Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика конденсированного состояния
Код ВАК 01.04.07Тема работы | Автор | Год |
---|---|---|
Развитие рентгеновского дифракционного метода исследования специальных границ в ОЦК-металлах
Существующие методы исследования границ неприемлемы в условиях непрерывного производства из-за трудоемкости и больших временных затрат. В частности, метод локальной рентгеновской дифрактометрии накладывает условия на размер зерна >0,2 мм, в то время как размер зерна динамной стали порядка 100-125 мкм, а сталь для глубокой вытяжки имеет размер… |
Яковлева, Татьяна Петровна | 2000 |
Разработка методов регистрации озона и синглетного 1 Δ g кислорода в газовой фазе и их применение для изучения каталитического окисления пропилена
В результате проделанной работы были созданы высокочувствительные хемилюминесцентные методы определения озона и синглетного кислорода в газовой фазе. ХЛ методика определения синглетного кислорода в газовой фазе является оригинальной и обладает чувствительностью до 5107 молек/см3. Применение этих методов для изучения поверхностных… |
Романов, Алексей Николаевич | 2000 |
Распад собственных и околопримесных электронных возбуждений в щелочногалоидных кристаллах с экситонами малого радиуса
Для широкощелевых ионных кристаллов основной механизм создания радиационных дефектов связывается с рождением френке-левских дефектов при распаде автолокализующихся экситонов (АЛЭ). Создание френкелевских дефектов было экспериментально обнаружено в шестидесятые годы двадцатого столетия для модельных щелочногалоидных кристаллов (ЩГК) и рассмотрено… |
Тайиров, Миталип Муратович | 2000 |
Релаксационные и гистерезисные явления в монокристаллах Cu-Al-Ni с термоупругим мартенситным превращением
Другое малоизученное явление - двойниковая псевдоупругость мартенситных фаз («резиноподобное» поведение), обнаруженная в некоторых системах с ТМП. Отсутствие надежных экспериментальных результатов, направленных на выяснение природы «резиноподобного» поведения, а также, базирующихся на этих результатах, модельных представлений, существенно… |
Скурихин, Алексей Евгеньевич | 2000 |
Релаксационные явления и диэлектрическая вязкость в сегнетоэлектрических монокристаллах ТГС, ДТГС и BaTiO3
Однако, имеющиеся на сегодня литературные данные по исследованию релаксационных явлений в различных неоднородных системах противоречивы. 'Поэтому целесообразно было исследовать процессы переключения сегнетозлектриков с помощью высокочувствительных методов: эффекта Баркгаузена, исследования временных зависимостей диэлектрической проницаемости… |
Колышева, Марина Валериевна | 2000 |
Рентгеновские спектры и электронная структура магнитных сплавов Гейслера и дихалькогенидов 3d металлов
Особый интерес вызывают сплавы Гейслера [10] X2YZ и XYZ и подобные им материалы на основе антиферромагнитных 3с1 металлов (У=Мп, Сг), где Х- Со, N1, Си, Z - А1, Са, 1п, Бп, ЭЬ. Исследования, проведенные методами… |
Яблонских, Михаил Владимирович | 2000 |
Рентгенография алмазных нанокластеров
Появление широкого класса кластерных материалов привело к необходимости адаптации традиционного метода рентгенографии к исследованию наноразмерных структур. Основу рентгенографии составляют методы рентгеновской дифракции такие, как структурный и фазовый анализ, малоугловое рассеяние. Рентгенография исследует как равновесные, так и неравновесные… |
Байдакова, Марина Владимировна | 2000 |
Рентгенодифрактометрические исследования изменений структурного совершенства бездислокационных монокристаллов кремния под воздействием ионного излучения, отжига и гидростатического сжатия
Актуальність теми. На сьогоднішній день досягнуто великих успіхів в області вирощування напівпровідникових монокристалів. Сучасні методи вирощування дозволяють отримувати напівпровідникові кристали, за структурою близькі до ідеальних. Завдяки інтенсивному контролю процесу вирощування вдається отримувати бездислокашйні монокристали з приблизно… |
Мельник, Василий Михайлович | 2000 |
Роль структуры поверхности в формировании слоев GaAs и AlGaAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Совместимость метода МЛЭ с методами исследования поверхности позволяет изучать явления на поверхности роста непосредственно в процессе эпитаксии. В результате проведения таких исследований во второй половине 70"х годов была предложена модель роста СаАв при МЛЭ, известная как модель Фоксона-Джойса. Согласно этой модели существует значительная… |
Преображенский, Валерий Владимирович | 2000 |
Самозалечивание микротрещин в ионных кристаллах и его стимулирование воздействием электромагнитного излучения видимого и рентгеновского диапазонов длин волн
В связи с изложенным, проведение исследований, направленных на восстановление сплошности материала актуально не только в научном плане, но и в практическом аспекте… |
Плужникова, Татьяна Николаевна | 2000 |
Самозалечивание микротрещин в ионных крсталлах и его стимулирование воздействием электромагнитного излучения видимого и рентгеновского диапазонов длин волн
К настоящему времени накоплен определенный объем экспериментальных данных и определен ряд закономерностей, характерных для залечивания пор и трещин в различных материалах… |
Плужникова, Татьяна Николаевна | 2000 |
Свойства ионно-модифицированных тонкопленочных и многослойных структур на основе элементов IV группы
При формуванні багатошарових структур на основі кремнію з ірихованими діелектричними або напівпровідниковими шарами для ¡творення інтегральних схем з підвищеними швидкодією, радіаційною ггійкістю та ступенем інтеграції, як правило використовується іисокодозова імплантація йонів вуглецю, кисню і/або азоту. Це не юзволяє створювати структури з… |
Клюй, Микола Иванович | 2000 |
Свойства кристаллических систем с 3d-ионами в состояниях с орбитальным вырождением и смешанной валентностью
Оставался открытым целый ряд вопросов, связанных со спектрами возбуждений и структурой основного состояния неупорядоченных магнитных кристаллов с ЯТ ионами. Наличие орбитального вырождения может, с одной стороны, существенно изменить характер спектра уже имеющихся возбуждений, а с другой - приводить к появлению новых видов возбуждений. Это связано… |
Митрофанов, Валентин Яковлевич | 2000 |
Сегнетоэлектрические свойства монокристаллов ниобата бария-стронция с примесями редкоземельных металлов
Ниобат бария-стронция (8В1ч[) относится к сегнетоэлектрикам-релаксорам. Высокие электрооптические коэффициенты (превышающие электрооптические коэффициенты кристаллов группы дигидрофосфата калия и ниобата лития), высокие пиро- и пьезоэлектрические коэффициенты и т.д. выдвигают БВИ в число весьма перспективных материалов для различных применений… |
Салобутин, Виктор Юрьевич | 2000 |
Синтез, кристаллическая структура и электрические свойства сложнооксидных соединений
Проблемы как создания новых веществ, так и радикального усовершенствования и модифицирования известных материалов, отвечающих разнообразным и жестким требованиям их эксплуатации, не могут быть решены только лишь интенсивными исследованиями в области неорганического материаловедения, а обязательно - в сочетании с комплексным физико-химическим… |
Базаров, Баир Гармаевич | 2000 |
Синтез, структура и фазовый состав пленок CuInSe2
Во-вторых, при интенсивном исследовании оптоэлектронных свойств гетероструктур на основе CIS, сохраняется недостаток данных о субструктуре пленок, ее связи с условиями роста. Практически отсутствуют данные об эпитаксиальном росте пленок CuInSe2… |
Базовой, Борис Павлович | 2000 |
Создание и исследование резистивных керамических композитов для электрических нагревателей
Разработка и изучение новых материалов для электронагревателей и резисторов, применяемых в различных отраслях промышленности, является актуальной проблемой современного материаловедения и физики твердого тела. В настоящее время известно большое число материалов для нагревательных элементов. При работе в воздушной атмосфере в качестве таких… |
Проневич, Игорь Иванович | 2000 |
Создание упорядоченных систем магнитных нанообъектов и исследование их свойств
Результаты экспериментов по термическому отжигу многослойных рентгеновских зеркал Ме(№,Сг,Ре,УДЬ,Мо,Р1;,"\¥)/С показали, что при не очень высоких температурах отжига коэффициент отражения рентгеновского излучения в первом порядке рентгеновской дифракции возрастает, а не падает как можно было бы предположить исходя из обычных представлений о… |
Фраерман, Андрей Александрович | 2000 |
Состав и структура композиционных мишеней на основе карбида и диборида титана, полученных методом СВС
Одностадийное получение композиционных мишеней по технологии СВС-компактирования является сложной макрокинетической задачей, включающей совместное рассмотрение процессов теплообмена, массопереноса, образования фаз, кристаллизации и т.п. Для получения малопористого СВС-продукта с высокими физико-механическими характеристиками необходимо учитывать… |
Рахбари Реза Гахнавиех | 2000 |
Спектроскопические проявления электрон-фононного взаимодействия в полупроводниковых гетероструктурах A III B V с пониженной размерностью
Не менее важным является и прикладной интерес к исследованию GaAs и им подобных эпитаксиальных структур. Во-первых, используемые сегодня в электронной промышленности размеры полупроводниковых приборов постепенно приближаются к порогу, за которым необходимо будет учитывать квантовые эффекты. Поэтому изучение физических свойств квантоворазмерных… |
Козин, Игорь Эдуардович | 2000 |