Темы авторефератов и диссертаций по физике из каталога библиотеки ФизМатХим. Физика конденсированного состояния
Код ВАК 01.04.07Тема работы | Автор | Год |
---|---|---|
Физические свойства композитов и тонкопленочных молекулярных структур на основе проводящих полимеров и фуллеренов
Весь комплекс уникальныхсвойств проводящих полимеров делает этот класс органичеашхполиыерныхматериалов весьма перспективным для различных приложений. ' В последнее время во всем мире активно ведутся исследования по созданию прототипов различных электронных устройств на базе проводящих полимеров типа фото- и светояиояов, полевых транзисторов… |
Ли, Сергей Борисович | 1995 |
Физические явления в структурах с дефиной инжекцией на основе компенсированных полупроводников
Актуально с ть щх>блецк.Ннтекскввое развитие сизяки ик^екпион-ах явлений. в коаспенснрованных, поахупроводшЕах (КШ привело к -эзнанию иногочксленнкх полупроводниковых приборов различного каг-ачения, в основе работы которых: ле^ат инфекция носителей заряда обусловленные е® явления, протекающие в объеме полупроводника… |
Гаспарян, Фердинанд Вазгенович | 1995 |
Формирование и электрофизические свойства пленок сложных металлоксидов
Интерес к металлоо^сидным соединениям вызван стрематвльинм расширением фронта их использования в таких областях техники, как микро-, опто и акустоэлектрсника, акустооптйяа, квантовая электроника, а также при создания оптпчеекдх рэвереявннх сред… |
Агасиев, Ариф Араз оглы | 1995 |
Формирование кристаллов в ультрадисперсных системах С и С-Si, стимулированное фазовым превращением
Ультрадисперсные системы с размером кристаллов ~ Ю нн в ряде современных технологий являются либо промежуточным, либо конечным продуктом синтеза. Система в таком состоянии обладает избыточной поверхностной энергией и поэтому неравновесна. При нагревании в ней развивается процесс рекристаллизации, приводящий к укрупнению кристаллов и… |
Беленков, Евгений Анатольевич | 1995 |
Формирование поверхностных фаз в трехкмопонентной системе Si(III)-(Au,Ag) и Si(III)-(Ag,In)
ЬгЕгодери зягвгггяькому уветегкшта пугстаггетшегти традиционных и пэязямжта гтргепсаетялыЕО коеих методов исследоааиия поверхности в поатгдже годн ейкрукяко большее ражаобразнг пооерхнеепшх структур в дэухкшлпзкешжх егггзмгх квтзлл-п г-гупрсяо^шх и подучено болюсе количество исеих езгдеянй об етгетропиой и кристаллической структуре эпа систем… |
Намжил, Энэбиш | 1995 |
Формирование структуры и механические свойства спеченных в вакууме керамик ZrO2-Y2 O3 и ZrO2-Y2 O3-Al2 О3
В настоящее время керамика на основе диоксида циркония аани*асг.ц«й1ралы»0С.нест?.. *,"••!' »апаииоврки* материалов. Это об'яьняысл прегде вс?го т?м, ч»» п« срлкивнив <. керамическими материалами, такими, как нитрид кремния и карбид кремния . диоксид циркония, упрочненный вследствие превращения, обладаёт более высокой прочностью и вязкостью при… |
Саблина, Татьяна Юрьевна | 1995 |
Хвосты плотности состояний и эффект холла в некристаллических веществах
За последние годы, о результате своего быстрого развития, физика неупорядоченных полупроподникоп превращаясь в самостоятельную область пауки о конденсированном состоянии. Такой прогресс связан прежде всего с широкими возможностями практического использования неупорядоченных материалов, таких как. халькогенидные стекла, сильно легированные п… |
Герман, Ефим Петрович | 1995 |
Экситонные эффекты в заряженной 2Д магнитоплазме
Исследованио излучательной рекомбинации 2Д электронов с • Фотовозбужденкыми дырками, в принципе, позволяет измбрнть. квэзичастичный спек :р в 2Д электронной системе. Одноко, внесенио ■ в 2Д систему неосновного носителя шзаваот' ее • конечное возмущенно. Электрон-дырочное язаимслейстБие -может разрушить коррелированные состояния в зд электронной… |
Кулик, Леонид Викторович | 1995 |
Экспериментальные исследования сильнокоррелированных электронных систем на основе церия: CeNi и CeNiSn
Специфические физические свойства СКЭС на основе редкоземельных (РЗ) элементов обусловлены наличием не полностью заполненных И электронных оболочек и взаимодействием -И электронов с электронами проводимости. Последнее взаимодействие (к-{ электронные корреляции), может привод!ггь к частичной делокализации электронов, так называемой валентной… |
Клементьев, Евгений Станиславович | 1995 |
Элекронная плотность в соединениях ряда переходных элементов и дифракция ренгтеновских лучей в монокристаллах при воздействии на них внешних полей
Естественным расширением решаемой проблемы является и изучение РЗП в условиях, когда на исследуемый кристалл воздействуют внешше поля. Решение этой задачи невозможно без целостного теоретического анализа дпрракции рентгеновских лучей п монокристаллах при воздействии на них внешних полей определенного вида. В работе впервые проведено рассмотрение… |
Треушников, Евгений Николаевич | 1995 |
Электретный эффект и электрическая релаксация в слюдах и некоторых полимерных пленках
С!;.ци н иптосог1,* иптапцно/иого ^о^л'Ч'п^ •< ч^оп.^Н!'.': гс1<> > 1 гго октикинх десктоп» Зтсгг «опрос "отет:.потюйгьку,тнкме ".с:;стг.г -'Ш ППЛ.ТВТГП ПОРОПОКТИРШГ.Я' гдатори&ломп » детегстирортши иоппзп -рувишх излучений в согласно прм»гтпадсго,<тм, ррят»й'>>ррм«л в рпботпг ¿.С.Мецикя относятся к типичным пр«тот<">ите.чяп г'зссгяяг.чеоких… |
Новиков, Геннадий Кириллович | 1995 |
Электролюминесценция тонкопленочных слоистых структур на основе ZnS:SmF3 с многокомпонентными диэлектриками
ПЕЯС, одеркання 1 досл1дження нових пл1вкостворюючих д1-лектричних «1атер1ал1в для ТПЕЯС 1 досл1джеиня впливу ыате-1алу д1електрика иа ефективн1оть електродш1неецепц12, роз-обка математапшо2 иоде л 1 ф!зичвих процес!в в шаруватш лектролш1лесцевтзшх структурах, яка ураховуе козщентрац!в а енерг!» акг,тац1х ПЕС на мея! под1лу дам1асфор-д1елек*с-■ж… |
Андриянов, Александр Викторович | 1995 |
Электронная микроскопия высокого разрешения некоторых типов наноструктур
По отношению * паречисленным оьяве и другим подобным структурам используется понятие "НАНОСТРУКТУРЫ"• Очень часто приставка "нано" включается в само название структуры, например, используют термин "наноострия", подчеркивая этим размеры функционально наиболее важной части этих острий. Используется также понятие изделий с нанометровой шкалой… |
Киселев, Алексей Николаевич | 1995 |
Электронная энергетическая структура фуллеритоподобных соединений
Возникновение и бурное развитие многих современных отраслей техники постоянно стимулирует поиск и исследование новых перспективных материалов. В последние годы внимание многих ученых приковано к новой модификации углерода - фулпериту. Фуллерит это кристалл, в узлах которого располагаются молекулы фуллерена, которые в свою очередь, состоят из 60… |
Бажин, Игорь Вадимович | 1995 |
Электронное строение поверхностей ковалентных кристаллов с адсорбированными металлами
Мпогослойные топкие пленки представляют большой интерес для микроэлектронной технологии. Электрические свойства таких пленок во многом зависит от физических процессов, протекающих на границе раздела пли же па поверхности пленки. По этой причине в физике твердого тела все больше внимания уделяется поверхностным… |
Исаев, Эйваз Иса оглы | 1995 |
Электронные процессы в дибензотетра-азааннулене на разных уровнях структурной организации
Лкіпиальтсіт, р>Ложи інгєнсишінґі розпиток фізики органічних молекулярних кристаліп (ОМК) обумовлений п першу чергу ТИМ, ТЛО ІЗ цих речео ¡шах можливо очікувати прояпу ефектів, які не спостерігаються п іоштх або ковалентних кристалах та які можуть бути використані длм розробки електронних приладів нового поколінні.. Однак практично пг-кориетання… |
Снопок, Борис Анатольевич | 1995 |
Электронные процессы в кристаллах ZnSe:Cr при оптической перезарядке примесных ионов хрома
Коротка анотац!я. ДисертацХю присвячено комплексному досл1дженню процес1в переносу енерг11 та- заряду м!.к локалытими станами у кристалах гпЗе:Сг, що чинються при перезарядЩ дом!шкових 1он1в хрому п1д д!ею оптичного випром1нювання з енерг1ею меньш н!ж ширина заборонено! зони, методами оптично!, фотоелектрично! та фото-ЕПР спектроскопИ. Були… |
Иванов, Виталий Юрьевич | 1995 |
Электронные реакции дефектов при атомной диффузии, дефектообразовании и механической релаксации в полупроводниках
Основной особенностью полупроводниковых материалов, обусловившей начало широкого их использования в приборах электронной техники, явилась чрезвычайно сильная зависимость электрических свойств от содержания примесей. Установление закономерностей, определяющих эту зависимость, открыло возможность эффективного управления свойствами не только… |
Свиридов, Владимир Владимирович | 1995 |
Электронные свойства сверхпроводящих и нормальных сверхрешеток и слоистых кристаллов
Перечисленные задачи относятся к исследованиям термодинамических и кинетических свойств нормальных и сверхпроводящих СР и слоистых кристаллов. Они связаны идейно и методически. Так, структура зон Ландау определяет нелинейности H^t Т) в СР, условия нестинга и Тс пайерлсовского перехода в когерентных МП и периодических 2D структурах, форму линии… |
Гвоздиков, Владимир Михайлович | 1995 |
Электронные топологические переходы и термодинамические свойства неупорядоченных сплавов переходных металлов
Впервые выполнен последовательный анализ изменений топологии поверхности Ферми в системе Ag-Pd. Обнаружено, что в системе существует четыре электронных топологических перехода. Проведены расчеты термодинамических свойств системы Ag-Pd во всем концентрационном интервале существования твердого раствора и показано, что изменение топологии поверхности… |
Скородумова, Наталья Владимировна | 1995 |