращенные методом дискретного испарения с 6 последующей термической перекристаллизацией на подложках из монокристаллического кремния… |
Зюзин, Сергей Евгеньевич | 2000 |
Атомная структура иттриевой керамики YBa2 Cu3 O х по данным рентгенографического компьютерного эксперимента
Таким образом, предложенный способ учета неоднородностей фазового состава 123 в рамках "смешанослойной модели" является хотя и достаточно приблизительным, но лучшим из известных нам подходов к интерпретации рентгенографических данных в случае нестехиометричных по кислороду образцов УВа2Си3078. 1 2 3 4 5 6 7 8 9… |
Иванов, Андрей Александрович | 2000 |
Атомная структура и энергия общих границ зерен наклона типа [100] в кубических кристаллах
Еще при создании теории дислокаций стало ясно, что границы между участками поликристаллов разориентированные на угол меньше 5°-ь7°, представляют собой ряды дислокаций. В настоящее 5 время существует разделение на малоугловые и большеугловые границы зерен. Однако такое, разделение носит. достаточно условный характер. Структура большеугловых границ… |
Векман, Анатолий Валериевич | 2000 |
Атомный механизм аморфизации металлических сплавов
Проблема атомной структуры AMC является одной из важных и не решенных проблем в физике конденсированного состояния, представляющей значительный научный интерес. Причина отсутствия значительных успехов в этой области связана с тем, что аморфные сплавы имеют непериодическую структуру, поэтому получаемые в экспериментах данные являются всего лишь… |
Нургаянов, Рафаэль Раифович | 2000 |
Вертикальное и латеральное туннелирование в двумерных электронных системах и структурах на их основе
В настоящее время общепринятой является точка зрения, согласно которой целочисленный квантовый эффект Холла в двумерной (2Д) системе объясняется без привлечения понятий обменного и корреляционного взаимодействий, при этом межэлектронное взаимодействие учитывается лишь в приближении среднего поля. С другой стороны, хорошо известно что инжекпия… |
Девятов, Эдуард Валентинович | 2000 |
Взаимодействие поверхностных акустических волн с двумерными электронами в гетероструктурах GaAs/AlGaAs в режиме целочисленного квантового эффекта Холла
Фундаментальной характеристикой полупроводниковых объектов является осуществляемый в них механизм проводимости. В двумерной электронной системе, находящейся в плоскости перпендикулярной вектору напряженности сильного магнитного поля, энергетический спектр электронов представляет собой систему дискретных уровней Ландау. Присутствие примесей в… |
Смирнов, Иван Юрьевич | 2000 |
Взаимодействие специальных границ зерен наклона с точечными дефектами в ГЦК - металлах и упорядоченных сплавах
ГЗ являются активными элементами дефектной структуры поликристаллических материалов [2]. Изменения атомной структуры ГЗ при различных зернограничных процессах во многих случаях имеют вакансионный механизм, причем в результате перестроек ГЗ вакансии становятся частью структуры ядра ГЗ. Известно, что ГЗ являются регулятором равновесной концентрации… |
Грахов, Евгений Леонидович | 2000 |
Влияние адсорбционно-десорбционных процессов на фазовые переходы в твердых телах
Изучение влияния поверхностных воздействий на фазовые переходы интересно и с практической точки зрения. Чувствительность поверхности к этим воздействиям, как правило, негативно сказывается на стабильности работы различных устройств микроэлектроники. С другой стороны кардинальное изменением свойств твердого тела при фазовом переходе делает такие… |
Левшин, Николай Леонидович | 2000 |